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國家知識產權局信息顯示，深圳市崧盛電子股份有限公司取得一項名為“原邊控制的驅動開關電源及戶外LED燈具”的專利，授權公告號CN114710016B，申請日期為2021年12月。天眼查資料顯示，深圳市崧盛電子股份有限公司，成立于2011年，位于深圳市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業為主的企業。企業注冊資本12405.7695萬人民幣。通過天眼查大數據分析，深圳市崧盛電子股份有限公司共對外投資了6家企業，參與招投標項目14次，財產線索方面有商標信息19條，專利信息257條，此外企業還擁有行政許可17個。聲明：市場有風險，投資需謹慎。本文為AI基于第三方數據生成，僅供參考，不構成個人投資建議。
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國家知識產權局信息顯示，深圳市智安新能源科技有限公司申請一項名為“開關電源的拓撲控制方法、設備及存儲介質”的專利，公開號CN121546929A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本申請提供了一種開關電源的拓撲控制方法、設備及存儲介質，該方法包括：采集開關電源的運行數據；對運行數據進行卡爾曼濾波，獲得第一狀態數據和第二狀態數據；根據第一狀態數據從預設模型庫中選擇對應的動態模型，并辨識動態模型的模型參數，以及計算動態模型的置信度；根據模型參數和第二狀態數據，在預設的預測時域內建立多目標優化函數，求解多目標優化函數，獲得目標控制序列；根據目標控制序列調整開關電源的控制占空比，并檢測對應的電感電流的過零時刻，根據過零時刻計算同步整流管的目標導通相位；根據目標導通相位生成主開關管的第一驅動信
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國家知識產權局信息顯示，浙江萬勝智能科技股份有限公司申請一項名為“基于智能電能表線性電源的負荷開關驅動系統及方法”的專利，公開號CN121333071A，申請日期為2025年8月。專利摘要顯示，本發明涉及智能電能表電源技術領域，具體涉及基于智能電能表線性電源的負荷開關驅動系統及方法，線性電源模塊將交流電壓隔離降壓、整流濾波，輸出第一直流電壓，此電壓經DC?DC降壓模塊得到第二直流電壓，第二直流電壓給MCU微控制器供電外還給法拉電容儲能模塊恒壓充電，能在短時間內完成儲能模塊充電，當電能表MCU微控制器接收到“合閘/分閘”指令時，控制模塊發出升壓使能信號，DC?DC升壓模塊啟動，將法拉電容端電壓泵升至第三直流電壓，驅動模塊輸出大電流脈沖驅動大功率負荷開關可靠動作，動作完成，DC?DC升壓模塊關閉
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國家知識產權局信息顯示，廈門廈華科技有限公司取得一項名為“自動開關假負載電路”的專利，授權公告號CN223816095U，申請日期為2024年11月。專利摘要顯示，本實用新型公開了一種自動開關假負載電路，其包括電壓采樣單元、電子開關單元和假負載單元；電壓采樣單元的輸入端和電子開關單元的輸入端連接該自動開關假負載電路的接入端，該自動開關假負載電路的接入端用于連接開關電源的輸出端；電壓采樣單元的輸出端連接電子開關單元的控制端，電子開關單元的輸出端連接假負載單元的輸入端，假負載單元的輸出端接地。本實用新型能有效抑制開關電源的輸出電壓飄高，同時能減少開關電源的功耗。天眼查資料顯示，廈門廈華科技有限公司，成立于2014年，位于廈門市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業為主的企業。企業注冊資本
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國家知識產權局信息顯示，廣州金升陽科技有限公司申請一項名為“一種反激變換器及開關電源”的專利，公開號CN121461771A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發明公開了一種反激變換器及開關電源，包括原邊回路、變壓器TX1和副邊回路，所述原邊回路包括有電容擴展諧振電路和電容擴展諧振電路控制電路，所述電容擴展諧振電路控制電路的輸出端連接至所述電容擴展諧振電路的控制端，所述電容擴展諧振電路并聯在所述主功率開關管Q1的漏極與原邊地之間，在所述主功率開關管Q1的漏極與源極之間電壓Vds下降過程所述電壓Vds小于開通電壓源電壓Vcc時，所述電容擴展諧振電路控制電路控制所述電容擴展諧振電路導通。本發明通過電容擴展諧振電路導通接入電路，實現諧振周期的擴展，從而實現在不減小死區時間的條件下仍能在連續
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國家知識產權局信息顯示，珠海格力電器股份有限公司取得一項名為“一種開關電源的軟開關裝置、開關電源及其控制方法”的專利，授權公告號CN116073662B，申請日期為2022年12月。天眼查資料顯示，珠海格力電器股份有限公司，成立于1989年，位于珠海市，是一家以從事電氣機械和器材制造業為主的企業。企業注冊資本601573.0878萬人民幣。通過天眼查大數據分析，珠海格力電器股份有限公司共對外投資了98家企業，參與招投標項目5000次，財產線索方面有商標信息5000條，專利信息5000條，此外企業還擁有行政許可908個。聲明：市場有風險，投資需謹慎。本文為AI基于第三方數據生成，僅供參考，不構成個人投資建議。
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1月8日消息，據上交所數據顯示，截至 10:02，上證指數上漲 0.04%，科創芯片指數上漲 2.93%，個股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀 - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產業漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達 14.25 億元，換手率達 3.30%。天天基金網數據顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內半導體技術取得重大突破，首條二維半導體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點亮，預計今年 6 月通線，標志著我國在新一代芯片材料領域邁出關鍵一步；全球存儲芯片市場進入 “超級
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國家知識產權局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項名為“芯片調測系統及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發明公開了芯片調測系統及方法，涉及芯片開發技術領域。所述系統包括待測芯片端和外設接口發送裝置，外設接口發送裝置設置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發送不同類型的低速協議激勵信號；待測芯片的內部嵌入有協議轉換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設接口發送裝置發送的低速協議激勵信號，對該激勵信號進行解析、轉換后得到AMBA總線協議的激勵信號，再通過AMBA總線發送至待測芯片的目標地址模塊，以對芯片的目標模塊寄存器進行訪問。本發明改進了芯片回片階段的測試和調試手段，可以對傳統調測方案進行補充或替
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1月7日，據上交所數據顯示，截至09:58，上證指數上漲0.14%，科創芯片指數上漲2.13%，個股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產業漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達12.90億元，換手率達2.99%。天天基金網數據顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲芯片供應持續緊張、價格飆升，三星電子與SK海力士計劃2026年第一季度將服務器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機用DRAM同步漲價，NAND Flash合約價預計持續上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達1800%，DDR5 16Gb漲幅達500%，行業預計2027年前存儲芯片價
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國家知識產權局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請一項名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利，公開號CN121340789A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發明實施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括：信號選擇模塊、信號處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號選擇模塊和信號處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執行，方法包括：控制信號選擇模塊的工作狀態；當耗材接口模塊與耗材芯片接觸時，向耗材接口模塊傳輸電平信號，接收耗材接口模塊傳輸的第一信號以及信號選擇模塊傳輸的第二信號；根據第一信號和第二信號，確定耗材芯片的狀態和類型；根據耗材芯片的狀態和類型，控制信號選擇模
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