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國家知識產權局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項名為“芯片調測系統及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發明公開了芯片調測系統及方法，涉及芯片開發技術領域。所述系統包括待測芯片端和外設接口發送裝置，外設接口發送裝置設置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發送不同類型的低速協議激勵信號；待測芯片的內部嵌入有協議轉換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設接口發送裝置發送的低速協議激勵信號，對該激勵信號進行解析、轉換后得到AMBA總線協議的激勵信號，再通過AMBA總線發送至待測芯片的目標地址模塊，以對芯片的目標模塊寄存器進行訪問。本發明改進了芯片回片階段的測試和調試手段，可以對傳統調測方案進行補充或替

1月7日，據上交所數據顯示，截至09:58，上證指數上漲0.14%，科創芯片指數上漲2.13%，個股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產業漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達12.90億元，換手率達2.99%。天天基金網數據顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲芯片供應持續緊張、價格飆升，三星電子與SK海力士計劃2026年第一季度將服務器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機用DRAM同步漲價，NAND Flash合約價預計持續上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達1800%，DDR5 16Gb漲幅達500%，行業預計2027年前存儲芯片價

國家知識產權局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請一項名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利，公開號CN121340789A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發明實施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括：信號選擇模塊、信號處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號選擇模塊和信號處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執行，方法包括：控制信號選擇模塊的工作狀態；當耗材接口模塊與耗材芯片接觸時，向耗材接口模塊傳輸電平信號，接收耗材接口模塊傳輸的第一信號以及信號選擇模塊傳輸的第二信號；根據第一信號和第二信號，確定耗材芯片的狀態和類型；根據耗材芯片的狀態和類型，控制信號選擇模

超高壓大功率放大器是一種能夠提供極高電壓和高功率輸出的設備，它在各種科學實驗和技術應用中發揮著至關重要的作用。這種設備不僅能夠提供穩定的電壓和功率輸出，還能精確控制實驗參數，從而確保實驗結果的準確性和可靠性。以下是超高壓大功率放大器能夠進行的幾種主要實驗及其詳細分析。1.高壓放電實驗超高壓大功率放大器在高壓放電實驗中扮演著核心角色。它可以提供足夠的電壓和功率，驅動氣體放電管、閃光燈等器件進行放電實驗。這些實驗包括氣體放電研究、等離子體物理實驗和光譜分析等。通過高壓放大器提供的電壓和功率，可以產生穩定而強大的放電效果，從而探索各種物理現象及其背后的機制。例如，在等離子體物理實驗中，高壓放電可以產生高溫、高密度的等離子體，這對于研究核聚變、天體物理等領域具有重要意義。2.電場實驗電場實驗是另一種

在快充技術快速發展的當下，英集芯推出的IP6559升降壓SOC芯片，為車載充電器、快充適配器及智能排插等設備帶來了全新的解決方案。這款芯片以其高度集成化的設計，實現了單芯片多功能集成，成為大功率快充領域的創新之作。IP6559將升降壓控制器、協議芯片及路徑NMOS控制功能集成于QFN48封裝（7×7mm）之中，僅需1顆電感和2顆功率MOSFET，便可構建完整的100W快充方案。與傳統需要外置十余顆元件的設計方案相比，其PCB面積可減少約40%，元件數量降低約65%，BOM成本下降約32%。這種集成化設計不僅簡化了硬件布局，還通過減少元件間信號干擾，提升了系統的穩定性。在功率管理方面，IP6559展現出強大的適應性。它支持3.6V至31V的寬電壓輸入范圍，能夠兼容12V至24V的車充環境。其同

在電源設計領域，寬輸入電壓、高效率的升壓解決方案一直是工程師關注的重點。今天以 H6801 這款電流模式 BOOST 異步升壓控制芯片為例，簡單談談其設計特點與應用思路。一、適應寬電壓輸入范圍H6801 支持 2.7V 至 25V 的輸入電壓，啟動電壓可低至 2.5V。這樣的寬范圍輸入特性，使其能夠兼容多種電源環境，例如單節鋰電、多節串聯電池或適配器供電場景。芯片內部集成了 40V LDO，進一步增強了供電穩定性。二、多模式自動切換與效率表現該芯片可根據負載情況，在 PWM、PFM 及 BURST 模式之間自動切換。輕載時采用 PFM 或 BURST 模式有助于降低損耗，重載時則以 PWM 模式維持穩定輸出。這種動態調節機制有助于在全負載范圍內保持較高的轉換效率，典型效率可大于95%。在輸出

國家知識產權局信息顯示，深圳市穩先微電子有限公司取得一項名為“智能電子開關、集成電路芯片、芯片產品和汽車”的專利，授權公告號CN118449503B，申請日期為2024年5月。天眼查資料顯示，深圳市穩先微電子有限公司，成立于2000年，位于深圳市，是一家以從事軟件和信息技術服務業為主的企業。企業注冊資本2848.2982萬人民幣。通過天眼查大數據分析，深圳市穩先微電子有限公司共對外投資了5家企業，參與招投標項目4次，財產線索方面有商標信息21條，專利信息111條，此外企業還擁有行政許可18個。聲明：市場有風險，投資需謹慎。本文為AI基于第三方數據生成，僅供參考，不構成個人投資建議。

國家知識產權局信息顯示，珠海格力電器股份有限公司申請一項名為“一種開關管的保護電路和芯片”的專利，公開號CN121261684A，申請日期為2025年8月。專利摘要顯示，本發明實施例提供了一種開關管的保護電路和芯片，包括第一開關管、開通電路和控制電路；第一開關管的輸入端與功率模塊連接，用于接收功率模塊輸出的供電電壓；開通電路的一端與驅動芯片連接，另一端與第一開關管的控制端連接，用于接收驅動芯片輸出的驅動電壓，并向第一開關管的控制端輸出驅動電壓；開通電路包括電阻調節模塊；控制電路分別與電阻調節模塊和第一開關管的控制端連接，用于調整電阻調節模塊的阻值。本發明實施例通過控制電路，根據第一開關管的控制端與輸出端之間的電壓來調整電阻調節模塊的阻值，由于電阻的阻尼作用，從而抑制了第一開關管的控制端基于供

國家知識產權局信息顯示，珠海量引科技有限公司申請一項名為“光開關和硅光芯片”的專利，公開號CN121299841A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發明提供一種光開關和硅光芯片，光開關包括第一波導和第二波導，第一波導與第二波導并列設置；第二波導包括主體和設置在主體中的第一縫隙；第一波導由第一材料組成，主體由所述第一材料組成，第一縫隙填充有第二材料；第一材料的熱光系數大于第二材料的熱光系數；沿光傳播方向，光開關依次設置有輸入端口區、輸入耦合區、非耦合相位調制區、輸出耦合區和輸出端口區，輸入端口區、輸入耦合區、非耦合相位調制區、輸出耦合區和輸出端口區均設置在第一波導和第二波導上；在非耦合相位調制區的第一波導的寬度為450納米，在非耦合相位調制區的第二波導寬度為600納米。本發明在實現

國家知識產權局信息顯示，珠海零邊界集成電路有限公司;珠海格力電器股份有限公司申請一項名為“一種智能功率模塊和一種芯片”的專利，公開號CN121283227A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發明實施例提供了一種智能功率模塊和一種芯片，該智能功率模塊包括：逆變模塊和功率因數校正模塊(PFC模塊)。逆變模塊中，第一、第二反向導通絕緣柵器件的控制端分別與第一、第二集成電路連接，實現了驅動信號的短路徑、低延遲傳輸，提高了開關動作的精確性和可靠性。PFC模塊為逆變模塊提供更穩定、更高電壓的直流母線，使逆變模塊工作在更優的電壓區間。逆變模塊和PFC模塊的關鍵器件之間采用直接連接方式，減少了外部走線，有助于減少電磁干擾。將逆變模塊和PFC模塊集成在同一個封裝內，減少了外部連接和分立元器件的數量，