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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，河南平高電氣股份有限公司申請一項名為“一種負(fù)荷開關(guān)聯(lián)鎖裝置及包括其的柱上負(fù)荷開關(guān)”的專利，公開號CN121528788A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種負(fù)荷開關(guān)聯(lián)鎖裝置及包括其的柱上負(fù)荷開關(guān)，屬于柱上負(fù)荷開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，包括：固定板、主軸A、主軸B、輪軸、地軸C、地軸D、主凸輪、主桿、地凸輪、地桿、主鎖板及地鎖板，先利用主凸輪的外輪面與主桿的頂端滑動接觸，由于地鎖板固定在主桿上，可以在轉(zhuǎn)動主軸B啟閉負(fù)荷開關(guān)的同時，聯(lián)動地鎖板向下移動，使地鎖板的地鎖孔鎖止地軸C，實現(xiàn)負(fù)荷開關(guān)分合閘時，接地開關(guān)無法操作；后利用地凸輪的外輪面與主鎖板底端接觸，由于地桿的頂端鉸接在地凸輪上且其底端通過拐臂固定在地軸D上，可以在轉(zhuǎn)動地軸D啟閉接地開關(guān)的同時，聯(lián)動主鎖板向

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海宏力達(dá)國際貿(mào)易有限公司申請一項名為“一種固封極柱、高壓柱上開關(guān)和固封極柱澆筑方法”的專利，公開號CN121506786A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及開關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種固封極柱、高壓柱上開關(guān)和固封極柱澆筑方法。本發(fā)明的固封極柱，包括絕緣殼體和設(shè)置在所述絕緣殼體內(nèi)的真空滅弧室；所述固封極柱內(nèi)一體澆筑有熒光光纖溫度傳感器。在本發(fā)明中，所述熒光光纖溫度傳感器用于在高電壓環(huán)境下檢測高壓柱上開關(guān)內(nèi)的溫度，由于熒光光纖溫度傳感器澆筑在絕緣殼體內(nèi)，且光纖具有良好的絕緣性，采用光信號傳輸溫度信號，不需要電信號傳輸，能夠避免電磁干擾和高電場的影響，從而能夠有效地監(jiān)測高壓柱上開關(guān)內(nèi)部的溫度情況。天眼查資料顯示，上海宏力達(dá)國際貿(mào)易有限公司，成立于20

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，吉安伊戈爾電氣有限公司取得一項名為“一種高效多輸出開關(guān)電源”的專利，授權(quán)公告號CN223928238U，申請日期為2025年1月。專利摘要顯示，本實用新型涉及開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種高效多輸出開關(guān)電源，包括至少兩個模擬式恒流輸出模塊；高效原邊回路和變壓器T1的原邊繞組電連接，變壓器T1的副邊繞組和副邊濾波模塊電連接，副邊濾波模塊分別與模擬式恒流輸出模塊電連接；微控制器分別與模擬式恒流輸出模塊電連接，使其接收微控制器的PWM信號和保護(hù)動作信號；變壓器T1的副邊輔助繞組分別與模擬式恒流輸出模塊電連接，為模擬式恒流輸出模塊提供降壓偏壓電源；第一、第二檢測模塊分別電連接于模擬式恒流輸出模塊和微控制器之間以及副邊濾波模塊和微控制器之間，用于信號反饋；解決了設(shè)多個輸出的開關(guān)電

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州力生美半導(dǎo)體有限公司申請一項名為“一種開關(guān)電源副邊導(dǎo)通時間的檢測方法和電路”的專利，公開號CN121508325A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種開關(guān)電源副邊導(dǎo)通時間的檢測方法和電路。該檢測方法包括檢測所述開關(guān)電源副邊的導(dǎo)通起始時刻；在所述起始時刻后延遲第一預(yù)設(shè)時間，得到延遲起始時刻；檢測開關(guān)電源輔助繞組的電壓VS下降至預(yù)設(shè)參考電壓的時刻，并作為所述開關(guān)電源副邊的導(dǎo)通結(jié)束時刻；將所述延遲起始時刻和所述導(dǎo)通結(jié)束時刻之間的時間間隔作為所述開關(guān)電源副邊的導(dǎo)通時間。本發(fā)明通過引入延遲起始時刻的檢測方式，確保導(dǎo)通時間的測量更加準(zhǔn)確和一致。該方法簡化了檢測電路設(shè)計，提高了測量的穩(wěn)定性和可靠性，有助于提升開關(guān)電源恒流控制的精度和系統(tǒng)整體性能，適用于多

倒裝芯片市場調(diào)研報告從過去五年的市場發(fā)展態(tài)勢進(jìn)行總結(jié)分析，合理的預(yù)估了倒裝芯片市場規(guī)模增長趨勢，2025年全球倒裝芯片市場規(guī)模達(dá)2512.34億元（人民幣），中國倒裝芯片市場規(guī)模達(dá)762.75億元。報告預(yù)測到2032年全球倒裝芯片市場規(guī)模將達(dá)352.61億元，2025至2032期間年均復(fù)合增長率為-24.46%。報告依次分析了Nepes, Intel Corporation, Samsung Group, Global Foundries, Powertech Technology, ASE Group, STATS ChipPAC, STMicroelectronics, Texas Instruments, United Microelectronics, Taiwan Semicond

Wafer IC failure modeFailure ClassificationPhysical Failure (Structure)- Popcorn- Delamination- Crack (Package/Die)Electrical Failure (Connection)- Open- Short- Leakage- FunctionIn-Process Failure (Production)- Front-end (before molding)- Back-end (After molding)- Testing (FT/Burn-in)Reliability Failure (Qualification)- Temperature- Humidity- Pres

當(dāng)前先進(jìn)制程 SoC、功率器件與高集成電源芯片持續(xù)迭代，也有很多人在關(guān)注芯片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，就前不久小米爆火的玄戒O1來說，在發(fā)布不久后就有很多人關(guān)注這款芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，從驗證自研真實性、梳理關(guān)鍵 IP 結(jié)構(gòu)，到還原電源/功率路徑、定位可靠性風(fēng)險，越來越多的工程判斷需要落到芯片本體與封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)層面。基于此，芯片網(wǎng)正式上線 DECAP 半導(dǎo)體分析服務(wù)，聚焦芯片市場與功率器件兩大市場，補(bǔ)齊從芯片封裝開蓋、芯粒顯微觀察到關(guān)鍵器件結(jié)構(gòu)解析的專業(yè)能力，為產(chǎn)業(yè)提供更具工程指向的樣品級分析與內(nèi)容化交付支持。在介紹業(yè)務(wù)之前，先來簡單了解一下什么是 DECAP？DECAP 常指對已封裝IC或半導(dǎo)體器件進(jìn)行局部開蓋/去膠處理，完整暴露內(nèi)部的晶粒、邦定線和焊盤，在盡量不破壞內(nèi)部結(jié)構(gòu)的前提下，為后續(xù)目檢、結(jié)構(gòu)識別、失

內(nèi)容概況：開關(guān)電源作為電源供應(yīng)器的重要組成部分，廣泛應(yīng)用于各類電子設(shè)備中。其主要功能是將電源電壓轉(zhuǎn)換為設(shè)備所需的穩(wěn)定電壓，具有小型化、重量輕、轉(zhuǎn)化效率高等優(yōu)點。隨著科技的不斷進(jìn)步，開關(guān)電源的應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展，涵蓋了工業(yè)、消費電子、醫(yī)療、汽車電子等多個行業(yè)。近年來，5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)、物聯(lián)網(wǎng)普及和數(shù)據(jù)中心擴(kuò)容催生了對高性能電源的旺盛需求，特別是在服務(wù)器、邊緣設(shè)備和智能終端領(lǐng)域，開關(guān)電源憑借其高功率密度和高轉(zhuǎn)換效率成為關(guān)鍵支撐。與此同時，全球能源轉(zhuǎn)型加速推進(jìn)，光伏、風(fēng)電等新能源產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，帶動光伏逆變器及相關(guān)電源設(shè)備需求顯著提升，同時日益嚴(yán)格的能效標(biāo)準(zhǔn)也推動行業(yè)技術(shù)升級。此外，消費電子市場復(fù)蘇與產(chǎn)品創(chuàng)新持續(xù)拉動需求，氮化鎵等新技術(shù)的應(yīng)用促進(jìn)電源向小型化、高效化發(fā)展，智能家居、可穿戴設(shè)備等新興領(lǐng)域

在半導(dǎo)體測試、功率器件研究及高壓電子元件開發(fā)等領(lǐng)域，高壓探針臺扮演著不可或缺的角色。與普通探針臺相比，高壓探針臺在結(jié)構(gòu)設(shè)計、安全性能和測試能力上具有顯著優(yōu)勢，能夠滿足高壓環(huán)境下的精密測試需求，下面鍵德測試測量小編就來詳細(xì)介紹下選擇高壓探針臺的原因。選擇高壓探針臺的原因如下：一、滿足高壓測試需求高壓探針臺專為高電壓環(huán)境下的測試而設(shè)計，能夠承受數(shù)百伏甚至數(shù)千伏的電壓，而普通探針臺通常僅適用于低壓測試。在功率半導(dǎo)體(如IGBT、MOSFET、SiC器件等)的研發(fā)與生產(chǎn)過程中，器件往往需要在高壓條件下進(jìn)行性能評估，例如擊穿電壓測試、漏電流測試及耐壓特性分析。高壓探針臺通過其特殊設(shè)計的絕緣結(jié)構(gòu)和高壓接口，確保測試過程中的信號穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性，是高壓器件測試的理想選擇。二、保障測試安全高壓測試環(huán)境對設(shè)