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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市杰和科技發(fā)展有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“POP音消除電路”的專利,公開(kāi)號(hào)CN121442247A,申請(qǐng)日期為2025年11月。專利摘要顯示,本發(fā)明公開(kāi)了一種POP音消除電路,電路包括信號(hào)源輸出端、控制線路、音頻芯片及音頻輸出設(shè)備,控制線路的第一端與信號(hào)源輸出端連接,控制線路的第二端分別與音頻芯片及音頻輸出設(shè)備連接;控制線路包括驅(qū)動(dòng)控制電路及音頻輸出電路,驅(qū)動(dòng)控制電路包括至少一個(gè)PMOS管,音頻輸出電路包括至少一個(gè)NMOS管,PMOS管的柵極作為控制線路的第一端,PMOS管的漏極接地,PMOS管的源極同時(shí)與第一供電端及NMOS管的柵極連接,NMOS管的源極接地,NMOS管的漏極作為控制線路的第二端。本發(fā)明的POP音消除電路通過(guò)PMOS管與NMOS管的協(xié)同控制,精準(zhǔn)避開(kāi)開(kāi)
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H6253K寬電壓降壓恒壓芯片120V降5V 150V降5V 48V降5V DC-DC電源管理芯片 原廠直供 性價(jià)比高
目前市場(chǎng)上的100V以上的高壓DCDC電源芯片雖然種類繁多,但是電流普遍偏小,難以滿足一些大功率應(yīng)用的需求。針對(duì)這一市場(chǎng)痛點(diǎn),我司特研發(fā)出了一款150V 2.5A的降壓恒壓芯片,該芯片不僅具有高電壓輸入能力,還具備大電流輸出的特點(diǎn),能夠廣泛應(yīng)用于各種需要高功率、高效率、低功耗的電源轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。尤其在應(yīng)對(duì)潛在的熱拔插應(yīng)用場(chǎng)景方面有出色的表現(xiàn)。◆ 支持高耐壓150V◆ 高恒壓精度高◆ 2.5A持續(xù)大電流,低功耗◆ 高工作轉(zhuǎn)換效率,可達(dá)95%◆ 輸出電壓可調(diào)≥3.3V◆ 動(dòng)態(tài)響應(yīng)優(yōu)異,線性和負(fù)載調(diào)整良好◆ 集成軟啟動(dòng)、過(guò)流保護(hù)OCP、過(guò)熱保護(hù)OTP、短路保護(hù)SCP◆ 針對(duì)頻繁熱拔插使用場(chǎng)景有出色的表現(xiàn)
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1月8日消息,據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示,截至 10:02,上證指數(shù)上漲 0.04%,科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%,個(gè)股方面,海光信息漲超 13%,芯原股份漲超 7%,寒武紀(jì) - U 漲超 5%,華虹公司漲超 4%,晶晨股份、中芯國(guó)際等漲超 3%,滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%,華海清科漲超 1%,中微公司跟漲。熱門 ETF 方面,科創(chuàng)芯片 ETF(588200)漲 3.01%,盤中成交額達(dá) 14.25 億元,換手率達(dá) 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示,該基金近 6 月漲 70.55%,近 1 年漲 78.20%。消息面上,國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破,首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點(diǎn)亮,預(yù)計(jì)今年 6 月通線,標(biāo)志著我國(guó)在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步;全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)進(jìn)入 “超級(jí)
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,安測(cè)半導(dǎo)體技術(shù)(義烏)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種電源芯片測(cè)試方法及裝置”的專利,公開(kāi)號(hào)CN121324898A,申請(qǐng)日期為2025年11月。專利摘要顯示,本發(fā)明屬于芯片測(cè)試(晶圓測(cè)試)領(lǐng)域,為了解決在電源芯片的測(cè)試過(guò)程中,通常需要人工連線,由于連線較多,導(dǎo)致作業(yè)效率較低,而且經(jīng)常出現(xiàn)連線錯(cuò)誤的問(wèn)題,本發(fā)明提供了一種電源芯片測(cè)試方法及裝置,該裝置包括:連接單元,所述連接單元包括多個(gè)測(cè)試針,所述測(cè)試針與待測(cè)晶圓連接;探針單元,所述探針單元包括多個(gè)探針,通過(guò)探針與連接單元連接;測(cè)試電路單元,所述測(cè)試電路單元與探針單元的探針連接,用于發(fā)出測(cè)試信號(hào);處理單元,用于根據(jù)所述測(cè)試電路單元發(fā)出的信號(hào),對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行電壓測(cè)試。本發(fā)明中連接單元直接通過(guò)探針單元與測(cè)試電路單元連接,不再需要
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,眸芯科技(上海)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法”的專利,公開(kāi)號(hào)CN121210229A,申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示,本發(fā)明公開(kāi)了芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法,涉及芯片開(kāi)發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測(cè)芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置,外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測(cè)芯片端外部,與待測(cè)芯片通過(guò)管腳連接線連接,用于向待測(cè)芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào);待測(cè)芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置,其被配置為:通過(guò)待測(cè)芯片封裝的管腳,接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào),對(duì)該激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵(lì)信號(hào),再通過(guò)AMBA總線發(fā)送至待測(cè)芯片的目標(biāo)地址模塊,以對(duì)芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測(cè)試和調(diào)試手段,可以對(duì)傳統(tǒng)調(diào)測(cè)方案進(jìn)行補(bǔ)充或替
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1月7日,據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示,截至09:58,上證指數(shù)上漲0.14%,科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%,個(gè)股方面,中微公司漲超6%,瀾起科技漲超4%,華海清科漲超3%,滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%,華虹公司漲超1%。熱門ETF方面,科創(chuàng)芯片ETF(588200)漲2.04%,盤中成交額達(dá)12.90億元,換手率達(dá)2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示,該基金近6月漲65.69%。消息面上,全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價(jià)格飆升,三星電子與SK海力士計(jì)劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價(jià)格較2025年第四季度提升60%至70%,PC及智能手機(jī)用DRAM同步漲價(jià),NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)持續(xù)上漲33-38%,2025 年DDR4 16Gb漲幅高達(dá)1800%,DDR5 16Gb漲幅達(dá)500%,行業(yè)預(yù)計(jì)2027年前存儲(chǔ)芯片價(jià)
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,杭州旗捷科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路”的專利,公開(kāi)號(hào)CN121340789A,申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示,本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路。耗材芯片的升級(jí)電路包括:信號(hào)選擇模塊、信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊和控制器;信號(hào)選擇模塊與電源以及控制器電連接,信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接,信號(hào)選擇模塊和信號(hào)處理模塊均與耗材接口模塊電連接;方法由控制器執(zhí)行,方法包括:控制信號(hào)選擇模塊的工作狀態(tài);當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時(shí),向耗材接口模塊傳輸電平信號(hào),接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘?hào)以及信號(hào)選擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?hào);根據(jù)第一信號(hào)和第二信號(hào),確定耗材芯片的狀態(tài)和類型;根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型,控制信號(hào)選擇模
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,思瑞浦微電子科技(蘇州)股份有限公司取得一項(xiàng)名為“驅(qū)動(dòng)電路及開(kāi)關(guān)電源”的專利,授權(quán)公告號(hào)CN115765402B,申請(qǐng)日期為2022年11月。天眼查資料顯示,思瑞浦微電子科技(蘇州)股份有限公司,成立于2012年,位于蘇州市,是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)資本13780.1498萬(wàn)人民幣。通過(guò)天眼查大數(shù)據(jù)分析,思瑞浦微電子科技(蘇州)股份有限公司共對(duì)外投資了15家企業(yè),參與招投標(biāo)項(xiàng)目24次,財(cái)產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息30條,專利信息315條,此外企業(yè)還擁有行政許可11個(gè)。聲明:市場(chǎng)有風(fēng)險(xiǎn),投資需謹(jǐn)慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成,僅供參考,不構(gòu)成個(gè)人投資建議。
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,蘇州騰圣技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種全橋逆變電路的軟開(kāi)關(guān)方法及其電路”的專利,公開(kāi)號(hào)CN121261512A,申請(qǐng)日期為2025年11月。專利摘要顯示,本發(fā)明公開(kāi)了一種全橋逆變電路的軟開(kāi)關(guān)方法及其電路,涉及電力電子變換器控制技術(shù)領(lǐng)域,旨在解決現(xiàn)有H4逆變器軟開(kāi)關(guān)技術(shù)存在的輕載失效、輔助電路復(fù)雜、EMI干擾等問(wèn)題。軟開(kāi)關(guān)方法通過(guò)三階段實(shí)現(xiàn):交流正半周內(nèi),開(kāi)關(guān)S1、S4導(dǎo)通使電感儲(chǔ)能并向負(fù)載供能;開(kāi)關(guān)S1關(guān)斷后電感續(xù)流;續(xù)流結(jié)束后電容C6反向?yàn)殡姼谐潆娨l(fā)諧振,通過(guò)兩條路徑分別為開(kāi)關(guān)的寄生電容充放電,待充放電完成時(shí)開(kāi)通S1,實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)通。本發(fā)明可使開(kāi)關(guān)損耗降低60%以上,系統(tǒng)效率提升至96.5%,傳導(dǎo)噪聲降低10dB以上,在20%?100%負(fù)載范圍內(nèi)穩(wěn)定實(shí)現(xiàn)ZVS,且
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證券之星消息,根據(jù)天眼查APP數(shù)據(jù)顯示杰華特(688141)新獲得一項(xiàng)發(fā)明專利授權(quán),專利名為“供電電路及開(kāi)關(guān)電源”,專利申請(qǐng)?zhí)枮镃N202210446264.4,授權(quán)日為2026年1月13日。專利摘要:本發(fā)明公開(kāi)了一種供電電路及開(kāi)關(guān)電源,該開(kāi)關(guān)電源包括多個(gè)電壓轉(zhuǎn)換通道,該供電電路包括多個(gè)第一供電模塊和至少一個(gè)第二供電模塊;每個(gè)第一供電模塊用于根據(jù)對(duì)應(yīng)通道的基準(zhǔn)電源電壓及第一供電模塊中的第一電容為對(duì)應(yīng)的電壓轉(zhuǎn)換通道提供第一驅(qū)動(dòng)電源電壓;每個(gè)第二供電模塊與多個(gè)電壓轉(zhuǎn)換通道中的兩個(gè)電壓轉(zhuǎn)換通道連接,第二供電模塊基于第一電壓轉(zhuǎn)換通道獲得供電電壓,并根據(jù)供電電壓為第二電壓轉(zhuǎn)換通道提供第二驅(qū)動(dòng)電源電壓。本發(fā)明能夠在大占空比條件下為高邊驅(qū)動(dòng)器提供額外的電荷補(bǔ)充,有利于保持電路在大占空比條件下的正常工作,從
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