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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，庫柏愛迪生（平頂山）電子科技有限公司申請一項(xiàng)名為“用于開關(guān)柜的負(fù)荷開關(guān)和開關(guān)柜”的專利，公開號CN121460431A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及用于開關(guān)柜的負(fù)荷開關(guān)和開關(guān)柜。負(fù)荷開關(guān)包括：支架；三工位開關(guān)，包括：固設(shè)于所述支架的第一靜觸頭和接地靜觸頭；以及可轉(zhuǎn)動地設(shè)于所述支架的第一動觸頭，其中所述第一動觸頭具有與所述第一靜觸頭接合的合閘位置、與所述接地靜觸頭接合的接地位置，以及在所述第一靜觸頭與所述接地靜觸頭之間的隔離位置；真空滅弧室，并聯(lián)于所述三工位開關(guān)，并包括：外殼：設(shè)于所述外殼內(nèi)的第二靜觸頭和第二動觸頭，其中所述第二動觸頭連接有伸出所述外殼的動導(dǎo)電桿；第一屏蔽件，以與所述動導(dǎo)電桿等電位的方式布置在所述外殼附近，所述第一屏蔽件具有供所述第
查看 >>2026-04-23
國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，平頂山三和高壓開關(guān)有限公司取得一項(xiàng)名為“一種低壓開關(guān)柜接線絕緣防護(hù)結(jié)構(gòu)”的專利，授權(quán)公告號CN223927903U，申請日期為2025年3月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型涉及低壓開關(guān)柜技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種低壓開關(guān)柜接線絕緣防護(hù)結(jié)構(gòu)，包括：接線架，所述接線架固定設(shè)置在低壓開關(guān)柜主體側(cè)壁上，接線主體伸出低壓開關(guān)柜主體側(cè)壁上的接線孔，接線架上設(shè)置有防護(hù)組件和輔助組件；通過將下絕緣橡膠墊卡接設(shè)置在U形板凹槽內(nèi)，將U形板安裝在接線架側(cè)壁上，將接線主體放置在接線弧槽內(nèi)并抵靠在下絕緣橡膠墊弧面上，將上絕緣橡膠墊安裝在固定板上后使得插桿與插槽插接，上絕緣橡膠墊與接線主體卡接，轉(zhuǎn)動轉(zhuǎn)板使得定位卡槽與定位柱卡接后固定轉(zhuǎn)板位置，完成上絕緣橡膠墊和下絕緣橡膠墊安裝對接線主體起到絕緣防護(hù)作用，規(guī)避
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項(xiàng)名為“芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵信號；待測芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵信號，對該激勵信號進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵信號，再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標(biāo)地址模塊，以對芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段，可以對傳統(tǒng)調(diào)測方案進(jìn)行補(bǔ)充或替
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1月7日，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至09:58，上證指數(shù)上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%，個股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達(dá)12.90億元，換手率達(dá)2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價格飆升，三星電子與SK海力士計劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機(jī)用DRAM同步漲價，NAND Flash合約價預(yù)計持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達(dá)1800%，DDR5 16Gb漲幅達(dá)500%，行業(yè)預(yù)計2027年前存儲芯片價
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請一項(xiàng)名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利，公開號CN121340789A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括：信號選擇模塊、信號處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號選擇模塊和信號處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號選擇模塊的工作狀態(tài)；當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時，向耗材接口模塊傳輸電平信號，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘栆约靶盘栠x擇模塊傳輸?shù)牡诙盘枺桓鶕?jù)第一信號和第二信號，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號選擇模
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高壓開關(guān)與中壓大電流的效能之選：STP11NM50N與STB75NF75T4對比國產(chǎn)替代型號VBM165R18和VBL1806的選型應(yīng)用解析
春躁行情下半場開啟，新主線聚焦半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域，多只潛力股迎布局良機(jī)，把握產(chǎn)業(yè)升級新機(jī)遇。
國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，仝瑞半導(dǎo)體科技（上海）有限公司取得一項(xiàng)名為“一種可快速拆裝的芯片量產(chǎn)測試用插座”的專利，授權(quán)公告號CN223815386U，申請日期為2025年1月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型提出一種可快速拆裝的芯片量產(chǎn)測試用插座，包括測試底座、浮動支座、芯片保持座和頂蓋，浮動支座底部滑動扣合于測試底座頂部的浮動凸部，緊貼浮動支座的上表面設(shè)有芯片保持座，緊貼所述芯片保持座的頂部設(shè)有頂蓋。本實(shí)用新型通過將頂蓋蓋設(shè)于芯片保持座上且向下按壓，直至頂蓋兩側(cè)所設(shè)扣件底部的扣齒與測試底座兩側(cè)的扣槽相扣合，在按壓過程中，待測芯片的引腳被配合插入引腳插孔支座上所設(shè)的引腳插孔中，從而實(shí)現(xiàn)待測芯片的裝配連接，裝配簡單。天眼查資料顯示，仝瑞半導(dǎo)體科技（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以從
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東科半導(dǎo)體推出合封 GaN PFC 芯片 DK8318，面向新一代高功率密度快充電源
東科半導(dǎo)體自2020年以來持續(xù)深耕合封芯片領(lǐng)域，先后推出業(yè)內(nèi)首款全合封氮化鎵不對稱半橋產(chǎn)品、業(yè)界唯一的全合封高壓有源箝位反激（ACF）芯片、合封準(zhǔn)諧振（QR）反激芯片，以及高集成度的同步整流合封芯片系列，這些產(chǎn)品在簡化外圍器件、降低調(diào)試難度和控制成本上取得了成功 。通過將功率器件、驅(qū)動和控制器合而為一，可有效減少PCB面積和連線寄生，提升系統(tǒng)集成度與可靠性。在 3 月 28 日舉行的 2025（春季）亞洲充電展·亞洲充電大會上，東科半導(dǎo)體曾預(yù)告將推出全新的合封 PFC 芯片 DK83XX 系列。近日，首款產(chǎn)品 DK8318 正式發(fā)布，將 700V/101mΩ GaN 功率管與 CRM/DCM PFC 控制器高度集成于 ESOP16L 封裝，配合谷底導(dǎo)通、輸出電壓分段、輸入功率補(bǔ)償以及極低待機(jī)
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芯片網(wǎng)推出專業(yè) DECAP 半導(dǎo)體分析服務(wù)，覆蓋 SoC 與功率器件開蓋解析
當(dāng)前先進(jìn)制程 SoC、功率器件與高集成電源芯片持續(xù)迭代，也有很多人在關(guān)注芯片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，就前不久小米爆火的玄戒O1來說，在發(fā)布不久后就有很多人關(guān)注這款芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，從驗(yàn)證自研真實(shí)性、梳理關(guān)鍵 IP 結(jié)構(gòu)，到還原電源/功率路徑、定位可靠性風(fēng)險，越來越多的工程判斷需要落到芯片本體與封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)層面。基于此，芯片網(wǎng)正式上線 DECAP 半導(dǎo)體分析服務(wù)，聚焦芯片市場與功率器件兩大市場，補(bǔ)齊從芯片封裝開蓋、芯粒顯微觀察到關(guān)鍵器件結(jié)構(gòu)解析的專業(yè)能力，為產(chǎn)業(yè)提供更具工程指向的樣品級分析與內(nèi)容化交付支持。在介紹業(yè)務(wù)之前，先來簡單了解一下什么是 DECAP？DECAP 常指對已封裝IC或半導(dǎo)體器件進(jìn)行局部開蓋/去膠處理，完整暴露內(nèi)部的晶粒、邦定線和焊盤，在盡量不破壞內(nèi)部結(jié)構(gòu)的前提下，為后續(xù)目檢、結(jié)構(gòu)識別、失
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