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國家知識產權局信息顯示，浙江英能電子科技有限公司申請一項名為“預驅動模塊、芯片及驅動系統(tǒng)”的專利，公開號CN121530363A，申請日期為2026年1月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種預驅動模塊、芯片及驅動系統(tǒng)，包括：輸入級電路，基于輸入信號的控制為圖騰柱結構電路的輸入端充電或放電；圖騰柱結構電路，輸出預驅動電壓，預驅動電壓源跟隨圖騰柱結構電路的輸入電壓；第一比較器，產生第一比較結果；第二比較器，產生第二比較結果；上拉電路，受控于第一比較結果，用于加速預驅動電壓的升高；下拉電路，受控于第二比較結果，用于加速預驅動電壓的下降；電容，連接在圖騰柱結構電路的輸入端和外置功率管的漏極之間。本發(fā)明的預驅動模塊、芯片及驅動系統(tǒng)自適應外置功率管的輸入電容，改善外置功率管開關時產生的EMI問題，工作效率高且

1月8日消息，據上交所數據顯示，截至 10:02，上證指數上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數上漲 2.93%，個股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀 - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達 14.25 億元，換手率達 3.30%。天天基金網數據顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內半導體技術取得重大突破，首條二維半導體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點亮，預計今年 6 月通線，標志著我國在新一代芯片材料領域邁出關鍵一步；全球存儲芯片市場進入 “超級

國家知識產權局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項名為“芯片調測系統(tǒng)及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調測系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術領域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設接口發(fā)送裝置，外設接口發(fā)送裝置設置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協議激勵信號；待測芯片的內部嵌入有協議轉換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協議激勵信號，對該激勵信號進行解析、轉換后得到AMBA總線協議的激勵信號，再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標地址模塊，以對芯片的目標模塊寄存器進行訪問。本發(fā)明改進了芯片回片階段的測試和調試手段，可以對傳統(tǒng)調測方案進行補充或替

1月7日，據上交所數據顯示，截至09:58，上證指數上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數上漲2.13%，個股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達12.90億元，換手率達2.99%。天天基金網數據顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲芯片供應持續(xù)緊張、價格飆升，三星電子與SK海力士計劃2026年第一季度將服務器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機用DRAM同步漲價，NAND Flash合約價預計持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達1800%，DDR5 16Gb漲幅達500%，行業(yè)預計2027年前存儲芯片價

國家知識產權局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請一項名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利，公開號CN121340789A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括：信號選擇模塊、信號處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號選擇模塊和信號處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號選擇模塊的工作狀態(tài)；當耗材接口模塊與耗材芯片接觸時，向耗材接口模塊傳輸電平信號，接收耗材接口模塊傳輸的第一信號以及信號選擇模塊傳輸的第二信號；根據第一信號和第二信號，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號選擇模

國家知識產權局信息顯示，廣東省崧盛電源技術有限公司取得一項名為“一種快速檢測VCC掉電的控制電路及開關電源”的專利，授權公告號CN223758163U，申請日期為2024年12月。專利摘要顯示，本實用新型涉及一種快速檢測VCC掉電的控制電路及開關電源，包括：供電輔助源、掉電檢測模塊以及信號處理模塊；掉電檢測模塊的檢測端與供電輔助源連接，掉電檢測模塊的輸出端與信號處理模塊的檢測端連接；供電輔助源用于產生VCC供電信號；掉電檢測模塊用于對VCC供電信號進行檢測，并輸出VCC檢測信號；信號處理模塊用于接收VCC檢測信號并基于VCC檢測信號檢測VCC供電信號的狀態(tài)。本實用新型在不需要開關管、或者比較器等檢測器件的條件下，即可實現對VCC供電信號掉電進行快速檢測，線路簡單，成本低，功耗低，且穩(wěn)定性好。

過去十年，國內工業(yè)用電環(huán)境發(fā)生了非常明顯的變化：電網波動、設備升級、電能質量要求提升，再加上節(jié)能與降碳的大背景，越來越多企業(yè)開始重新審視“電源”本身的價值。其中，變頻電源因為同時具備穩(wěn)壓、穩(wěn)頻、節(jié)能、降噪、適配復雜負載等能力，已經從傳統(tǒng)測試領域，走向更廣泛的工業(yè)與能源應用。通俗理解：普通電源輸出的是固定頻率與電壓，比如我國標準 50Hz，而變頻電源可以把輸入市電（50Hz/60Hz）變換成不同頻率、不同電壓、更純凈波形的交流電。典型技術路徑：因此它不僅是“調速工具”，更像一個電網品質優(yōu)化器 + 功率適配器。過去很多設備只要求“能通電就行”，現在則要求：幾個行業(yè)趨勢非常明顯：一家華東地區(qū)做機械加工的企業(yè)，引入變頻型電源與配套控制后，僅在空壓機與主驅動電機環(huán)節(jié)，節(jié)能效果非常明顯。改造前：改造后：

實驗室作為電力設備研發(fā)、檢測與認證的核心場所，對供電質量的要求嚴苛到“零干擾”——任何微小的局部放電（Partial Discharge, PD）或諧波污染，都可能導致調試數據失真、設備損壞甚至安全事故。無局放變頻電源（局放≤5pC）作為一種低干擾、寬范圍、高精度的專用供電設備，通過抑制局部放電與諧波污染，成為解決實驗室調試難題的關鍵技術。本文將從核心應用場景、技術優(yōu)勢、實際效益及行業(yè)案例四個維度，系統(tǒng)闡述其在實驗室調試中的作用。一、核心應用場景：覆蓋電力設備全生命周期調試需求無局放變頻電源的應用貫穿電力設備研發(fā)、型式試驗、出廠檢測全流程，具體場景如下：1. 高壓設備研發(fā)：保障絕緣性能測試精準性高壓設備（如GIS、變壓器、電纜）的絕緣性能是研發(fā)核心指標，需通過局放測試、耐壓測試、介損測試驗證

國家知識產權局信息顯示，聯正電子（深圳）有限公司申請一項名為“一種功率變換器以及包括其的不間斷電源”的專利，公開號CN121216884A，申請日期為2024年6月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種功率變換器以及包括其的不間斷電源。功率變換器包括：輸入端被配置為選擇性地連接至交流電源或者直流電源。輸出端被配置為連接至正直流母線和負直流母線。電感組件連接在輸入端與功率變換單元的第一端之間。功率變換單元的第二端連接至輸出端。功率變換單元被配置為能夠選擇性地實現AC-DC變換或者DC-DC變換。控制單元用于控制功率變換單元在第一模態(tài)與第二模態(tài)之間的直接切換，和/或第三模態(tài)與第四模態(tài)之間的直接切換，實現DC-DC變換中正半周期與負半周期之間的切換。本發(fā)明在正半周期與負半周期之間的切換過程中不會產生其他

在很多人的印象里，交流電源只是實驗室里的測試設備，用得不多、存在感不強。但這兩年，一個明顯的變化正在發(fā)生：越來越多工廠、研發(fā)中心、檢測機構開始主動配置交流電源。從電機、電控，到新能源、自動化設備，再到出口產品檢測，交流電源的使用頻率明顯提高。它正在從“輔助設備”轉變?yōu)椤盎A配置”。交流電源究竟解決了什么問題？為什么會在這么多行業(yè)同時普及？在實際工程現場，很多測試問題并不是設備本身造成的，而是供電環(huán)境不穩(wěn)定。常見情況包括：這些問題在日常用電中可能不明顯，但在測試和研發(fā)場景中影響非常大，例如：在這種情況下，單純依賴市電已經無法滿足需求。交流電源并不是“更強的市電”，而是一個可控的電網環(huán)境模擬設備。它的核心價值在于三點：通過交流電源，工程師可以人為設定供電條件，讓測試在穩(wěn)定、可復現的環(huán)境中進行，而