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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，陜西亞成微電子股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“應(yīng)用于智能低側(cè)開關(guān)芯片的可選擇升壓電路”的專利，公開號(hào)CN121508511A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種應(yīng)用于智能低側(cè)開關(guān)芯片的可選擇升壓電路，智能低側(cè)開關(guān)芯片包括引腳IN、功率管以及分別與引腳IN和功率管連接的電壓變化率控制模塊，可選擇升壓電路包括：可選擇電壓倍增模塊，其具有輸入端和輸出端，輸入端連接至智能低側(cè)開關(guān)芯片的引腳IN，輸出端連接至電壓變化率控制模塊；可選擇電壓倍增模塊，用于檢測(cè)引腳IN的輸入電壓值，并基于輸入電壓值進(jìn)行升壓控制，得到目標(biāo)電壓，并將目標(biāo)電壓輸出至功率管，以使功率管的內(nèi)阻小于預(yù)設(shè)閾值，從而顯著降低開關(guān)損耗，提高智能低側(cè)開關(guān)芯片的效率與可靠性。天眼查資料顯示，陜西亞成微電子
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H6253K寬電壓降壓恒壓芯片120V降5V 150V降5V 48V降5V DC-DC電源管理芯片 原廠直供 性價(jià)比高
目前市場(chǎng)上的100V以上的高壓DCDC電源芯片雖然種類繁多，但是電流普遍偏小，難以滿足一些大功率應(yīng)用的需求。針對(duì)這一市場(chǎng)痛點(diǎn)，我司特研發(fā)出了一款150V 2.5A的降壓恒壓芯片，該芯片不僅具有高電壓輸入能力，還具備大電流輸出的特點(diǎn)，能夠廣泛應(yīng)用于各種需要高功率、高效率、低功耗的電源轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。尤其在應(yīng)對(duì)潛在的熱拔插應(yīng)用場(chǎng)景方面有出色的表現(xiàn)。◆ 支持高耐壓150V◆ 高恒壓精度高◆ 2.5A持續(xù)大電流，低功耗◆ 高工作轉(zhuǎn)換效率，可達(dá)95%◆ 輸出電壓可調(diào)≥3.3V◆ 動(dòng)態(tài)響應(yīng)優(yōu)異，線性和負(fù)載調(diào)整良好◆ 集成軟啟動(dòng)、過流保護(hù)OCP、過熱保護(hù)OTP、短路保護(hù)SCP◆ 針對(duì)頻繁熱拔插使用場(chǎng)景有出色的表現(xiàn)
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1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個(gè)股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國(guó)際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達(dá) 14.25 億元，換手率達(dá) 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點(diǎn)亮，預(yù)計(jì)今年 6 月通線，標(biāo)志著我國(guó)在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)進(jìn)入 “超級(jí)
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安測(cè)半導(dǎo)體技術(shù)（義烏）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種電源芯片測(cè)試方法及裝置”的專利，公開號(hào)CN121324898A，申請(qǐng)日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發(fā)明屬于芯片測(cè)試（晶圓測(cè)試）領(lǐng)域，為了解決在電源芯片的測(cè)試過程中，通常需要人工連線，由于連線較多，導(dǎo)致作業(yè)效率較低，而且經(jīng)常出現(xiàn)連線錯(cuò)誤的問題，本發(fā)明提供了一種電源芯片測(cè)試方法及裝置，該裝置包括：連接單元，所述連接單元包括多個(gè)測(cè)試針，所述測(cè)試針與待測(cè)晶圓連接；探針單元，所述探針單元包括多個(gè)探針，通過探針與連接單元連接；測(cè)試電路單元，所述測(cè)試電路單元與探針單元的探針連接，用于發(fā)出測(cè)試信號(hào)；處理單元，用于根據(jù)所述測(cè)試電路單元發(fā)出的信號(hào)，對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行電壓測(cè)試。本發(fā)明中連接單元直接通過探針單元與測(cè)試電路單元連接，不再需要
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法”的專利，公開號(hào)CN121210229A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測(cè)芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測(cè)芯片端外部，與待測(cè)芯片通過管腳連接線連接，用于向待測(cè)芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)；待測(cè)芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過待測(cè)芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)，對(duì)該激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵(lì)信號(hào)，再通過AMBA總線發(fā)送至待測(cè)芯片的目標(biāo)地址模塊，以對(duì)芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測(cè)試和調(diào)試手段，可以對(duì)傳統(tǒng)調(diào)測(cè)方案進(jìn)行補(bǔ)充或替
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1月7日，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至09:58，上證指數(shù)上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%，個(gè)股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達(dá)12.90億元，換手率達(dá)2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價(jià)格飆升，三星電子與SK海力士計(jì)劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價(jià)格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機(jī)用DRAM同步漲價(jià)，NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達(dá)1800%，DDR5 16Gb漲幅達(dá)500%，行業(yè)預(yù)計(jì)2027年前存儲(chǔ)芯片價(jià)
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路”的專利，公開號(hào)CN121340789A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路。耗材芯片的升級(jí)電路包括：信號(hào)選擇模塊、信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號(hào)選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號(hào)選擇模塊和信號(hào)處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號(hào)選擇模塊的工作狀態(tài)；當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時(shí)，向耗材接口模塊傳輸電平信號(hào)，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘?hào)以及信號(hào)選擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?hào)；根據(jù)第一信號(hào)和第二信號(hào)，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號(hào)選擇模
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，江蘇信保展機(jī)電科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種高壓開關(guān)三工位操作機(jī)構(gòu)的間歇?jiǎng)幼鱾鲃?dòng)結(jié)構(gòu)”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223612299U，申請(qǐng)日期為2025年2月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開了一種高壓開關(guān)三工位操作機(jī)構(gòu)的間歇?jiǎng)幼鱾鲃?dòng)結(jié)構(gòu)，包括機(jī)殼，機(jī)殼上設(shè)置有動(dòng)力傳遞部與動(dòng)力接收部，動(dòng)力傳遞部包括撥盤，撥盤上設(shè)置有鎖止弧，撥盤的兩側(cè)均設(shè)置有輥軸；動(dòng)力接收部包括槽輪板，槽輪板上固定連接有主動(dòng)齒輪，槽輪板的側(cè)壁上開設(shè)有兩個(gè)溝槽，槽輪板的側(cè)壁上開設(shè)有三個(gè)鎖止槽，兩個(gè)溝槽的開口分布在三個(gè)鎖止槽之間，撥盤上設(shè)置有鎖止弧。本實(shí)用新型通過撥盤上的輥軸與槽輪板上的溝槽設(shè)計(jì)，使得撥盤在旋轉(zhuǎn)過程中能夠間歇性地驅(qū)動(dòng)槽輪板及其上的主動(dòng)齒輪轉(zhuǎn)動(dòng)。這種間歇傳動(dòng)方式實(shí)現(xiàn)了對(duì)隔離開關(guān)、接地開關(guān)分合閘動(dòng)作的
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市必易微電子股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“開關(guān)控制電路及其開關(guān)控制方法和反激式開關(guān)電源”的專利，公開號(hào)CN121055781A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明提出了一種開關(guān)控制電路及其開關(guān)控制方法和反激式開關(guān)電源。其中，開關(guān)控制電路包括檢測(cè)電路、模式控制電路和驅(qū)動(dòng)電路。檢測(cè)電路的輸入端用以耦接主開關(guān)管的漏極，檢測(cè)電路用于獲取表征主開關(guān)管的漏極電壓的第一獲取信號(hào)，并根據(jù)第一獲取信號(hào)采樣生成檢測(cè)信號(hào)。模式控制電路的輸入端耦接檢測(cè)電路的輸出端，模式控制電路用于比較檢測(cè)信號(hào)和第一基準(zhǔn)信號(hào)并生成模式控制信號(hào)以控制反激式開關(guān)電源的工作模式。驅(qū)動(dòng)電路的輸入端耦接模式控制電路的輸出端，驅(qū)動(dòng)電路用于生成驅(qū)動(dòng)控制信號(hào)以控制主開關(guān)管。本發(fā)明提出的一種開關(guān)控制電路及其開關(guān)控
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，庫(kù)柏愛迪生（平頂山）電子科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“用于開關(guān)柜的負(fù)荷開關(guān)和開關(guān)柜”的專利，公開號(hào)CN121460431A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及用于開關(guān)柜的負(fù)荷開關(guān)和開關(guān)柜。負(fù)荷開關(guān)包括：支架；三工位開關(guān)，包括：固設(shè)于所述支架的第一靜觸頭和接地靜觸頭；以及可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)于所述支架的第一動(dòng)觸頭，其中所述第一動(dòng)觸頭具有與所述第一靜觸頭接合的合閘位置、與所述接地靜觸頭接合的接地位置，以及在所述第一靜觸頭與所述接地靜觸頭之間的隔離位置；真空滅弧室，并聯(lián)于所述三工位開關(guān)，并包括：外殼：設(shè)于所述外殼內(nèi)的第二靜觸頭和第二動(dòng)觸頭，其中所述第二動(dòng)觸頭連接有伸出所述外殼的動(dòng)導(dǎo)電桿；第一屏蔽件，以與所述動(dòng)導(dǎo)電桿等電位的方式布置在所述外殼附近，所述第一屏蔽件具有供所述第
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