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1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個(gè)股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國(guó)際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門(mén) ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤(pán)中成交額達(dá) 14.25 億元，換手率達(dá) 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點(diǎn)亮，預(yù)計(jì)今年 6 月通線，標(biāo)志著我國(guó)在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)進(jìn)入 “超級(jí)
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安測(cè)半導(dǎo)體技術(shù)（義烏）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種電源芯片測(cè)試方法及裝置”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121324898A，申請(qǐng)日期為2025年11月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明屬于芯片測(cè)試（晶圓測(cè)試）領(lǐng)域，為了解決在電源芯片的測(cè)試過(guò)程中，通常需要人工連線，由于連線較多，導(dǎo)致作業(yè)效率較低，而且經(jīng)常出現(xiàn)連線錯(cuò)誤的問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種電源芯片測(cè)試方法及裝置，該裝置包括：連接單元，所述連接單元包括多個(gè)測(cè)試針，所述測(cè)試針與待測(cè)晶圓連接；探針單元，所述探針單元包括多個(gè)探針，通過(guò)探針與連接單元連接；測(cè)試電路單元，所述測(cè)試電路單元與探針單元的探針連接，用于發(fā)出測(cè)試信號(hào)；處理單元，用于根據(jù)所述測(cè)試電路單元發(fā)出的信號(hào)，對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行電壓測(cè)試。本發(fā)明中連接單元直接通過(guò)探針單元與測(cè)試電路單元連接，不再需要
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121210229A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法，涉及芯片開(kāi)發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測(cè)芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測(cè)芯片端外部，與待測(cè)芯片通過(guò)管腳連接線連接，用于向待測(cè)芯片發(fā)送不同類(lèi)型的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)；待測(cè)芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過(guò)待測(cè)芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)，對(duì)該激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵(lì)信號(hào)，再通過(guò)AMBA總線發(fā)送至待測(cè)芯片的目標(biāo)地址模塊，以對(duì)芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測(cè)試和調(diào)試手段，可以對(duì)傳統(tǒng)調(diào)測(cè)方案進(jìn)行補(bǔ)充或替
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1月7日，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至09:58，上證指數(shù)上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%，個(gè)股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門(mén)ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤(pán)中成交額達(dá)12.90億元，換手率達(dá)2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價(jià)格飆升，三星電子與SK海力士計(jì)劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價(jià)格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機(jī)用DRAM同步漲價(jià)，NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達(dá)1800%，DDR5 16Gb漲幅達(dá)500%，行業(yè)預(yù)計(jì)2027年前存儲(chǔ)芯片價(jià)
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121340789A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)了一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路。耗材芯片的升級(jí)電路包括：信號(hào)選擇模塊、信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號(hào)選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號(hào)選擇模塊和信號(hào)處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號(hào)選擇模塊的工作狀態(tài)；當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時(shí)，向耗材接口模塊傳輸電平信號(hào)，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘?hào)以及信號(hào)選擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?hào)；根據(jù)第一信號(hào)和第二信號(hào)，確定耗材芯片的狀態(tài)和類(lèi)型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類(lèi)型，控制信號(hào)選擇模
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在現(xiàn)代電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，復(fù)位電路作為系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵保障，EY410-46CDEC短按輸出1.6秒脈沖復(fù)位芯片以其精準(zhǔn)的時(shí)序控制和超低功耗特性，成為消費(fèi)電子、智能家居及便攜式設(shè)備的理想選擇。這款采用SOT23-6封裝的微型芯片，通過(guò)輕觸開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)了雙路輸出的智能復(fù)位功能，其技術(shù)細(xì)節(jié)和應(yīng)用價(jià)值值得深入探討。一、核心功能與工作邏輯EY410-46CDEC的設(shè)計(jì)遵循嚴(yán)格的時(shí)序控制邏輯。上電初始化時(shí)，Out1默認(rèn)輸出低電平（0V），Out2保持高電平（VDD），這種狀態(tài)為后續(xù)復(fù)位操作提供明確的基準(zhǔn)點(diǎn)。當(dāng)用戶短按Key觸發(fā)開(kāi)關(guān)時(shí)，芯片內(nèi)部計(jì)時(shí)器立即啟動(dòng)1.6秒的精確延時(shí)：Out1從低電平跳變?yōu)楦唠娖矫}沖Out2同步輸出反相的低電平脈沖脈沖結(jié)束后自動(dòng)恢復(fù)初始狀態(tài)值得注意的是，芯片具備"觸發(fā)鎖定"機(jī)制——在1
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海翃視科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法及硅基液晶芯片”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121034243A，申請(qǐng)日期為2025年8月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明揭示了一種硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法及硅基液晶芯片，所述硅基液晶芯片包括一像素矩陣，所述像素矩陣具多行多列像素組成，所述硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法通過(guò)行信號(hào)以行為單位對(duì)像素矩陣進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，并且所述硅基液晶芯片包括一列選復(fù)用電路，所述列選復(fù)用電路包括多個(gè)選擇開(kāi)關(guān)，每一選擇開(kāi)關(guān)與所述像素矩陣的每一列對(duì)應(yīng)，通過(guò)控制上述列選復(fù)用電路的多個(gè)選擇開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通順序而驅(qū)動(dòng)所述像素矩陣對(duì)應(yīng)的列，其中所述列選復(fù)用電路采用輪轉(zhuǎn)方式控制所述多個(gè)選擇開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通順序。天眼查資料顯示，上海翃視科技有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家
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SOT23-6電子開(kāi)關(guān)芯片EH3808長(zhǎng)按3秒延時(shí)六角開(kāi)關(guān)電源芯片超低功耗
在現(xiàn)代電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)中，低功耗、高可靠性的電源管理方案始終是工程師關(guān)注的核心問(wèn)題。EH3808-519E-2921長(zhǎng)按3秒開(kāi)關(guān)機(jī)芯片憑借其獨(dú)特的性能優(yōu)勢(shì)，正逐漸成為機(jī)器人、智能穿戴、AI玩具等領(lǐng)域的理想選擇。這款采用SOT23-6封裝的微型芯片，以?xún)H5uA的超低靜態(tài)電流和寬電壓工作范圍，重新定義了便攜式設(shè)備的電源管理標(biāo)準(zhǔn)。一、突破性的功能設(shè)計(jì)該芯片的核心功能體現(xiàn)在其智能化的電平控制邏輯上。在初始上電狀態(tài)下，OUTH端口保持低電平（0V），OUTL端口維持高電平（VDD），此時(shí)系統(tǒng)處于完全斷電模式。當(dāng)用戶長(zhǎng)按輕觸開(kāi)關(guān)達(dá)到3秒臨界值時(shí)，芯片內(nèi)部邏輯電路會(huì)觸發(fā)狀態(tài)翻轉(zhuǎn)：OUTH躍升至VDD高電平，OUTL則降為0V低電平，這種明確的電平變化可直接驅(qū)動(dòng)MOS管或三極管，實(shí)現(xiàn)主控系統(tǒng)的軟啟動(dòng)。值得注意的
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24小時(shí)循環(huán)定時(shí)器芯片方案EC241209延時(shí)開(kāi)關(guān)IC6-18定時(shí)芯片
EC241209-169D-9237是一款專(zhuān)為L(zhǎng)ED照明設(shè)備設(shè)計(jì)的6開(kāi)18關(guān)循環(huán)定時(shí)芯片，以其高效、穩(wěn)定的性能在蠟燭燈和LED燈串等應(yīng)用中廣受歡迎。該芯片采用SOT23-6小封裝，體積小巧，便于集成到各種緊湊型照明設(shè)備中。其核心功能是上電后自動(dòng)進(jìn)入6小時(shí)開(kāi)啟、18小時(shí)關(guān)閉的24小時(shí)循環(huán)工作模式，三路LED同步輸出電平信號(hào)常亮，為照明設(shè)備提供可靠的定時(shí)控制。在電氣參數(shù)方面，EC241209-169D-9237的工作電壓范圍為2.4V至5V，典型工作電壓為5V時(shí)，工作電流僅為0.5mA，顯示出優(yōu)異的低功耗特性。其驅(qū)動(dòng)電流分為兩檔，分別為30mA和20mA，能夠滿足不同LED負(fù)載的需求。工作溫度范圍為-10℃至+60℃，儲(chǔ)存溫度范圍為-20℃至+100℃，確保了芯片在各類(lèi)環(huán)境條件下的穩(wěn)定性和可靠性
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州明義微電子技術(shù)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“GaN芯片的多柵極分布式驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)及開(kāi)關(guān)電路單元”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121461958A，申請(qǐng)日期為2025年12月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了一種GaN芯片的多柵極分布式驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)及開(kāi)關(guān)電路單元。該GaN芯片的多柵極分布式驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu)包括GaN HEMT模塊及與所述GaN HEMT模塊連接的驅(qū)動(dòng)模塊，GaN HEMT模塊具有多個(gè)柵極，并且多個(gè)柵極沿平行于GaN HEMT模塊表面的方向間隔分布，其中每一柵極分別與驅(qū)動(dòng)模塊電連接。通過(guò)多個(gè)柵極可以使GaN HEMT模塊的近端、遠(yuǎn)端同時(shí)接收到驅(qū)動(dòng)信號(hào)，有效降低傳輸時(shí)延，從而顯著提高了芯片開(kāi)關(guān)速度，降低了開(kāi)關(guān)損耗。天眼查資料顯示，蘇州明義微電子技術(shù)有限公司，成立于2022年，位于蘇州市，是一家
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