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ADP197 是一款高邊 NMOS 負(fù)載開關(guān)，由一個內(nèi)部電荷泵控制。ADP197 設(shè)計用于在 1.8V 至 5.5V 的電源電壓范圍內(nèi)工作。選型→zywbic內(nèi)部電荷泵為 NMOS 開關(guān)提供偏置，使其在整個輸入電壓范圍內(nèi)保持相對恒定且極低的導(dǎo)通電阻（12 mΩ）。內(nèi)部電荷泵的使用還使得開關(guān)的開啟時間可控。NMOS 開關(guān)的開啟與關(guān)閉由使能輸入引腳（EN）控制，該引腳可直接與 1.8V 邏輯信號接口。只要芯片溫度 T 小于 70°C，ADP197 可支持 3A 的持續(xù)工作電流。在 85°C 時，額定電流降至 2.22A。如果負(fù)載電流導(dǎo)致結(jié)溫超過 125°C，過溫保護(hù)電路將被激活。此時，過溫保護(hù)電路將關(guān)閉輸出，直到結(jié)溫降至約 110°C，輸出才會重新啟用。如果故障條件持續(xù)存在，輸出將循環(huán)關(guān)閉和開啟

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，維沃移動通信有限公司申請一項名為“芯片及芯片控制方法”的專利，公開號CN121261685A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本申請公開了一種芯片及芯片控制方法，該芯片包括：第一開關(guān)，第一開關(guān)的第一端與芯片的輸入端電連接，第一開關(guān)的第二端與芯片的輸出端電連接；第二開關(guān)，上述第二開關(guān)的第一端與輸入端電連接，第二開關(guān)的第二端與芯片的接地平面連接；N個節(jié)點電容，每個節(jié)點電容包括相互串聯(lián)的切換開關(guān)和電容，各個節(jié)點電容、以及第二開關(guān)之間并聯(lián)；控制器，控制器與各個切換開關(guān)的控制端電連接，初始狀態(tài)下，控制器控制各個切換開關(guān)斷開，在第一開關(guān)的第一端的第一電壓信號與第二開關(guān)的第一端的第二電壓信號之間的差值高于預(yù)設(shè)閾值的情況下，控制器控制目標(biāo)切換開關(guān)導(dǎo)通。天眼查資料顯示，維沃移動

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，濟(jì)南晶碩電子有限公司取得一項名為“一種芯片厚度檢測裝置”的專利，授權(quán)公告號CN223755989U，申請日期為2025年3月。專利摘要顯示，本申請涉及芯片厚度檢測設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片厚度檢測裝置，包括承載座、芯片上下移動裝置、對射式光電開關(guān)以及控制裝置，承載座兩側(cè)上方固定設(shè)有側(cè)梁；芯片上下移動裝置用于承載芯片和控制芯片上下移動；對射式光電開關(guān)對稱設(shè)于芯片上下移動裝置兩側(cè)的側(cè)梁上；控制裝置與對射式光電開關(guān)和芯片上下移動裝置電連接，用于根據(jù)芯片上下移動裝置移動的距離計算出芯片厚度。本申請的芯片厚度檢測裝置不需要測厚儀，利用高精度直線電機(jī)配合高分辨率的對射式光電開關(guān)或者激光對射式傳感器完成芯片的厚度檢測。天眼查資料顯示，濟(jì)南晶碩電子有限公司，成立于2013年，位于

EH5907-04C4-B431 按鍵切換開關(guān)芯片一、 功能說明上電不工作，2個按鍵輸入控制四路輸出。短按Key1依次為：Led1亮-Led2亮-Led3亮-關(guān)閉，循環(huán)。短按Key2：Led4亮-關(guān)閉，循環(huán)。2個按鍵單獨控制，互不干擾。二、 極限參數(shù)Supply voltage（VDD）……………….…….- 0.3V ~ 6.0VInput in voltage (Vin)…………………..……..-0.3V~VDD+0.3V Operating ambient temperature（Topr）……-10°C ~ 70°C Storage ambient temperature（Tstor） ……-20°C ~100°C三、 電氣參數(shù)（VDD=5.0V，VSS=0,TA=25℃）工作電壓

目前市場上的100V以上的高壓DCDC電源芯片雖然種類繁多，但是電流普遍偏小，難以滿足一些大功率應(yīng)用的需求。針對這一市場痛點，我司特研發(fā)出了一款150V 2.5A的降壓恒壓芯片，該芯片不僅具有高電壓輸入能力，還具備大電流輸出的特點，能夠廣泛應(yīng)用于各種需要高功率、高效率、低功耗的電源轉(zhuǎn)換的場景。尤其在應(yīng)對潛在的熱拔插應(yīng)用場景方面有出色的表現(xiàn)。◆ 支持高耐壓150V◆ 高恒壓精度高◆ 2.5A持續(xù)大電流，低功耗◆ 高工作轉(zhuǎn)換效率，可達(dá)95%◆ 輸出電壓可調(diào)≥3.3V◆ 動態(tài)響應(yīng)優(yōu)異，線性和負(fù)載調(diào)整良好◆ 集成軟啟動、過流保護(hù)OCP、過熱保護(hù)OTP、短路保護(hù)SCP◆ 針對頻繁熱拔插使用場景有出色的表現(xiàn)

1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達(dá) 14.25 億元，換手率達(dá) 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點亮，預(yù)計今年 6 月通線，標(biāo)志著我國在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲芯片市場進(jìn)入 “超級

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安測半導(dǎo)體技術(shù)（義烏）有限公司申請一項名為“一種電源芯片測試方法及裝置”的專利，公開號CN121324898A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發(fā)明屬于芯片測試（晶圓測試）領(lǐng)域，為了解決在電源芯片的測試過程中，通常需要人工連線，由于連線較多，導(dǎo)致作業(yè)效率較低，而且經(jīng)常出現(xiàn)連線錯誤的問題，本發(fā)明提供了一種電源芯片測試方法及裝置，該裝置包括：連接單元，所述連接單元包括多個測試針，所述測試針與待測晶圓連接；探針單元，所述探針單元包括多個探針，通過探針與連接單元連接；測試電路單元，所述測試電路單元與探針單元的探針連接，用于發(fā)出測試信號；處理單元，用于根據(jù)所述測試電路單元發(fā)出的信號，對待測晶圓進(jìn)行電壓測試。本發(fā)明中連接單元直接通過探針單元與測試電路單元連接，不再需要

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項名為“芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵信號；待測芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵信號，對該激勵信號進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵信號，再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標(biāo)地址模塊，以對芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段，可以對傳統(tǒng)調(diào)測方案進(jìn)行補充或替

1月7日，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至09:58，上證指數(shù)上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%，個股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達(dá)12.90億元，換手率達(dá)2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價格飆升，三星電子與SK海力士計劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機(jī)用DRAM同步漲價，NAND Flash合約價預(yù)計持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達(dá)1800%，DDR5 16Gb漲幅達(dá)500%，行業(yè)預(yù)計2027年前存儲芯片價