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國家知識產(chǎn)權局信息顯示,南京立羽自動化科技有限公司申請一項名為“一種GIS高壓開關裝配用性能檢測設備”的專利,公開號CN121253065A,申請日期為2025年10月。專利摘要顯示,本發(fā)明匯開了一種GIS高壓開關裝配用性能檢測設備,屬于氣密性檢測設備技術領域,包括高壓開關本體和檢測器,所述檢測器包括保護殼,所述檢測器連接在高壓開關本體的快接進氣接口上。本發(fā)明使用時,開啟檢測氣源閥門此時檢測氣源會通過傳輸管道流入到觸發(fā)頭內(nèi),進而解除對觸發(fā)通道封堵,此時標記氣體便會通過觸發(fā)通道流入到第一導氣通道內(nèi)然后進入到初步混合室內(nèi),而此時檢測氣源也會流入初步混合室內(nèi),標記氣體和檢測氣源會進行初步混合,然后再進入混合管內(nèi)進行深度混合,最后輸送至高壓開關本體內(nèi),等待幾分鐘后用紫外線燈光照射高壓開關本體的周圍,
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國家知識產(chǎn)權局信息顯示,深圳市博源電子有限公司申請一項名為“一種消費類開關電源AC過壓保護方法與系統(tǒng)”的專利,公開號CN121036509A,申請日期為2025年9月。專利摘要顯示,本發(fā)明涉及開關電源技術領域,尤其涉及一種消費類開關電源AC過壓保護方法與系統(tǒng)。一種消費類開關電源AC過壓保護方法,包括:獲取實時監(jiān)測數(shù)據(jù),從電源系統(tǒng)傳感器中提取當前AC輸入電壓值與大電容的剩余電量數(shù)據(jù),通過電壓檢測模塊判斷電壓是否超過預設的AC過壓保護閾值,得到過壓觸發(fā)信號;針對放電級別序列,從控制單元向放電電路發(fā)送分級指令,通過調節(jié)放電電阻網(wǎng)絡的導通狀態(tài)實現(xiàn)多級放電,在每一級放電時監(jiān)測大電容的電壓下降趨勢,得到實時電壓變化數(shù)據(jù);在放電完成后,從電網(wǎng)監(jiān)測模塊獲取電網(wǎng)恢復信號,通過分析電網(wǎng)電壓的穩(wěn)定程度與頻率特性,
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芯片網(wǎng)推出專業(yè) DECAP 半導體分析服務,覆蓋 SoC 與功率器件開蓋解析
當前先進制程 SoC、功率器件與高集成電源芯片持續(xù)迭代,也有很多人在關注芯片內(nèi)部的結構,就前不久小米爆火的玄戒O1來說,在發(fā)布不久后就有很多人關注這款芯片的內(nèi)部結構,從驗證自研真實性、梳理關鍵 IP 結構,到還原電源/功率路徑、定位可靠性風險,越來越多的工程判斷需要落到芯片本體與封裝內(nèi)部結構層面。基于此,芯片網(wǎng)正式上線 DECAP 半導體分析服務,聚焦芯片市場與功率器件兩大市場,補齊從芯片封裝開蓋、芯粒顯微觀察到關鍵器件結構解析的專業(yè)能力,為產(chǎn)業(yè)提供更具工程指向的樣品級分析與內(nèi)容化交付支持。在介紹業(yè)務之前,先來簡單了解一下什么是 DECAP?DECAP 常指對已封裝IC或半導體器件進行局部開蓋/去膠處理,完整暴露內(nèi)部的晶粒、邦定線和焊盤,在盡量不破壞內(nèi)部結構的前提下,為后續(xù)目檢、結構識別、失
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國家知識產(chǎn)權局信息顯示,成都智融微電子有限公司申請一項名為“開關電源系統(tǒng)的控制方法、裝置和開關電源系統(tǒng)”的專利,公開號CN121417635A,申請日期為2024年7月。專利摘要顯示,本申請公開了一種開關電源系統(tǒng)的控制方法、裝置和開關電源系統(tǒng),屬于開關電源技術領域。所述開關電源系統(tǒng)的控制方法包括:獲取開關電源系統(tǒng)在當前開關周期對應的反饋電壓信號;在當前開關周期的反饋電壓信號較上一個開關周期的反饋電壓信號減小或不變的情況下,基于當前開關周期的反饋電壓信號生成第一頻率控制信號,并基于第一頻率控制信號、目標方波信號和第一脈沖信號,調節(jié)功率管的導通谷底數(shù);在當前開關周期的反饋電壓信號較當前開關周期的上一個開關周期的反饋電壓信號增大的情況下,基于當前開關周期下的反饋電壓信號生成第二頻率控制信號,并基于
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國家知識產(chǎn)權局信息顯示,杰華特微電子股份有限公司申請一項名為“開關電源的控制方法、控制電路及開關電源”的專利,公開號CN121485428A,申請日期為2025年4月。專利摘要顯示,本發(fā)明公開了一種開關電源的控制方法、控制電路及開關電源,所述開關電源包括第一開關管和第二開關管,所述第一開關管作為所述開關電源的主開關管,所述第二開關管與所述第一開關管交替導通,根據(jù)第一抖動信號控制所述第一開關管的關斷,以使得電感電流峰值隨時間抖動;根據(jù)第二抖動信號控制所述第二開關管的關斷,以使得電感電流負向峰值至少在部分時間段內(nèi)隨時間抖動,其中,當所述電感電流負向峰值隨時間抖動時,所述電感電流負向峰值的抖動方向與所述電感電流峰值的抖動方向相反,以減小輸出功率波動。能夠優(yōu)化EMI特性的同時,減小輸出電壓紋波。天眼
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高壓放大器在半導體測試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色,它將測試設備產(chǎn)生的微弱控制信號精準放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓,以滿足各種嚴苛的測試條件。下面將詳細介紹它在幾個關鍵測試場景中的具體作用以及需求。介電擊穿測試:對芯片的絕緣層施加從低到高(可達±20kV)的直流或掃描電壓,分析其絕緣失效的臨界點。需求:高輸出電壓、低噪聲(<100μVrms)、精確的電壓控制。芯片老化測試(如功率器件):施加高于正常工作電壓的應力,加速芯片老化,以評估其長期可靠性。需求:高電壓/電流輸出、長期穩(wěn)定性、良好的過溫與過流保護機制。壓電陶瓷驅動(MEMS傳感器):驅動微機電系統(tǒng)中的壓電元件,實現(xiàn)精密運動或傳感。需求:能夠驅動容性負載、高輸出電流(峰值可達百mA級)、四象限輸出。晶體管參數(shù)測試:為
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H6253K寬電壓降壓恒壓芯片120V降5V 150V降5V 48V降5V DC-DC電源管理芯片 原廠直供 性價比高
目前市場上的100V以上的高壓DCDC電源芯片雖然種類繁多,但是電流普遍偏小,難以滿足一些大功率應用的需求。針對這一市場痛點,我司特研發(fā)出了一款150V 2.5A的降壓恒壓芯片,該芯片不僅具有高電壓輸入能力,還具備大電流輸出的特點,能夠廣泛應用于各種需要高功率、高效率、低功耗的電源轉換的場景。尤其在應對潛在的熱拔插應用場景方面有出色的表現(xiàn)。◆ 支持高耐壓150V◆ 高恒壓精度高◆ 2.5A持續(xù)大電流,低功耗◆ 高工作轉換效率,可達95%◆ 輸出電壓可調≥3.3V◆ 動態(tài)響應優(yōu)異,線性和負載調整良好◆ 集成軟啟動、過流保護OCP、過熱保護OTP、短路保護SCP◆ 針對頻繁熱拔插使用場景有出色的表現(xiàn)
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1月8日消息,據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示,截至 10:02,上證指數(shù)上漲 0.04%,科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%,個股方面,海光信息漲超 13%,芯原股份漲超 7%,寒武紀 - U 漲超 5%,華虹公司漲超 4%,晶晨股份、中芯國際等漲超 3%,滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%,華海清科漲超 1%,中微公司跟漲。熱門 ETF 方面,科創(chuàng)芯片 ETF(588200)漲 3.01%,盤中成交額達 14.25 億元,換手率達 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示,該基金近 6 月漲 70.55%,近 1 年漲 78.20%。消息面上,國內(nèi)半導體技術取得重大突破,首條二維半導體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點亮,預計今年 6 月通線,標志著我國在新一代芯片材料領域邁出關鍵一步;全球存儲芯片市場進入 “超級
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國家知識產(chǎn)權局信息顯示,安測半導體技術(義烏)有限公司申請一項名為“一種電源芯片測試方法及裝置”的專利,公開號CN121324898A,申請日期為2025年11月。專利摘要顯示,本發(fā)明屬于芯片測試(晶圓測試)領域,為了解決在電源芯片的測試過程中,通常需要人工連線,由于連線較多,導致作業(yè)效率較低,而且經(jīng)常出現(xiàn)連線錯誤的問題,本發(fā)明提供了一種電源芯片測試方法及裝置,該裝置包括:連接單元,所述連接單元包括多個測試針,所述測試針與待測晶圓連接;探針單元,所述探針單元包括多個探針,通過探針與連接單元連接;測試電路單元,所述測試電路單元與探針單元的探針連接,用于發(fā)出測試信號;處理單元,用于根據(jù)所述測試電路單元發(fā)出的信號,對待測晶圓進行電壓測試。本發(fā)明中連接單元直接通過探針單元與測試電路單元連接,不再需要
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國家知識產(chǎn)權局信息顯示,眸芯科技(上海)有限公司申請一項名為“芯片調測系統(tǒng)及方法”的專利,公開號CN121210229A,申請日期為2025年9月。專利摘要顯示,本發(fā)明公開了芯片調測系統(tǒng)及方法,涉及芯片開發(fā)技術領域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設接口發(fā)送裝置,外設接口發(fā)送裝置設置在待測芯片端外部,與待測芯片通過管腳連接線連接,用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵信號;待測芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉換裝置,其被配置為:通過待測芯片封裝的管腳,接收外設接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵信號,對該激勵信號進行解析、轉換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵信號,再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標地址模塊,以對芯片的目標模塊寄存器進行訪問。本發(fā)明改進了芯片回片階段的測試和調試手段,可以對傳統(tǒng)調測方案進行補充或替
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