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目前市場(chǎng)上的100V以上的高壓DCDC電源芯片雖然種類繁多，但是電流普遍偏小，難以滿足一些大功率應(yīng)用的需求。針對(duì)這一市場(chǎng)痛點(diǎn)，我司特研發(fā)出了一款150V 2.5A的降壓恒壓芯片，該芯片不僅具有高電壓輸入能力，還具備大電流輸出的特點(diǎn)，能夠廣泛應(yīng)用于各種需要高功率、高效率、低功耗的電源轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。尤其在應(yīng)對(duì)潛在的熱拔插應(yīng)用場(chǎng)景方面有出色的表現(xiàn)。◆ 支持高耐壓150V◆ 高恒壓精度高◆ 2.5A持續(xù)大電流，低功耗◆ 高工作轉(zhuǎn)換效率，可達(dá)95%◆ 輸出電壓可調(diào)≥3.3V◆ 動(dòng)態(tài)響應(yīng)優(yōu)異，線性和負(fù)載調(diào)整良好◆ 集成軟啟動(dòng)、過流保護(hù)OCP、過熱保護(hù)OTP、短路保護(hù)SCP◆ 針對(duì)頻繁熱拔插使用場(chǎng)景有出色的表現(xiàn)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，維沃移動(dòng)通信有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“芯片及芯片控制方法”的專利，公開號(hào)CN121261685A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示，本申請(qǐng)公開了一種芯片及芯片控制方法，該芯片包括：第一開關(guān)，第一開關(guān)的第一端與芯片的輸入端電連接，第一開關(guān)的第二端與芯片的輸出端電連接；第二開關(guān)，上述第二開關(guān)的第一端與輸入端電連接，第二開關(guān)的第二端與芯片的接地平面連接；N個(gè)節(jié)點(diǎn)電容，每個(gè)節(jié)點(diǎn)電容包括相互串聯(lián)的切換開關(guān)和電容，各個(gè)節(jié)點(diǎn)電容、以及第二開關(guān)之間并聯(lián)；控制器，控制器與各個(gè)切換開關(guān)的控制端電連接，初始狀態(tài)下，控制器控制各個(gè)切換開關(guān)斷開，在第一開關(guān)的第一端的第一電壓信號(hào)與第二開關(guān)的第一端的第二電壓信號(hào)之間的差值高于預(yù)設(shè)閾值的情況下，控制器控制目標(biāo)切換開關(guān)導(dǎo)通。天眼查資料顯示，維沃移動(dòng)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，濟(jì)南晶碩電子有限公司取得一項(xiàng)名為“一種芯片厚度檢測(cè)裝置”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223755989U，申請(qǐng)日期為2025年3月。專利摘要顯示，本申請(qǐng)涉及芯片厚度檢測(cè)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片厚度檢測(cè)裝置，包括承載座、芯片上下移動(dòng)裝置、對(duì)射式光電開關(guān)以及控制裝置，承載座兩側(cè)上方固定設(shè)有側(cè)梁；芯片上下移動(dòng)裝置用于承載芯片和控制芯片上下移動(dòng)；對(duì)射式光電開關(guān)對(duì)稱設(shè)于芯片上下移動(dòng)裝置兩側(cè)的側(cè)梁上；控制裝置與對(duì)射式光電開關(guān)和芯片上下移動(dòng)裝置電連接，用于根據(jù)芯片上下移動(dòng)裝置移動(dòng)的距離計(jì)算出芯片厚度。本申請(qǐng)的芯片厚度檢測(cè)裝置不需要測(cè)厚儀，利用高精度直線電機(jī)配合高分辨率的對(duì)射式光電開關(guān)或者激光對(duì)射式傳感器完成芯片的厚度檢測(cè)。天眼查資料顯示，濟(jì)南晶碩電子有限公司，成立于2013年，位于

EH5907-04C4-B431 按鍵切換開關(guān)芯片一、 功能說明上電不工作，2個(gè)按鍵輸入控制四路輸出。短按Key1依次為：Led1亮-Led2亮-Led3亮-關(guān)閉，循環(huán)。短按Key2：Led4亮-關(guān)閉，循環(huán)。2個(gè)按鍵單獨(dú)控制，互不干擾。二、 極限參數(shù)Supply voltage（VDD）……………….…….- 0.3V ~ 6.0VInput in voltage (Vin)…………………..……..-0.3V~VDD+0.3V Operating ambient temperature（Topr）……-10°C ~ 70°C Storage ambient temperature（Tstor） ……-20°C ~100°C三、 電氣參數(shù)（VDD=5.0V，VSS=0,TA=25℃）工作電壓

1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個(gè)股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國(guó)際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達(dá) 14.25 億元，換手率達(dá) 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點(diǎn)亮，預(yù)計(jì)今年 6 月通線，標(biāo)志著我國(guó)在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)進(jìn)入 “超級(jí)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，安測(cè)半導(dǎo)體技術(shù)（義烏）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種電源芯片測(cè)試方法及裝置”的專利，公開號(hào)CN121324898A，申請(qǐng)日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發(fā)明屬于芯片測(cè)試（晶圓測(cè)試）領(lǐng)域，為了解決在電源芯片的測(cè)試過程中，通常需要人工連線，由于連線較多，導(dǎo)致作業(yè)效率較低，而且經(jīng)常出現(xiàn)連線錯(cuò)誤的問題，本發(fā)明提供了一種電源芯片測(cè)試方法及裝置，該裝置包括：連接單元，所述連接單元包括多個(gè)測(cè)試針，所述測(cè)試針與待測(cè)晶圓連接；探針單元，所述探針單元包括多個(gè)探針，通過探針與連接單元連接；測(cè)試電路單元，所述測(cè)試電路單元與探針單元的探針連接，用于發(fā)出測(cè)試信號(hào)；處理單元，用于根據(jù)所述測(cè)試電路單元發(fā)出的信號(hào)，對(duì)待測(cè)晶圓進(jìn)行電壓測(cè)試。本發(fā)明中連接單元直接通過探針單元與測(cè)試電路單元連接，不再需要

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法”的專利，公開號(hào)CN121210229A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明公開了芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法，涉及芯片開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測(cè)芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置，外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測(cè)芯片端外部，與待測(cè)芯片通過管腳連接線連接，用于向待測(cè)芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)；待測(cè)芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置，其被配置為：通過待測(cè)芯片封裝的管腳，接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào)，對(duì)該激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵(lì)信號(hào)，再通過AMBA總線發(fā)送至待測(cè)芯片的目標(biāo)地址模塊，以對(duì)芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測(cè)試和調(diào)試手段，可以對(duì)傳統(tǒng)調(diào)測(cè)方案進(jìn)行補(bǔ)充或替

1月7日，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至09:58，上證指數(shù)上漲0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%，個(gè)股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達(dá)12.90億元，換手率達(dá)2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價(jià)格飆升，三星電子與SK海力士計(jì)劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價(jià)格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機(jī)用DRAM同步漲價(jià)，NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)持續(xù)上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達(dá)1800%，DDR5 16Gb漲幅達(dá)500%，行業(yè)預(yù)計(jì)2027年前存儲(chǔ)芯片價(jià)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路”的專利，公開號(hào)CN121340789A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例公開了一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路。耗材芯片的升級(jí)電路包括：信號(hào)選擇模塊、信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號(hào)選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號(hào)選擇模塊和信號(hào)處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執(zhí)行，方法包括：控制信號(hào)選擇模塊的工作狀態(tài)；當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時(shí)，向耗材接口模塊傳輸電平信號(hào)，接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘?hào)以及信號(hào)選擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?hào)；根據(jù)第一信號(hào)和第二信號(hào)，確定耗材芯片的狀態(tài)和類型；根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型，控制信號(hào)選擇模