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1月8日消息，據上交所數據顯示，截至 10:02，上證指數上漲 0.04%，科創芯片指數上漲 2.93%，個股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀 - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產業漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達 14.25 億元，換手率達 3.30%。天天基金網數據顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內半導體技術取得重大突破，首條二維半導體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點亮，預計今年 6 月通線，標志著我國在新一代芯片材料領域邁出關鍵一步；全球存儲芯片市場進入 “超級
查看 >>2026-05-07
國家知識產權局信息顯示，安測半導體技術（義烏）有限公司申請一項名為“一種電源芯片測試方法及裝置”的專利，公開號CN121324898A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發明屬于芯片測試（晶圓測試）領域，為了解決在電源芯片的測試過程中，通常需要人工連線，由于連線較多，導致作業效率較低，而且經常出現連線錯誤的問題，本發明提供了一種電源芯片測試方法及裝置，該裝置包括：連接單元，所述連接單元包括多個測試針，所述測試針與待測晶圓連接；探針單元，所述探針單元包括多個探針，通過探針與連接單元連接；測試電路單元，所述測試電路單元與探針單元的探針連接，用于發出測試信號；處理單元，用于根據所述測試電路單元發出的信號，對待測晶圓進行電壓測試。本發明中連接單元直接通過探針單元與測試電路單元連接，不再需要
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國家知識產權局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項名為“芯片調測系統及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發明公開了芯片調測系統及方法，涉及芯片開發技術領域。所述系統包括待測芯片端和外設接口發送裝置，外設接口發送裝置設置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發送不同類型的低速協議激勵信號；待測芯片的內部嵌入有協議轉換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設接口發送裝置發送的低速協議激勵信號，對該激勵信號進行解析、轉換后得到AMBA總線協議的激勵信號，再通過AMBA總線發送至待測芯片的目標地址模塊，以對芯片的目標模塊寄存器進行訪問。本發明改進了芯片回片階段的測試和調試手段，可以對傳統調測方案進行補充或替
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1月7日，據上交所數據顯示，截至09:58，上證指數上漲0.14%，科創芯片指數上漲2.13%，個股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產業漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達12.90億元，換手率達2.99%。天天基金網數據顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲芯片供應持續緊張、價格飆升，三星電子與SK海力士計劃2026年第一季度將服務器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機用DRAM同步漲價，NAND Flash合約價預計持續上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達1800%，DDR5 16Gb漲幅達500%，行業預計2027年前存儲芯片價
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國家知識產權局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請一項名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利，公開號CN121340789A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發明實施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括：信號選擇模塊、信號處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號選擇模塊和信號處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執行，方法包括：控制信號選擇模塊的工作狀態；當耗材接口模塊與耗材芯片接觸時，向耗材接口模塊傳輸電平信號，接收耗材接口模塊傳輸的第一信號以及信號選擇模塊傳輸的第二信號；根據第一信號和第二信號，確定耗材芯片的狀態和類型；根據耗材芯片的狀態和類型，控制信號選擇模
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經典一鍵開關機電路SOP-8單按鍵長按1秒延時芯片國產復位芯片方案
EH2916-B8E6 AR開關芯片一. 功能說明供電方式：DC2.4-5.0V輸入。兩路輸入控制一路輸出。上電OUT為低電平，KEY鍵：長按1秒開機，OUT輸出0.5S高電平，同時7腳KILL開始進入檢測狀態，如果在OUT輸出的0.5S時間內有高電平輸入到7腳KILL，則OUT繼續保持高電平輸出。如在0.5S內無高電平輸入到7腳KILL，則OUT反轉為低電平進入關機狀態。OUT輸出高電平過程中，長按KEY鍵10秒或7腳KILL高電平消失則進入關機。二． 極限參數Absolute Maximum Ratings Voltage applied at VDD to VSS ....................- 0.3V to 6.0V Voltage applied at any pin
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SOT23-6電子開關芯片EH3808長按3秒延時六角開關電源芯片超低功耗
在現代電子產品設計中，低功耗、高可靠性的電源管理方案始終是工程師關注的核心問題。EH3808-519E-2921長按3秒開關機芯片憑借其獨特的性能優勢，正逐漸成為機器人、智能穿戴、AI玩具等領域的理想選擇。這款采用SOT23-6封裝的微型芯片，以僅5uA的超低靜態電流和寬電壓工作范圍，重新定義了便攜式設備的電源管理標準。一、突破性的功能設計該芯片的核心功能體現在其智能化的電平控制邏輯上。在初始上電狀態下，OUTH端口保持低電平（0V），OUTL端口維持高電平（VDD），此時系統處于完全斷電模式。當用戶長按輕觸開關達到3秒臨界值時，芯片內部邏輯電路會觸發狀態翻轉：OUTH躍升至VDD高電平，OUTL則降為0V低電平，這種明確的電平變化可直接驅動MOS管或三極管，實現主控系統的軟啟動。值得注意的
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24小時循環定時器芯片方案EC241209延時開關IC6-18定時芯片
EC241209-169D-9237是一款專為LED照明設備設計的6開18關循環定時芯片，以其高效、穩定的性能在蠟燭燈和LED燈串等應用中廣受歡迎。該芯片采用SOT23-6小封裝，體積小巧，便于集成到各種緊湊型照明設備中。其核心功能是上電后自動進入6小時開啟、18小時關閉的24小時循環工作模式，三路LED同步輸出電平信號常亮，為照明設備提供可靠的定時控制。在電氣參數方面，EC241209-169D-9237的工作電壓范圍為2.4V至5V，典型工作電壓為5V時，工作電流僅為0.5mA，顯示出優異的低功耗特性。其驅動電流分為兩檔，分別為30mA和20mA，能夠滿足不同LED負載的需求。工作溫度范圍為-10℃至+60℃，儲存溫度范圍為-20℃至+100℃，確保了芯片在各類環境條件下的穩定性和可靠性
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國家知識產權局信息顯示，蘇州明義微電子技術有限公司申請一項名為“GaN芯片的多柵極分布式驅動結構及開關電路單元”的專利，公開號CN121461958A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發明公開了一種GaN芯片的多柵極分布式驅動結構及開關電路單元。該GaN芯片的多柵極分布式驅動結構包括GaN HEMT模塊及與所述GaN HEMT模塊連接的驅動模塊，GaN HEMT模塊具有多個柵極，并且多個柵極沿平行于GaN HEMT模塊表面的方向間隔分布，其中每一柵極分別與驅動模塊電連接。通過多個柵極可以使GaN HEMT模塊的近端、遠端同時接收到驅動信號，有效降低傳輸時延，從而顯著提高了芯片開關速度，降低了開關損耗。天眼查資料顯示，蘇州明義微電子技術有限公司，成立于2022年，位于蘇州市，是一家
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5分鐘-30分鐘定時芯片方案低功耗定時開關延時電路專用芯片
ECH211029-064C-3654定時器芯片作為新一代微型化時間控制解決方案，其SOT23-6封裝內集成了高精度計時與智能邏輯控制功能。該芯片采用2.4-5V寬電壓供電，靜態電流僅10μA的低功耗特性使其在電池供電場景中表現突出。當系統上電時，OUTH保持低電平而OUTL維持高電平的初始狀態，這種設計有效避免了電源瞬態干擾導致的誤觸發。芯片的核心功能通過兩路獨立按鍵輸入實現靈活控制。KEY1短按觸發30分鐘定時，KEY2短按啟動5分鐘定時，雙模式設計可覆蓋從咖啡機定時到工業設備延時關斷等多樣化場景。計時啟動后，OUTH立即跳變為高電平（驅動能力10mA），OUTL同步切換為低電平（驅動能力30mA），這種推挽式輸出結構允許直接驅動繼電器或通過外接MOS管擴展負載能力。特別值得注意的是，在
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