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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，國(guó)網(wǎng)上海市電力公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“戶外全封閉小型高壓隔離負(fù)荷開(kāi)關(guān)智能控制方法及系統(tǒng)”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121530004A，申請(qǐng)日期為2026年1月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了戶外全封閉小型高壓隔離負(fù)荷開(kāi)關(guān)智能控制方法及系統(tǒng)，涉及智能控制系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：通過(guò)邊緣感知層的多源傳感監(jiān)測(cè)陣列采集目標(biāo)開(kāi)關(guān)在歷史時(shí)區(qū)內(nèi)的歷史開(kāi)關(guān)運(yùn)行數(shù)據(jù)序列集，其中，目標(biāo)開(kāi)關(guān)為戶外全封閉小型高壓隔離負(fù)荷開(kāi)關(guān)；利用長(zhǎng)短時(shí)記憶網(wǎng)絡(luò)，根據(jù)歷史開(kāi)關(guān)運(yùn)行數(shù)據(jù)序列集預(yù)測(cè)獲取預(yù)設(shè)時(shí)區(qū)內(nèi)的預(yù)測(cè)開(kāi)關(guān)運(yùn)行數(shù)據(jù)序列集；基于預(yù)測(cè)開(kāi)關(guān)運(yùn)行數(shù)據(jù)序列集，以最小化線路損耗、故障停電分鐘數(shù)、電壓越限時(shí)間和電壓暫降次數(shù)為多尋優(yōu)目標(biāo)，對(duì)目標(biāo)開(kāi)關(guān)的控制參數(shù)進(jìn)行迭代優(yōu)化搜索，確定適配控制策略，并按照適配控制策略在所述預(yù)設(shè)時(shí)區(qū)內(nèi)對(duì)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海艾為電子技術(shù)股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種用于芯片的開(kāi)關(guān)電路、芯片和電子設(shè)備”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121530358A，申請(qǐng)日期為2025年11月。專(zhuān)利摘要顯示，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種用于芯片的開(kāi)關(guān)電路、芯片和電子設(shè)備，其中開(kāi)關(guān)電路包括：功率管，所述功率管的輸入端與芯片的外部電源連接，所述功率管的輸出端與芯片內(nèi)的負(fù)載單元連接；多個(gè)放電電路，所述放電電路包括放電單元和檢測(cè)單元，所述放電單元的輸入端與所述功率管的控制端連接，所述檢測(cè)單元輸出端與所述放電單元的控制端連接；所述檢測(cè)單元檢測(cè)到預(yù)定的電路異常時(shí)，向所述放電單元的控制端輸出控制信號(hào)，控制所述放電單元按照設(shè)定的放電模式對(duì)所述功率管的控制端進(jìn)行放電；多個(gè)所述放電電路中，至少兩個(gè)所述放電電路通過(guò)所述檢測(cè)單元檢測(cè)的電路異

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江英能電子科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“預(yù)驅(qū)動(dòng)模塊、芯片及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121530363A，申請(qǐng)日期為2026年1月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明提供一種預(yù)驅(qū)動(dòng)模塊、芯片及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，包括：輸入級(jí)電路，基于輸入信號(hào)的控制為圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端充電或放電；圖騰柱結(jié)構(gòu)電路，輸出預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓，預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓源跟隨圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入電壓；第一比較器，產(chǎn)生第一比較結(jié)果；第二比較器，產(chǎn)生第二比較結(jié)果；上拉電路，受控于第一比較結(jié)果，用于加速預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓的升高；下拉電路，受控于第二比較結(jié)果，用于加速預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓的下降；電容，連接在圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端和外置功率管的漏極之間。本發(fā)明的預(yù)驅(qū)動(dòng)模塊、芯片及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)自適應(yīng)外置功率管的輸入電容，改善外置功率管開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的EMI問(wèn)題，工作效率高且

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，西安西電高壓開(kāi)關(guān)有限責(zé)任公司、中國(guó)西電電氣股份有限公司取得一項(xiàng)名為“一種密封端子板氣密性檢測(cè)裝置”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)CN223925947U，申請(qǐng)日期為2025年4月。專(zhuān)利摘要顯示，本實(shí)用新型涉及領(lǐng)域，尤其涉及一種密封端子板氣密性檢測(cè)裝置，包括上部密封結(jié)構(gòu)、下部密封結(jié)構(gòu)、上注氣管路和下注氣管路；上部密封結(jié)構(gòu)包括上外部套筒和布置于上外部套筒中多個(gè)上內(nèi)部套筒；下部密封結(jié)構(gòu)包括下外部套筒和布置于下外部套筒中的多個(gè)下內(nèi)部套筒；待測(cè)密封端子板懸空水平放置于下內(nèi)部套筒中，下內(nèi)部套筒與上內(nèi)部套筒配合壓緊待測(cè)密封端子板；下注氣管路的一端與外部汽源連通，另一端與下密封外部腔體、多個(gè)下內(nèi)部套筒連通。本實(shí)用新型中上下密封結(jié)構(gòu)通過(guò)外部套筒與內(nèi)部套筒形成雙重密封腔體，結(jié)合上下注氣管路獨(dú)立供氣，

高壓放大器在半導(dǎo)體測(cè)試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色，它將測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號(hào)精準(zhǔn)放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓，以滿足各種嚴(yán)苛的測(cè)試條件。下面將詳細(xì)介紹它在幾個(gè)關(guān)鍵測(cè)試場(chǎng)景中的具體作用以及需求。介電擊穿測(cè)試：對(duì)芯片的絕緣層施加從低到高（可達(dá)±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點(diǎn)。需求：高輸出電壓、低噪聲（<100μVrms）、精確的電壓控制。芯片老化測(cè)試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應(yīng)力，加速芯片老化，以評(píng)估其長(zhǎng)期可靠性。需求：高電壓/電流輸出、長(zhǎng)期穩(wěn)定性、良好的過(guò)溫與過(guò)流保護(hù)機(jī)制。壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)（MEMS傳感器）：驅(qū)動(dòng)微機(jī)電系統(tǒng)中的壓電元件，實(shí)現(xiàn)精密運(yùn)動(dòng)或傳感。需求：能夠驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載、高輸出電流（峰值可達(dá)百mA級(jí)）、四象限輸出。晶體管參數(shù)測(cè)試：為

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳市杰和科技發(fā)展有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“POP音消除電路”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121442247A，申請(qǐng)日期為2025年11月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了一種POP音消除電路，電路包括信號(hào)源輸出端、控制線路、音頻芯片及音頻輸出設(shè)備，控制線路的第一端與信號(hào)源輸出端連接，控制線路的第二端分別與音頻芯片及音頻輸出設(shè)備連接；控制線路包括驅(qū)動(dòng)控制電路及音頻輸出電路，驅(qū)動(dòng)控制電路包括至少一個(gè)PMOS管，音頻輸出電路包括至少一個(gè)NMOS管，PMOS管的柵極作為控制線路的第一端，PMOS管的漏極接地，PMOS管的源極同時(shí)與第一供電端及NMOS管的柵極連接，NMOS管的源極接地，NMOS管的漏極作為控制線路的第二端。本發(fā)明的POP音消除電路通過(guò)PMOS管與NMOS管的協(xié)同控制，精準(zhǔn)避開(kāi)開(kāi)