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國家知識產權局信息顯示，此芯科技集團有限公司申請一項名為“一種轉換控制電路及多媒體數據處理芯片”的專利，公開號CN121262333A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本申請提供了一種轉換控制電路及多媒體數據處理芯片，轉換控制電路包括：電路輸入接口，被配置為：實時接收第一數據格式的第一數據包；多路選擇器，被配置為：按照寄存器下發的選擇信號來選擇導通直通數據通道或者轉換數據通道，選擇信號指的是轉換控制電路所處的多媒體場景應用的預設數據格式對應的電平信號；寄存器，被配置為：在導通轉換數據通道時，控制轉換數據通道處于使能狀態，以使轉換數據通道通過寄存器內配置的預設處理邏輯對第一數據包進行數據格式轉換來得到第二數據格式的第二數據包；電路輸出接口，被配置為：在導通直通數據通道時發送第一數據包

證券日報網訊 1月19日，世運電路在互動平臺回答投資者提問時表示，公司暫不涉及自研芯片的業務。公司的PCB產品在AI服務器、數據中心領域，已實現向國際頭部互聯網終端客戶的數據中心供應，并以此為切入點開啟與其他國內外相關領域客戶的合作。同時，針對下一代高速信號傳輸、算力場景的技術需求，公司正與核心客戶持續推進技術合作與產品迭代，相關布局將為公司帶來長期增長動力。

國家知識產權局信息顯示，深圳市杰和科技發展有限公司申請一項名為“POP音消除電路”的專利，公開號CN121442247A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發明公開了一種POP音消除電路，電路包括信號源輸出端、控制線路、音頻芯片及音頻輸出設備，控制線路的第一端與信號源輸出端連接，控制線路的第二端分別與音頻芯片及音頻輸出設備連接；控制線路包括驅動控制電路及音頻輸出電路，驅動控制電路包括至少一個PMOS管，音頻輸出電路包括至少一個NMOS管，PMOS管的柵極作為控制線路的第一端，PMOS管的漏極接地，PMOS管的源極同時與第一供電端及NMOS管的柵極連接，NMOS管的源極接地，NMOS管的漏極作為控制線路的第二端。本發明的POP音消除電路通過PMOS管與NMOS管的協同控制，精準避開開

高壓放大器在半導體測試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色，它將測試設備產生的微弱控制信號精準放大到數百甚至數千伏的高壓，以滿足各種嚴苛的測試條件。下面將詳細介紹它在幾個關鍵測試場景中的具體作用以及需求。介電擊穿測試：對芯片的絕緣層施加從低到高（可達±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點。需求：高輸出電壓、低噪聲（<100μVrms）、精確的電壓控制。芯片老化測試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應力，加速芯片老化，以評估其長期可靠性。需求：高電壓/電流輸出、長期穩定性、良好的過溫與過流保護機制。壓電陶瓷驅動（MEMS傳感器）：驅動微機電系統中的壓電元件，實現精密運動或傳感。需求：能夠驅動容性負載、高輸出電流（峰值可達百mA級）、四象限輸出。晶體管參數測試：為

1月8日消息，據上交所數據顯示，截至 10:02，上證指數上漲 0.04%，科創芯片指數上漲 2.93%，個股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀 - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產業漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達 14.25 億元，換手率達 3.30%。天天基金網數據顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內半導體技術取得重大突破，首條二維半導體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點亮，預計今年 6 月通線，標志著我國在新一代芯片材料領域邁出關鍵一步；全球存儲芯片市場進入 “超級

國家知識產權局信息顯示，仝瑞半導體科技（上海）有限公司取得一項名為“一種可快速拆裝的芯片量產測試用插座”的專利，授權公告號CN223815386U，申請日期為2025年1月。專利摘要顯示，本實用新型提出一種可快速拆裝的芯片量產測試用插座，包括測試底座、浮動支座、芯片保持座和頂蓋，浮動支座底部滑動扣合于測試底座頂部的浮動凸部，緊貼浮動支座的上表面設有芯片保持座，緊貼所述芯片保持座的頂部設有頂蓋。本實用新型通過將頂蓋蓋設于芯片保持座上且向下按壓，直至頂蓋兩側所設扣件底部的扣齒與測試底座兩側的扣槽相扣合，在按壓過程中，待測芯片的引腳被配合插入引腳插孔支座上所設的引腳插孔中，從而實現待測芯片的裝配連接，裝配簡單。天眼查資料顯示，仝瑞半導體科技（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以從

東科半導體自2020年以來持續深耕合封芯片領域，先后推出業內首款全合封氮化鎵不對稱半橋產品、業界唯一的全合封高壓有源箝位反激（ACF）芯片、合封準諧振（QR）反激芯片，以及高集成度的同步整流合封芯片系列，這些產品在簡化外圍器件、降低調試難度和控制成本上取得了成功 。通過將功率器件、驅動和控制器合而為一，可有效減少PCB面積和連線寄生，提升系統集成度與可靠性。在 3 月 28 日舉行的 2025（春季）亞洲充電展·亞洲充電大會上，東科半導體曾預告將推出全新的合封 PFC 芯片 DK83XX 系列。近日，首款產品 DK8318 正式發布，將 700V/101mΩ GaN 功率管與 CRM/DCM PFC 控制器高度集成于 ESOP16L 封裝，配合谷底導通、輸出電壓分段、輸入功率補償以及極低待機

上證報中國證券網訊（記者 劉怡鶴）1月27日上午，半導體板塊率先反彈。截至10時36分，東芯股份20cm漲停，電科芯片漲停，明微電子、普冉股份漲超13%，興福電子漲超11%。近期，繼存儲芯片漲價潮以來，CPU漲價也獲得關注。國金證券研報認為，Agent（智能體）驅動的強化學習(RL)時代，CPU可能比GPU更早成為瓶頸。Agent時代算力的“木桶效應”已經顯現，目前CPU正演變為類似于存儲的新短板，補足這一短板將是下階段算力基礎設施建設的重中之重。

國家知識產權局信息顯示，芯瞳半導體技術（廈門）有限公司申請一項名為“多核芯片的操作方法、設計方法及多核芯片”的專利，公開號CN121351726A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本公開涉及半導體設計與制造的技術領域，具體涉及一種多核芯片的操作方法、設計方法及多核芯片。本公開的技術方案將可接受制造缺陷的電路邏輯分為第一邏輯分組，不可接受制造缺陷的電路邏輯分為第二邏輯分組；通過讀取多核芯片上至少一個計算核心的缺陷狀態，可以確定出計算核心內可接受制造缺陷的第一邏輯分組的可用性；在缺陷狀態指示第一邏輯分組不可用時，配置計算核心內的控制寄存器關閉第一邏輯分組，同時保持計算核心內不可接受制造缺陷的第二邏輯分組處于運行狀態，不影響計算核心的功能電路邏輯。該技術方案使多核芯片可接受制造缺陷的電路