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未來,智能手機實現數周超長待機、物聯網傳感器電池續航數年、可穿戴設備告別頻繁充電,這些曾被視為科幻場景的愿景,正隨著一項顛覆性技術突破加速成為現實。北京大學電子學院科研團隊近日宣布,成功研制出全球首款“納米柵超低功耗鐵電晶體管”,這項被國際學術界評價為“四兩撥千斤”的創新成果,為解決芯片能耗難題開辟了全新路徑。傳統芯片架構中,存儲與計算模塊的物理分離導致數據頻繁搬運,如同廚師烹飪時需反復往返倉庫取調料,既浪費時間又消耗能量。研究團隊負責人邱晨光研究員指出,鐵電晶體管雖具備“存算一體”特性——既能存儲數據又可進行計算,且斷電后信息不丟失,但其高操作電壓導致的巨大功耗始終制約著實際應用。此次突破的關鍵在于,團隊將晶體管核心部件柵極尺寸壓縮至1納米級別。這個尺寸相當于將頭發絲直徑(約8萬至10萬納
查看 >>2026-05-05
國家知識產權局信息顯示,上海艾為電子技術股份有限公司申請一項名為“一種用于芯片的開關電路、芯片和電子設備”的專利,公開號CN121530358A,申請日期為2025年11月。專利摘要顯示,本申請實施例提供了一種用于芯片的開關電路、芯片和電子設備,其中開關電路包括:功率管,所述功率管的輸入端與芯片的外部電源連接,所述功率管的輸出端與芯片內的負載單元連接;多個放電電路,所述放電電路包括放電單元和檢測單元,所述放電單元的輸入端與所述功率管的控制端連接,所述檢測單元輸出端與所述放電單元的控制端連接;所述檢測單元檢測到預定的電路異常時,向所述放電單元的控制端輸出控制信號,控制所述放電單元按照設定的放電模式對所述功率管的控制端進行放電;多個所述放電電路中,至少兩個所述放電電路通過所述檢測單元檢測的電路異
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國家知識產權局信息顯示,浙江英能電子科技有限公司申請一項名為“預驅動模塊、芯片及驅動系統”的專利,公開號CN121530363A,申請日期為2026年1月。專利摘要顯示,本發明提供一種預驅動模塊、芯片及驅動系統,包括:輸入級電路,基于輸入信號的控制為圖騰柱結構電路的輸入端充電或放電;圖騰柱結構電路,輸出預驅動電壓,預驅動電壓源跟隨圖騰柱結構電路的輸入電壓;第一比較器,產生第一比較結果;第二比較器,產生第二比較結果;上拉電路,受控于第一比較結果,用于加速預驅動電壓的升高;下拉電路,受控于第二比較結果,用于加速預驅動電壓的下降;電容,連接在圖騰柱結構電路的輸入端和外置功率管的漏極之間。本發明的預驅動模塊、芯片及驅動系統自適應外置功率管的輸入電容,改善外置功率管開關時產生的EMI問題,工作效率高且
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高壓放大器在半導體測試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色,它將測試設備產生的微弱控制信號精準放大到數百甚至數千伏的高壓,以滿足各種嚴苛的測試條件。下面將詳細介紹它在幾個關鍵測試場景中的具體作用以及需求。介電擊穿測試:對芯片的絕緣層施加從低到高(可達±20kV)的直流或掃描電壓,分析其絕緣失效的臨界點。需求:高輸出電壓、低噪聲(<100μVrms)、精確的電壓控制。芯片老化測試(如功率器件):施加高于正常工作電壓的應力,加速芯片老化,以評估其長期可靠性。需求:高電壓/電流輸出、長期穩定性、良好的過溫與過流保護機制。壓電陶瓷驅動(MEMS傳感器):驅動微機電系統中的壓電元件,實現精密運動或傳感。需求:能夠驅動容性負載、高輸出電流(峰值可達百mA級)、四象限輸出。晶體管參數測試:為
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國家知識產權局信息顯示,深圳市杰和科技發展有限公司申請一項名為“POP音消除電路”的專利,公開號CN121442247A,申請日期為2025年11月。專利摘要顯示,本發明公開了一種POP音消除電路,電路包括信號源輸出端、控制線路、音頻芯片及音頻輸出設備,控制線路的第一端與信號源輸出端連接,控制線路的第二端分別與音頻芯片及音頻輸出設備連接;控制線路包括驅動控制電路及音頻輸出電路,驅動控制電路包括至少一個PMOS管,音頻輸出電路包括至少一個NMOS管,PMOS管的柵極作為控制線路的第一端,PMOS管的漏極接地,PMOS管的源極同時與第一供電端及NMOS管的柵極連接,NMOS管的源極接地,NMOS管的漏極作為控制線路的第二端。本發明的POP音消除電路通過PMOS管與NMOS管的協同控制,精準避開開
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