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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，海光信息技術(shù)股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種用于開(kāi)關(guān)電源的控制裝置、開(kāi)關(guān)電源及控制方法”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121485467A，申請(qǐng)日期為2025年11月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)一種用于開(kāi)關(guān)電源的控制裝置、開(kāi)關(guān)電源及控制方法，涉及開(kāi)關(guān)電源控制技術(shù)領(lǐng)域，能夠在保持信號(hào)穩(wěn)定的情況下，有效降低開(kāi)關(guān)電源的功耗。該控制裝置包括：反饋模塊，配置為根據(jù)所述功率部件的電壓輸出端的所述第二電壓信號(hào)以及所述功率部件中所述電壓輸入端與所述電壓輸出端之間的目標(biāo)電流信號(hào)的交流分量，生成脈沖觸發(fā)信號(hào)；脈沖寬度調(diào)制模塊，與所述反饋模塊耦接，配置為根據(jù)所述脈沖觸發(fā)信號(hào)輸出脈沖信號(hào)，所述脈沖信號(hào)包括依次輸出的第一電平和第二電平，所述第一電平的持續(xù)時(shí)長(zhǎng)為預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)，所述脈沖信號(hào)用于控制所述功率部件中
查看 >>2026-05-04
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，河南平高電氣股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種負(fù)荷開(kāi)關(guān)聯(lián)鎖裝置及包括其的柱上負(fù)荷開(kāi)關(guān)”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121528788A，申請(qǐng)日期為2025年12月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種負(fù)荷開(kāi)關(guān)聯(lián)鎖裝置及包括其的柱上負(fù)荷開(kāi)關(guān)，屬于柱上負(fù)荷開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，包括：固定板、主軸A、主軸B、輪軸、地軸C、地軸D、主凸輪、主桿、地凸輪、地桿、主鎖板及地鎖板，先利用主凸輪的外輪面與主桿的頂端滑動(dòng)接觸，由于地鎖板固定在主桿上，可以在轉(zhuǎn)動(dòng)主軸B啟閉負(fù)荷開(kāi)關(guān)的同時(shí)，聯(lián)動(dòng)地鎖板向下移動(dòng)，使地鎖板的地鎖孔鎖止地軸C，實(shí)現(xiàn)負(fù)荷開(kāi)關(guān)分合閘時(shí)，接地開(kāi)關(guān)無(wú)法操作；后利用地凸輪的外輪面與主鎖板底端接觸，由于地桿的頂端鉸接在地凸輪上且其底端通過(guò)拐臂固定在地軸D上，可以在轉(zhuǎn)動(dòng)地軸D啟閉接地開(kāi)關(guān)的同時(shí)，聯(lián)動(dòng)主鎖板向
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，吉安伊戈?duì)栯姎庥邢薰救〉靡豁?xiàng)名為“一種高效多輸出開(kāi)關(guān)電源”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)CN223928238U，申請(qǐng)日期為2025年1月。專(zhuān)利摘要顯示，本實(shí)用新型涉及開(kāi)關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種高效多輸出開(kāi)關(guān)電源，包括至少兩個(gè)模擬式恒流輸出模塊；高效原邊回路和變壓器T1的原邊繞組電連接，變壓器T1的副邊繞組和副邊濾波模塊電連接，副邊濾波模塊分別與模擬式恒流輸出模塊電連接；微控制器分別與模擬式恒流輸出模塊電連接，使其接收微控制器的PWM信號(hào)和保護(hù)動(dòng)作信號(hào)；變壓器T1的副邊輔助繞組分別與模擬式恒流輸出模塊電連接，為模擬式恒流輸出模塊提供降壓偏壓電源；第一、第二檢測(cè)模塊分別電連接于模擬式恒流輸出模塊和微控制器之間以及副邊濾波模塊和微控制器之間，用于信號(hào)反饋；解決了設(shè)多個(gè)輸出的開(kāi)關(guān)電
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州力生美半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種開(kāi)關(guān)電源副邊導(dǎo)通時(shí)間的檢測(cè)方法和電路”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121508325A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種開(kāi)關(guān)電源副邊導(dǎo)通時(shí)間的檢測(cè)方法和電路。該檢測(cè)方法包括檢測(cè)所述開(kāi)關(guān)電源副邊的導(dǎo)通起始時(shí)刻；在所述起始時(shí)刻后延遲第一預(yù)設(shè)時(shí)間，得到延遲起始時(shí)刻；檢測(cè)開(kāi)關(guān)電源輔助繞組的電壓VS下降至預(yù)設(shè)參考電壓的時(shí)刻，并作為所述開(kāi)關(guān)電源副邊的導(dǎo)通結(jié)束時(shí)刻；將所述延遲起始時(shí)刻和所述導(dǎo)通結(jié)束時(shí)刻之間的時(shí)間間隔作為所述開(kāi)關(guān)電源副邊的導(dǎo)通時(shí)間。本發(fā)明通過(guò)引入延遲起始時(shí)刻的檢測(cè)方式，確保導(dǎo)通時(shí)間的測(cè)量更加準(zhǔn)確和一致。該方法簡(jiǎn)化了檢測(cè)電路設(shè)計(jì)，提高了測(cè)量的穩(wěn)定性和可靠性，有助于提升開(kāi)關(guān)電源恒流控制的精度和系統(tǒng)整體性能，適用于多
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描述GP8632SE 是一款恒壓、恒流的原邊反饋谷底導(dǎo)通控制芯片,適用于充電器和適配器。GP8632SE 采用特有的輸出線損補(bǔ)償技術(shù),可以有效的補(bǔ)償輸出電流在輸出線上的損耗壓降。GP8632SE 內(nèi)置環(huán)路補(bǔ)償電路,無(wú)需外圍補(bǔ)償電 路,系統(tǒng)具有良好的穩(wěn)定性。GP8632SE 可以實(shí)現(xiàn)良好的恒壓、恒流特性,滿足待機(jī)功耗小于 75mW。特性? 原邊反饋控制? 恒壓、恒流精度高? ≦75mW 待機(jī)功耗? 可調(diào)的輸出線損補(bǔ)償技術(shù)? 開(kāi)路保護(hù)? 短路保護(hù)? 過(guò)壓保護(hù)? 欠壓保護(hù)? 過(guò)溫保護(hù)應(yīng)用手機(jī)、無(wú)繩電話、PDA、MP3和其它便攜式設(shè)備等的適配器、充電器LED驅(qū)動(dòng)電源線性電源和RCC開(kāi)關(guān)電源升級(jí)換代
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江魏茨曼電力科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種隔離負(fù)荷開(kāi)關(guān)”的專(zhuān)利，授權(quán)公告號(hào)CN223884342U，申請(qǐng)日期為2025年1月。專(zhuān)利摘要顯示，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種隔離負(fù)荷開(kāi)關(guān)，屬于隔離負(fù)荷開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，解決了對(duì)于鎖具而言，一旦出現(xiàn)被暴力破除的情況，那么隔離負(fù)荷開(kāi)關(guān)的轉(zhuǎn)柄仍舊能夠進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)，因此需要排除鎖具對(duì)于隔離負(fù)荷開(kāi)關(guān)的鎖止影響的問(wèn)題。包括殼體、設(shè)置在殼體內(nèi)的若干靜觸點(diǎn)、轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置在殼體內(nèi)的接電板、以及若干設(shè)置在接電板上的動(dòng)觸點(diǎn)，所述接電板上固定連接有貫穿殼體且可轉(zhuǎn)動(dòng)設(shè)置的傳動(dòng)軸，所述傳動(dòng)軸可伸縮設(shè)置，所述殼體上固定連接有套設(shè)于傳動(dòng)軸外圈的轉(zhuǎn)套。本實(shí)用新型通過(guò)讀卡器和電子標(biāo)簽卡實(shí)現(xiàn)操作權(quán)限控制，讀卡后MCU激活三極管，通電電磁鐵吸合金屬軸，操作人員轉(zhuǎn)動(dòng)轉(zhuǎn)柄帶動(dòng)接電板，實(shí)
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鍵德測(cè)試測(cè)量|選擇高壓探針臺(tái)的原因是什么？
在半導(dǎo)體測(cè)試、功率器件研究及高壓電子元件開(kāi)發(fā)等領(lǐng)域，高壓探針臺(tái)扮演著不可或缺的角色。與普通探針臺(tái)相比，高壓探針臺(tái)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、安全性能和測(cè)試能力上具有顯著優(yōu)勢(shì)，能夠滿足高壓環(huán)境下的精密測(cè)試需求，下面鍵德測(cè)試測(cè)量小編就來(lái)詳細(xì)介紹下選擇高壓探針臺(tái)的原因。選擇高壓探針臺(tái)的原因如下：一、滿足高壓測(cè)試需求高壓探針臺(tái)專(zhuān)為高電壓環(huán)境下的測(cè)試而設(shè)計(jì)，能夠承受數(shù)百伏甚至數(shù)千伏的電壓，而普通探針臺(tái)通常僅適用于低壓測(cè)試。在功率半導(dǎo)體(如IGBT、MOSFET、SiC器件等)的研發(fā)與生產(chǎn)過(guò)程中，器件往往需要在高壓條件下進(jìn)行性能評(píng)估，例如擊穿電壓測(cè)試、漏電流測(cè)試及耐壓特性分析。高壓探針臺(tái)通過(guò)其特殊設(shè)計(jì)的絕緣結(jié)構(gòu)和高壓接口，確保測(cè)試過(guò)程中的信號(hào)穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性，是高壓器件測(cè)試的理想選擇。二、保障測(cè)試安全高壓測(cè)試環(huán)境對(duì)設(shè)
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真空負(fù)荷開(kāi)關(guān)專(zhuān)業(yè)廠家的選擇指南：洛陽(yáng)銳合電氣科技有限公司脫穎而出
在電力行業(yè)中，真空負(fù)荷開(kāi)關(guān)及配網(wǎng)自動(dòng)化成套裝置的重要性不言而喻。它們廣泛應(yīng)用于煤炭、電力、礦山、水泥、化工等眾多行業(yè)，為這些行業(yè)的穩(wěn)定運(yùn)行提供了堅(jiān)實(shí)保障。那么，如何選擇一家靠譜、性價(jià)比高的真空負(fù)荷開(kāi)關(guān)專(zhuān)業(yè)廠家呢？這是眾多企業(yè)在采購(gòu)時(shí)面臨的關(guān)鍵問(wèn)題。真空負(fù)荷開(kāi)關(guān)專(zhuān)業(yè)工廠所生產(chǎn)的產(chǎn)品具有獨(dú)特的行業(yè)優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)。從技術(shù)層面來(lái)看，像洛陽(yáng)銳合電氣科技有限公司生產(chǎn)的CKG4 - FC系列真空負(fù)荷開(kāi)關(guān)，適用于交流50 - 60Hz，主回路額定電壓為12KV（7.2KV），額定電流從160A至630A的電力網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)。這種開(kāi)關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)遠(yuǎn)距離接通和分?jǐn)啵€能頻繁啟動(dòng)和控制交流電動(dòng)機(jī)、變壓器及電容器組等，其性能穩(wěn)定可靠，是電力系統(tǒng)中不可或缺的關(guān)鍵設(shè)備。與傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)相比，真空負(fù)荷開(kāi)關(guān)具有滅弧能力強(qiáng)、使用壽命長(zhǎng)、操作安全
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海翃視科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法及硅基液晶芯片”的專(zhuān)利，公開(kāi)號(hào)CN121034243A，申請(qǐng)日期為2025年8月。專(zhuān)利摘要顯示，本發(fā)明揭示了一種硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法及硅基液晶芯片，所述硅基液晶芯片包括一像素矩陣，所述像素矩陣具多行多列像素組成，所述硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法通過(guò)行信號(hào)以行為單位對(duì)像素矩陣進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，并且所述硅基液晶芯片包括一列選復(fù)用電路，所述列選復(fù)用電路包括多個(gè)選擇開(kāi)關(guān)，每一選擇開(kāi)關(guān)與所述像素矩陣的每一列對(duì)應(yīng)，通過(guò)控制上述列選復(fù)用電路的多個(gè)選擇開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通順序而驅(qū)動(dòng)所述像素矩陣對(duì)應(yīng)的列，其中所述列選復(fù)用電路采用輪轉(zhuǎn)方式控制所述多個(gè)選擇開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通順序。天眼查資料顯示，上海翃視科技有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家
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高壓放大器如何助力半導(dǎo)體測(cè)試
高壓放大器在半導(dǎo)體測(cè)試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色，它將測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號(hào)精準(zhǔn)放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓，以滿足各種嚴(yán)苛的測(cè)試條件。下面將詳細(xì)介紹它在幾個(gè)關(guān)鍵測(cè)試場(chǎng)景中的具體作用以及需求。介電擊穿測(cè)試：對(duì)芯片的絕緣層施加從低到高（可達(dá)±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點(diǎn)。需求：高輸出電壓、低噪聲（<100μVrms）、精確的電壓控制。芯片老化測(cè)試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應(yīng)力，加速芯片老化，以評(píng)估其長(zhǎng)期可靠性。需求：高電壓/電流輸出、長(zhǎng)期穩(wěn)定性、良好的過(guò)溫與過(guò)流保護(hù)機(jī)制。壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)（MEMS傳感器）：驅(qū)動(dòng)微機(jī)電系統(tǒng)中的壓電元件，實(shí)現(xiàn)精密運(yùn)動(dòng)或傳感。需求：能夠驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載、高輸出電流（峰值可達(dá)百mA級(jí)）、四象限輸出。晶體管參數(shù)測(cè)試：為
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