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國家知識產權局信息顯示，深圳市智安新能源科技有限公司申請一項名為“開關電源的拓撲控制方法、設備及存儲介質”的專利，公開號CN121546929A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本申請提供了一種開關電源的拓撲控制方法、設備及存儲介質，該方法包括：采集開關電源的運行數據；對運行數據進行卡爾曼濾波，獲得第一狀態數據和第二狀態數據；根據第一狀態數據從預設模型庫中選擇對應的動態模型，并辨識動態模型的模型參數，以及計算動態模型的置信度；根據模型參數和第二狀態數據，在預設的預測時域內建立多目標優化函數，求解多目標優化函數，獲得目標控制序列；根據目標控制序列調整開關電源的控制占空比，并檢測對應的電感電流的過零時刻，根據過零時刻計算同步整流管的目標導通相位；根據目標導通相位生成主開關管的第一驅動信
查看 >>2026-05-01
國家知識產權局信息顯示，上海西電高壓開關有限公司申請一項名為“一種GIS組合電器間隔狀態控制集成裝置”的專利，公開號CN121395126A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發明涉及高、中、低壓各等級輸變電設備制造技術領域，具體的說是一種GIS組合電器間隔狀態控制集成裝置。一種GIS組合電器間隔狀態控制集成裝置，包括報警指示器、GIS高壓帶電顯示器、分合狀態指示器、斷路器隔離的合分閘操作轉換開關、接地開關的合分閘操作轉換開關，其特征在于：報警指示器、GIS高壓帶電顯示器、分合狀態指示器、斷路器隔離的合分閘操作轉換開關、接地開關的合分閘操作轉換開關集成為一體結構。同現有技術相比，提供一種GIS組合電器間隔狀態控制集成裝置，結構簡單，方便靈活，元器件較少；維護方便，使用成本低廉；提高
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國家知識產權局信息顯示，南京合智電力科技有限公司申請一項名為“一二次融合智能高壓開關及其智能控制模塊更換方法”的專利，公開號CN121395717A，申請日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發明提供了一種一二次融合智能高壓開關及其智能控制模塊更換方法，包括：在判定一二次融合智能高壓開關中綜合控制分析單元未更換的情況下，當綜合控制分析單元判定原待更換智能控制模塊已被更換為新的智能控制模塊時，綜合控制分析單元根據原待更換智能控制模塊的身份碼，在本地存儲區中匹配并獲取對應的定值參數和運行數據；綜合控制分析單元將定值參數和運行數據發送至新的智能控制模塊，并獲取新的智能控制模塊反饋的定值參數和運行數據；當發送的定值參數、運行數據與反饋的定值參數、運行數據一致時，綜合控制分析單元將預存的間隔識別碼發
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奧地利Kraus&NaimerCA10藍色按鈕的高壓開關控制之道
在無數現代化變電站與配電室內，一排排精密的高壓開關設備無聲矗立，它們是電力系統的“神經中樞”，控制著龐大電能的安全分配與流向。而在這關乎城市運轉、工業命脈的核心系統中，一個看似不起眼的藍色按鈕——來自奧地利Kraus & Naimer 的 CA10 系列按鈕開關，正扮演著至關重要的“安全衛士”角色。Kraus & Naimer一、來自奧地利的精密傳承Kraus & Naimer是奧地利一家生產凸輪開關的制造商 ，專門生產所有類型的工業開關。設計、生產和供應主開關、控制和維修開關以及開關隔離開關也是運輸（鐵路、車輛、船舶等）、輸送系統、升降系統、機械工程、發電和配電等不同行業眾多工業客戶的強大合作伙伴。幾十年來，Kraus & Naimer 創造了無數的產品創新
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國家知識產權局信息顯示，江蘇谷泰微電子有限公司申請一項名為“一種基于薄柵管的高壓開關控制電路”的專利，公開號CN121036741A，申請日期為2025年7月。專利摘要顯示，本發明公開了一種基于薄柵管的高壓開關控制電路包括PMOS柵極驅動電路、NMOS柵極驅動電路和核心高壓開關電路；所述核心高壓開關電路包括PMOS路徑電路和NMOS路徑電路；所述PMOS柵極驅動電路的采集端采集PMOS路徑電路中的輸入電壓，PMOS柵極驅動電路的輸出端電性連接PMOS路徑電路的控制端，輸出PMOS_CTL信號控制PMOS路徑電路的導通和關斷；所述NMOS柵極驅動電路的采集端采集NMOS路徑電路中的輸入電壓，NMOS柵極驅動電路的輸出端電性連接NMOS路徑電路的控制端，輸出NMOS_CTL信號控制NMOS路徑電
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國家知識產權局信息顯示，國網上海市電力公司申請一項名為“戶外全封閉小型高壓隔離負荷開關智能控制方法及系統”的專利，公開號CN121530004A，申請日期為2026年1月。專利摘要顯示，本發明公開了戶外全封閉小型高壓隔離負荷開關智能控制方法及系統，涉及智能控制系統技術領域。該方法包括：通過邊緣感知層的多源傳感監測陣列采集目標開關在歷史時區內的歷史開關運行數據序列集，其中，目標開關為戶外全封閉小型高壓隔離負荷開關；利用長短時記憶網絡，根據歷史開關運行數據序列集預測獲取預設時區內的預測開關運行數據序列集；基于預測開關運行數據序列集，以最小化線路損耗、故障停電分鐘數、電壓越限時間和電壓暫降次數為多尋優目標，對目標開關的控制參數進行迭代優化搜索，確定適配控制策略，并按照適配控制策略在所述預設時區內對
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1月8日消息，據上交所數據顯示，截至 10:02，上證指數上漲 0.04%，科創芯片指數上漲 2.93%，個股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀 - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產業漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達 14.25 億元，換手率達 3.30%。天天基金網數據顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內半導體技術取得重大突破，首條二維半導體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點亮，預計今年 6 月通線，標志著我國在新一代芯片材料領域邁出關鍵一步；全球存儲芯片市場進入 “超級
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國家知識產權局信息顯示，眸芯科技（上海）有限公司申請一項名為“芯片調測系統及方法”的專利，公開號CN121210229A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發明公開了芯片調測系統及方法，涉及芯片開發技術領域。所述系統包括待測芯片端和外設接口發送裝置，外設接口發送裝置設置在待測芯片端外部，與待測芯片通過管腳連接線連接，用于向待測芯片發送不同類型的低速協議激勵信號；待測芯片的內部嵌入有協議轉換裝置，其被配置為：通過待測芯片封裝的管腳，接收外設接口發送裝置發送的低速協議激勵信號，對該激勵信號進行解析、轉換后得到AMBA總線協議的激勵信號，再通過AMBA總線發送至待測芯片的目標地址模塊，以對芯片的目標模塊寄存器進行訪問。本發明改進了芯片回片階段的測試和調試手段，可以對傳統調測方案進行補充或替
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1月7日，據上交所數據顯示，截至09:58，上證指數上漲0.14%，科創芯片指數上漲2.13%，個股方面，中微公司漲超6%，瀾起科技漲超4%，華海清科漲超3%，滬硅產業漲超2%，華虹公司漲超1%。熱門ETF方面，科創芯片ETF（588200）漲2.04%，盤中成交額達12.90億元，換手率達2.99%。天天基金網數據顯示，該基金近6月漲65.69%。消息面上，全球存儲芯片供應持續緊張、價格飆升，三星電子與SK海力士計劃2026年第一季度將服務器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%，PC及智能手機用DRAM同步漲價，NAND Flash合約價預計持續上漲33-38%，2025 年DDR4 16Gb漲幅高達1800%，DDR5 16Gb漲幅達500%，行業預計2027年前存儲芯片價
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國家知識產權局信息顯示，杭州旗捷科技股份有限公司申請一項名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利，公開號CN121340789A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發明實施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括：信號選擇模塊、信號處理模塊、耗材接口模塊和控制器；信號選擇模塊與電源以及控制器電連接，信號處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接，信號選擇模塊和信號處理模塊均與耗材接口模塊電連接；方法由控制器執行，方法包括：控制信號選擇模塊的工作狀態；當耗材接口模塊與耗材芯片接觸時，向耗材接口模塊傳輸電平信號，接收耗材接口模塊傳輸的第一信號以及信號選擇模塊傳輸的第二信號；根據第一信號和第二信號，確定耗材芯片的狀態和類型；根據耗材芯片的狀態和類型，控制信號選擇模
查看 >>2026-05-01