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未來，智能手機(jī)實(shí)現(xiàn)數(shù)周超長待機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)傳感器電池續(xù)航數(shù)年、可穿戴設(shè)備告別頻繁充電，這些曾被視為科幻場景的愿景，正隨著一項顛覆性技術(shù)突破加速成為現(xiàn)實(shí)。北京大學(xué)電子學(xué)院科研團(tuán)隊近日宣布，成功研制出全球首款“納米柵超低功耗鐵電晶體管”，這項被國際學(xué)術(shù)界評價為“四兩撥千斤”的創(chuàng)新成果，為解決芯片能耗難題開辟了全新路徑。傳統(tǒng)芯片架構(gòu)中，存儲與計算模塊的物理分離導(dǎo)致數(shù)據(jù)頻繁搬運(yùn)，如同廚師烹飪時需反復(fù)往返倉庫取調(diào)料，既浪費(fèi)時間又消耗能量。研究團(tuán)隊負(fù)責(zé)人邱晨光研究員指出，鐵電晶體管雖具備“存算一體”特性——既能存儲數(shù)據(jù)又可進(jìn)行計算，且斷電后信息不丟失，但其高操作電壓導(dǎo)致的巨大功耗始終制約著實(shí)際應(yīng)用。此次突破的關(guān)鍵在于，團(tuán)隊將晶體管核心部件柵極尺寸壓縮至1納米級別。這個尺寸相當(dāng)于將頭發(fā)絲直徑（約8萬至10萬納

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海艾為電子技術(shù)股份有限公司申請一項名為“一種用于芯片的開關(guān)電路、芯片和電子設(shè)備”的專利，公開號CN121530358A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本申請實(shí)施例提供了一種用于芯片的開關(guān)電路、芯片和電子設(shè)備，其中開關(guān)電路包括：功率管，所述功率管的輸入端與芯片的外部電源連接，所述功率管的輸出端與芯片內(nèi)的負(fù)載單元連接；多個放電電路，所述放電電路包括放電單元和檢測單元，所述放電單元的輸入端與所述功率管的控制端連接，所述檢測單元輸出端與所述放電單元的控制端連接；所述檢測單元檢測到預(yù)定的電路異常時，向所述放電單元的控制端輸出控制信號，控制所述放電單元按照設(shè)定的放電模式對所述功率管的控制端進(jìn)行放電；多個所述放電電路中，至少兩個所述放電電路通過所述檢測單元檢測的電路異

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江英能電子科技有限公司申請一項名為“預(yù)驅(qū)動模塊、芯片及驅(qū)動系統(tǒng)”的專利，公開號CN121530363A，申請日期為2026年1月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種預(yù)驅(qū)動模塊、芯片及驅(qū)動系統(tǒng)，包括：輸入級電路，基于輸入信號的控制為圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端充電或放電；圖騰柱結(jié)構(gòu)電路，輸出預(yù)驅(qū)動電壓，預(yù)驅(qū)動電壓源跟隨圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入電壓；第一比較器，產(chǎn)生第一比較結(jié)果；第二比較器，產(chǎn)生第二比較結(jié)果；上拉電路，受控于第一比較結(jié)果，用于加速預(yù)驅(qū)動電壓的升高；下拉電路，受控于第二比較結(jié)果，用于加速預(yù)驅(qū)動電壓的下降；電容，連接在圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端和外置功率管的漏極之間。本發(fā)明的預(yù)驅(qū)動模塊、芯片及驅(qū)動系統(tǒng)自適應(yīng)外置功率管的輸入電容，改善外置功率管開關(guān)時產(chǎn)生的EMI問題，工作效率高且

純硬件開關(guān)機(jī)芯片GEK100系列，不用擔(dān)心死機(jī)問題的開關(guān)機(jī)芯片，及一鍵開關(guān)機(jī)芯片的發(fā)展趨勢分析在智能電子設(shè)備全面普及的今天，用戶對設(shè)備穩(wěn)定性的要求愈發(fā)嚴(yán)苛，而開關(guān)機(jī)功能作為設(shè)備與用戶交互的第一道門檻，其可靠性直接決定了產(chǎn)品的用戶體驗(yàn)與市場競爭力。然而，當(dāng)前市面上多數(shù)電子設(shè)備仍受困于開關(guān)機(jī)過程中的死機(jī)難題——當(dāng)設(shè)備遭遇程序跑飛、供電不穩(wěn)、電磁干擾或ESD靜電沖擊時，往往會陷入“變磚”狀態(tài)，任何操作都無法響應(yīng)，只能通過斷電、拔電源或扣電池的方式強(qiáng)制重啟。這一問題不僅給用戶帶來極大不便，尤其對鋰電池供電設(shè)備用戶極不友好，還迫使開發(fā)者額外增設(shè)復(fù)位按鍵，增加了研發(fā)成本與電路復(fù)雜度。在此背景下，純硬件架構(gòu)的開關(guān)機(jī)芯片應(yīng)運(yùn)而生，其中GEK100系列憑借卓越的穩(wěn)定性與適配性，為行業(yè)提供了“不用擔(dān)心死機(jī)”的優(yōu)

倒裝芯片市場調(diào)研報告從過去五年的市場發(fā)展態(tài)勢進(jìn)行總結(jié)分析，合理的預(yù)估了倒裝芯片市場規(guī)模增長趨勢，2025年全球倒裝芯片市場規(guī)模達(dá)2512.34億元（人民幣），中國倒裝芯片市場規(guī)模達(dá)762.75億元。報告預(yù)測到2032年全球倒裝芯片市場規(guī)模將達(dá)352.61億元，2025至2032期間年均復(fù)合增長率為-24.46%。報告依次分析了Nepes, Intel Corporation, Samsung Group, Global Foundries, Powertech Technology, ASE Group, STATS ChipPAC, STMicroelectronics, Texas Instruments, United Microelectronics, Taiwan Semicond

Wafer IC failure modeFailure ClassificationPhysical Failure (Structure)- Popcorn- Delamination- Crack (Package/Die)Electrical Failure (Connection)- Open- Short- Leakage- FunctionIn-Process Failure (Production)- Front-end (before molding)- Back-end (After molding)- Testing (FT/Burn-in)Reliability Failure (Qualification)- Temperature- Humidity- Pres

當(dāng)前先進(jìn)制程 SoC、功率器件與高集成電源芯片持續(xù)迭代，也有很多人在關(guān)注芯片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，就前不久小米爆火的玄戒O1來說，在發(fā)布不久后就有很多人關(guān)注這款芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，從驗(yàn)證自研真實(shí)性、梳理關(guān)鍵 IP 結(jié)構(gòu)，到還原電源/功率路徑、定位可靠性風(fēng)險，越來越多的工程判斷需要落到芯片本體與封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)層面。基于此，芯片網(wǎng)正式上線 DECAP 半導(dǎo)體分析服務(wù)，聚焦芯片市場與功率器件兩大市場，補(bǔ)齊從芯片封裝開蓋、芯粒顯微觀察到關(guān)鍵器件結(jié)構(gòu)解析的專業(yè)能力，為產(chǎn)業(yè)提供更具工程指向的樣品級分析與內(nèi)容化交付支持。在介紹業(yè)務(wù)之前，先來簡單了解一下什么是 DECAP？DECAP 常指對已封裝IC或半導(dǎo)體器件進(jìn)行局部開蓋/去膠處理，完整暴露內(nèi)部的晶粒、邦定線和焊盤，在盡量不破壞內(nèi)部結(jié)構(gòu)的前提下，為后續(xù)目檢、結(jié)構(gòu)識別、失

1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達(dá) 14.25 億元，換手率達(dá) 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點(diǎn)亮，預(yù)計今年 6 月通線，標(biāo)志著我國在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲芯片市場進(jìn)入 “超級

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，微芯片技術(shù)股份有限公司申請一項名為“用于離散時間模擬前端的改善型離散時間線性均衡器”的專利，公開號CN121220010A，申請日期為2024年4月。專利摘要顯示，一種裝置包括離散時間線性均衡器電路。離散時間線性均衡器電路包括采樣和保持電路，該采樣和保持電路包括多個開關(guān)電容器電路。多個開關(guān)電容器電路至少包括預(yù)光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路、光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路和后光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路。時鐘驅(qū)動開關(guān)電路用于在第一時間段內(nèi)將預(yù)光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路的電容器可切換地耦合到信號輸入部，在第二時間段內(nèi)將光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路的電容器可切換地耦合到信號輸入部，并且在第三時間段內(nèi)將后光標(biāo)抽頭的開關(guān)電容器電路的電容器可切換地耦合到信號輸入部。時鐘驅(qū)動開關(guān)電路用于在第四時間段內(nèi)將

芯片開封的定義芯片開封，即Decap，是一種對完整封裝的集成電路（IC）芯片進(jìn)行局部處理的工藝。其目的是去除芯片的封裝外殼，暴露出芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，同時確保芯片功能不受損。芯片開封是芯片故障分析實(shí)驗(yàn)的重要準(zhǔn)備環(huán)節(jié)，能夠保護(hù)芯片的Die、bond pads、bond wires及l(fā)ead等關(guān)鍵部分，為后續(xù)的失效分析測試提供便利，便于進(jìn)行熱點(diǎn)定位、聚焦離子束（FIB）等測試操作。芯片開封的方法1.激光開封激光開封是利用激光束的能量作用于芯片塑封表面，通過氣化作用去除器件填充料。這種方法具有顯著優(yōu)勢，操作速度快，過程簡便，且相對安全，無危險性。激光開封能夠精準(zhǔn)地去除封裝材料，而不會對芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)造成不必要的損傷，因此在芯片開封領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。。2.化學(xué)腐蝕化學(xué)腐蝕則依賴于特定的化學(xué)試劑，如濃硫酸、