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EH5304上電延時(shí)開(kāi)關(guān)芯片延時(shí)復(fù)位電路植物燈定時(shí)芯片方案SOT23-6循環(huán)定時(shí)芯片
EH5304-2704-2F9F 10分鐘開(kāi)30分鐘關(guān)循環(huán)定時(shí)芯片一. 功能說(shuō)明供電方式:DC5V;輕觸按鍵輸入,兩路LED同步輸出:1路高有效、1路低有效;上電工作,兩路LED同步亮10分鐘后,轉(zhuǎn)為低電平30分鐘滅,亮10分鐘-滅30分鐘依次循環(huán)。中途短按一下按鍵,關(guān)閉LED并停止計(jì)時(shí)。再短按一下按鍵開(kāi)啟LED,重新循環(huán)定時(shí)。二. 電氣參數(shù)(VDD=5.0V TA=25℃)工作電壓:2.4V-5.0V;工作電流:0.3mA;靜態(tài)電流:2uA;驅(qū)動(dòng)電流:20mA;驅(qū)動(dòng)電流:20mA;工作溫度:-10攝氏度-+60攝氏度;儲(chǔ)存溫度:-20攝氏度-+100攝氏度;三. 電路圖參考循環(huán)定時(shí)芯片*C2電容可跟進(jìn)電源實(shí)際需要調(diào)整或省略、四. 封裝尺寸圖(SOT23-6)循環(huán)定時(shí)器芯片五. 版本說(shuō)明
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,四川華能瀘定水電有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“負(fù)荷開(kāi)關(guān)狀態(tài)監(jiān)測(cè)裝置及水電站電氣設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)”的專利,公開(kāi)號(hào)CN121508145A,申請(qǐng)日期為2025年11月。專利摘要顯示,本申請(qǐng)公開(kāi)了一種負(fù)荷開(kāi)關(guān)狀態(tài)監(jiān)測(cè)裝置及水電站電氣設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)系統(tǒng),涉及電氣設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)技術(shù)領(lǐng)域,該裝置包括:通信模塊、監(jiān)測(cè)模塊以及至少一個(gè)采集模塊;采集模塊的輸入端分別與饋線柜中的若干個(gè)負(fù)荷開(kāi)關(guān)的狀態(tài)輸出端連接,通信模塊分別與監(jiān)測(cè)模塊以及各采集模塊連接;采集模塊,用于采集各負(fù)荷開(kāi)關(guān)的觸點(diǎn)狀態(tài),并生成狀態(tài)數(shù)據(jù);通信模塊,用于在采集模塊與監(jiān)測(cè)模塊之間傳輸狀態(tài)數(shù)據(jù);監(jiān)測(cè)模塊,用于接收并解析狀態(tài)數(shù)據(jù),以確定各負(fù)荷開(kāi)關(guān)的分合閘狀態(tài)。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本申請(qǐng)通過(guò)模塊化采集與總線式傳輸,實(shí)現(xiàn)了負(fù)荷開(kāi)關(guān)狀態(tài)數(shù)據(jù)的集中監(jiān)
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司取得一項(xiàng)名為“共源共柵結(jié)構(gòu)的多層氮化鎵開(kāi)關(guān)器件及芯片”的專利,授權(quán)公告號(hào)CN116230712B,申請(qǐng)日期為2022年12月。天眼查資料顯示,深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司,成立于2020年,位于深圳市,是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)資本701.31107萬(wàn)人民幣。通過(guò)天眼查大數(shù)據(jù)分析,深圳天狼芯半導(dǎo)體有限公司共對(duì)外投資了5家企業(yè),財(cái)產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息4條,專利信息209條,此外企業(yè)還擁有行政許可14個(gè)。聲明:市場(chǎng)有風(fēng)險(xiǎn),投資需謹(jǐn)慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成,僅供參考,不構(gòu)成個(gè)人投資建議。
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,算苗科技(北京)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“交叉開(kāi)關(guān)、片上系統(tǒng)及其訪問(wèn)控制方法、芯片”的專利,公開(kāi)號(hào)CN121029662A,申請(qǐng)日期為2025年8月。專利摘要顯示,一種交叉開(kāi)關(guān)、片上系統(tǒng)及其訪問(wèn)控制方法、芯片,該交叉開(kāi)關(guān)包括M個(gè)輸入端口、N個(gè)輸出端口和K個(gè)多路分配器,M和K均為大于或等于1的自然數(shù),N為大于1的自然數(shù)且N大于M;至少一個(gè)所述多路分配器包括一個(gè)輸入端和n個(gè)輸出端,n為大于1且小于或等于N的自然數(shù),至少一個(gè)所述多路分配器的輸入端與一個(gè)所述輸入端口對(duì)應(yīng)連接,至少一個(gè)所述多路分配器的n個(gè)所述輸出端與n個(gè)所述輸出端口一一對(duì)應(yīng)連接。天眼查資料顯示,算苗科技(北京)有限公司,成立于2022年,位于北京市,是一家以從事科技推廣和應(yīng)用服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)資本100萬(wàn)人
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未來(lái),智能手機(jī)實(shí)現(xiàn)數(shù)周超長(zhǎng)待機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)傳感器電池續(xù)航數(shù)年、可穿戴設(shè)備告別頻繁充電,這些曾被視為科幻場(chǎng)景的愿景,正隨著一項(xiàng)顛覆性技術(shù)突破加速成為現(xiàn)實(shí)。北京大學(xué)電子學(xué)院科研團(tuán)隊(duì)近日宣布,成功研制出全球首款“納米柵超低功耗鐵電晶體管”,這項(xiàng)被國(guó)際學(xué)術(shù)界評(píng)價(jià)為“四兩撥千斤”的創(chuàng)新成果,為解決芯片能耗難題開(kāi)辟了全新路徑。傳統(tǒng)芯片架構(gòu)中,存儲(chǔ)與計(jì)算模塊的物理分離導(dǎo)致數(shù)據(jù)頻繁搬運(yùn),如同廚師烹飪時(shí)需反復(fù)往返倉(cāng)庫(kù)取調(diào)料,既浪費(fèi)時(shí)間又消耗能量。研究團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人邱晨光研究員指出,鐵電晶體管雖具備“存算一體”特性——既能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)又可進(jìn)行計(jì)算,且斷電后信息不丟失,但其高操作電壓導(dǎo)致的巨大功耗始終制約著實(shí)際應(yīng)用。此次突破的關(guān)鍵在于,團(tuán)隊(duì)將晶體管核心部件柵極尺寸壓縮至1納米級(jí)別。這個(gè)尺寸相當(dāng)于將頭發(fā)絲直徑(約8萬(wàn)至10萬(wàn)納
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,上海艾為電子技術(shù)股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種用于芯片的開(kāi)關(guān)電路、芯片和電子設(shè)備”的專利,公開(kāi)號(hào)CN121530358A,申請(qǐng)日期為2025年11月。專利摘要顯示,本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種用于芯片的開(kāi)關(guān)電路、芯片和電子設(shè)備,其中開(kāi)關(guān)電路包括:功率管,所述功率管的輸入端與芯片的外部電源連接,所述功率管的輸出端與芯片內(nèi)的負(fù)載單元連接;多個(gè)放電電路,所述放電電路包括放電單元和檢測(cè)單元,所述放電單元的輸入端與所述功率管的控制端連接,所述檢測(cè)單元輸出端與所述放電單元的控制端連接;所述檢測(cè)單元檢測(cè)到預(yù)定的電路異常時(shí),向所述放電單元的控制端輸出控制信號(hào),控制所述放電單元按照設(shè)定的放電模式對(duì)所述功率管的控制端進(jìn)行放電;多個(gè)所述放電電路中,至少兩個(gè)所述放電電路通過(guò)所述檢測(cè)單元檢測(cè)的電路異
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,浙江英能電子科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“預(yù)驅(qū)動(dòng)模塊、芯片及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)”的專利,公開(kāi)號(hào)CN121530363A,申請(qǐng)日期為2026年1月。專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種預(yù)驅(qū)動(dòng)模塊、芯片及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng),包括:輸入級(jí)電路,基于輸入信號(hào)的控制為圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端充電或放電;圖騰柱結(jié)構(gòu)電路,輸出預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓,預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓源跟隨圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入電壓;第一比較器,產(chǎn)生第一比較結(jié)果;第二比較器,產(chǎn)生第二比較結(jié)果;上拉電路,受控于第一比較結(jié)果,用于加速預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓的升高;下拉電路,受控于第二比較結(jié)果,用于加速預(yù)驅(qū)動(dòng)電壓的下降;電容,連接在圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端和外置功率管的漏極之間。本發(fā)明的預(yù)驅(qū)動(dòng)模塊、芯片及驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)自適應(yīng)外置功率管的輸入電容,改善外置功率管開(kāi)關(guān)時(shí)產(chǎn)生的EMI問(wèn)題,工作效率高且
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,仝瑞半導(dǎo)體科技(上海)有限公司取得一項(xiàng)名為“一種可快速拆裝的芯片量產(chǎn)測(cè)試用插座”的專利,授權(quán)公告號(hào)CN223815386U,申請(qǐng)日期為2025年1月。專利摘要顯示,本實(shí)用新型提出一種可快速拆裝的芯片量產(chǎn)測(cè)試用插座,包括測(cè)試底座、浮動(dòng)支座、芯片保持座和頂蓋,浮動(dòng)支座底部滑動(dòng)扣合于測(cè)試底座頂部的浮動(dòng)凸部,緊貼浮動(dòng)支座的上表面設(shè)有芯片保持座,緊貼所述芯片保持座的頂部設(shè)有頂蓋。本實(shí)用新型通過(guò)將頂蓋蓋設(shè)于芯片保持座上且向下按壓,直至頂蓋兩側(cè)所設(shè)扣件底部的扣齒與測(cè)試底座兩側(cè)的扣槽相扣合,在按壓過(guò)程中,待測(cè)芯片的引腳被配合插入引腳插孔支座上所設(shè)的引腳插孔中,從而實(shí)現(xiàn)待測(cè)芯片的裝配連接,裝配簡(jiǎn)單。天眼查資料顯示,仝瑞半導(dǎo)體科技(上海)有限公司,成立于2021年,位于上海市,是一家以從
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,眸芯科技(上海)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法”的專利,公開(kāi)號(hào)CN121210229A,申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示,本發(fā)明公開(kāi)了芯片調(diào)測(cè)系統(tǒng)及方法,涉及芯片開(kāi)發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測(cè)芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置,外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測(cè)芯片端外部,與待測(cè)芯片通過(guò)管腳連接線連接,用于向待測(cè)芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào);待測(cè)芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置,其被配置為:通過(guò)待測(cè)芯片封裝的管腳,接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào),對(duì)該激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵(lì)信號(hào),再通過(guò)AMBA總線發(fā)送至待測(cè)芯片的目標(biāo)地址模塊,以對(duì)芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問(wèn)。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測(cè)試和調(diào)試手段,可以對(duì)傳統(tǒng)調(diào)測(cè)方案進(jìn)行補(bǔ)充或替
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,浙江唐鋒能源科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種電堆升降臺(tái)架”的專利,授權(quán)公告號(hào)CN223823295U,申請(qǐng)日期為2025年4月。專利摘要顯示,本實(shí)用新型提供一種電堆升降臺(tái)架,涉及燃料電池和電解水測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域,包括底座,底座設(shè)有升降裝置和儲(chǔ)液罐,升降裝置的升降端連接有稱重裝置,稱重裝置的稱重面安裝有傾斜活動(dòng)裝置,傾斜活動(dòng)裝置的傾斜活動(dòng)面安裝有測(cè)試臺(tái),測(cè)試臺(tái)內(nèi)設(shè)有測(cè)試槽;儲(chǔ)液罐連接有排液管,排液管的一端連通于測(cè)試槽。本實(shí)用新型通過(guò)設(shè)置升降裝置使得測(cè)試臺(tái)可以根據(jù)電堆尺寸升降至合適的位置,從而滿足了多種尺寸電堆測(cè)試的需求。通過(guò)在測(cè)試臺(tái)的下方設(shè)置傾斜活動(dòng)裝置,從而可以根據(jù)積水的量調(diào)節(jié)傾斜度,從而使其快速排水,減小安全隱患。通過(guò)設(shè)置稱重裝置,從而可以在穩(wěn)定狀態(tài)下對(duì)電堆進(jìn)行質(zhì)量測(cè)量,
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