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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，海光信息技術(shù)股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種用于開(kāi)關(guān)電源的控制裝置、開(kāi)關(guān)電源及控制方法”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121485467A，申請(qǐng)日期為2025年11月。專利摘要顯示，本發(fā)明實(shí)施例公開(kāi)一種用于開(kāi)關(guān)電源的控制裝置、開(kāi)關(guān)電源及控制方法，涉及開(kāi)關(guān)電源控制技術(shù)領(lǐng)域，能夠在保持信號(hào)穩(wěn)定的情況下，有效降低開(kāi)關(guān)電源的功耗。該控制裝置包括：反饋模塊，配置為根據(jù)所述功率部件的電壓輸出端的所述第二電壓信號(hào)以及所述功率部件中所述電壓輸入端與所述電壓輸出端之間的目標(biāo)電流信號(hào)的交流分量，生成脈沖觸發(fā)信號(hào)；脈沖寬度調(diào)制模塊，與所述反饋模塊耦接，配置為根據(jù)所述脈沖觸發(fā)信號(hào)輸出脈沖信號(hào)，所述脈沖信號(hào)包括依次輸出的第一電平和第二電平，所述第一電平的持續(xù)時(shí)長(zhǎng)為預(yù)設(shè)時(shí)長(zhǎng)，所述脈沖信號(hào)用于控制所述功率部件中
查看 >>2026-04-26
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，陜西亞成微電子股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“應(yīng)用于智能低側(cè)開(kāi)關(guān)芯片的可選擇升壓電路”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121508511A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種應(yīng)用于智能低側(cè)開(kāi)關(guān)芯片的可選擇升壓電路，智能低側(cè)開(kāi)關(guān)芯片包括引腳IN、功率管以及分別與引腳IN和功率管連接的電壓變化率控制模塊，可選擇升壓電路包括：可選擇電壓倍增模塊，其具有輸入端和輸出端，輸入端連接至智能低側(cè)開(kāi)關(guān)芯片的引腳IN，輸出端連接至電壓變化率控制模塊；可選擇電壓倍增模塊，用于檢測(cè)引腳IN的輸入電壓值，并基于輸入電壓值進(jìn)行升壓控制，得到目標(biāo)電壓，并將目標(biāo)電壓輸出至功率管，以使功率管的內(nèi)阻小于預(yù)設(shè)閾值，從而顯著降低開(kāi)關(guān)損耗，提高智能低側(cè)開(kāi)關(guān)芯片的效率與可靠性。天眼查資料顯示，陜西亞成微電子
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，河南平高電氣股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種負(fù)荷開(kāi)關(guān)聯(lián)鎖裝置及包括其的柱上負(fù)荷開(kāi)關(guān)”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121528788A，申請(qǐng)日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種負(fù)荷開(kāi)關(guān)聯(lián)鎖裝置及包括其的柱上負(fù)荷開(kāi)關(guān)，屬于柱上負(fù)荷開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，包括：固定板、主軸A、主軸B、輪軸、地軸C、地軸D、主凸輪、主桿、地凸輪、地桿、主鎖板及地鎖板，先利用主凸輪的外輪面與主桿的頂端滑動(dòng)接觸，由于地鎖板固定在主桿上，可以在轉(zhuǎn)動(dòng)主軸B啟閉負(fù)荷開(kāi)關(guān)的同時(shí)，聯(lián)動(dòng)地鎖板向下移動(dòng)，使地鎖板的地鎖孔鎖止地軸C，實(shí)現(xiàn)負(fù)荷開(kāi)關(guān)分合閘時(shí)，接地開(kāi)關(guān)無(wú)法操作；后利用地凸輪的外輪面與主鎖板底端接觸，由于地桿的頂端鉸接在地凸輪上且其底端通過(guò)拐臂固定在地軸D上，可以在轉(zhuǎn)動(dòng)地軸D啟閉接地開(kāi)關(guān)的同時(shí)，聯(lián)動(dòng)主鎖板向
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，吉安伊戈?duì)栯姎庥邢薰救〉靡豁?xiàng)名為“一種高效多輸出開(kāi)關(guān)電源”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223928238U，申請(qǐng)日期為2025年1月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型涉及開(kāi)關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種高效多輸出開(kāi)關(guān)電源，包括至少兩個(gè)模擬式恒流輸出模塊；高效原邊回路和變壓器T1的原邊繞組電連接，變壓器T1的副邊繞組和副邊濾波模塊電連接，副邊濾波模塊分別與模擬式恒流輸出模塊電連接；微控制器分別與模擬式恒流輸出模塊電連接，使其接收微控制器的PWM信號(hào)和保護(hù)動(dòng)作信號(hào)；變壓器T1的副邊輔助繞組分別與模擬式恒流輸出模塊電連接，為模擬式恒流輸出模塊提供降壓偏壓電源；第一、第二檢測(cè)模塊分別電連接于模擬式恒流輸出模塊和微控制器之間以及副邊濾波模塊和微控制器之間，用于信號(hào)反饋；解決了設(shè)多個(gè)輸出的開(kāi)關(guān)電
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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州力生美半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種開(kāi)關(guān)電源副邊導(dǎo)通時(shí)間的檢測(cè)方法和電路”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121508325A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種開(kāi)關(guān)電源副邊導(dǎo)通時(shí)間的檢測(cè)方法和電路。該檢測(cè)方法包括檢測(cè)所述開(kāi)關(guān)電源副邊的導(dǎo)通起始時(shí)刻；在所述起始時(shí)刻后延遲第一預(yù)設(shè)時(shí)間，得到延遲起始時(shí)刻；檢測(cè)開(kāi)關(guān)電源輔助繞組的電壓VS下降至預(yù)設(shè)參考電壓的時(shí)刻，并作為所述開(kāi)關(guān)電源副邊的導(dǎo)通結(jié)束時(shí)刻；將所述延遲起始時(shí)刻和所述導(dǎo)通結(jié)束時(shí)刻之間的時(shí)間間隔作為所述開(kāi)關(guān)電源副邊的導(dǎo)通時(shí)間。本發(fā)明通過(guò)引入延遲起始時(shí)刻的檢測(cè)方式，確保導(dǎo)通時(shí)間的測(cè)量更加準(zhǔn)確和一致。該方法簡(jiǎn)化了檢測(cè)電路設(shè)計(jì)，提高了測(cè)量的穩(wěn)定性和可靠性，有助于提升開(kāi)關(guān)電源恒流控制的精度和系統(tǒng)整體性能，適用于多
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泛克斯特 MOEORW-8106 無(wú)線二次壓降負(fù)荷測(cè)試儀
武漢摩恩智能電氣（簡(jiǎn)稱 “摩恩智能”），全資子公司為武漢泛克斯特電氣，專注高電壓檢測(cè)試驗(yàn)設(shè)備研發(fā)制造，前身為 1992 年武漢高壓研究所高試設(shè)備制造廠改制單位，依托多所科研院所與高校，是國(guó)內(nèi)起步早、產(chǎn)品全的制造商，現(xiàn)產(chǎn)品涵蓋十余品種、上百規(guī)格。電能計(jì)量綜合誤差過(guò)大是電能計(jì)量中普遍存在的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題。電壓互感器二次回路壓降引起的計(jì)量誤差往往是影響電能計(jì)量綜合誤差的最大因素。所謂電壓互感器二次壓降引起的誤差，就是指電壓互感器二次端子和負(fù)載端子之間電壓的幅值差相對(duì)于二次實(shí)際電壓的百分?jǐn)?shù)，以及兩個(gè)電壓之間的相位差的總稱。傳統(tǒng)測(cè)試方法是一臺(tái)設(shè)備用很長(zhǎng)的測(cè)試線同時(shí)檢測(cè)PT側(cè)和表計(jì)側(cè)的電壓，由于測(cè)試線過(guò)長(zhǎng)，就很容易造成PT二次的短路情況，這是很危險(xiǎn)的故障。分布式無(wú)線同步測(cè)量伏安相位等電參數(shù)，無(wú)線同步測(cè)量六
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1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個(gè)股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀(jì) - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國(guó)際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門(mén) ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤(pán)中成交額達(dá) 14.25 億元，換手率達(dá) 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點(diǎn)亮，預(yù)計(jì)今年 6 月通線，標(biāo)志著我國(guó)在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)進(jìn)入 “超級(jí)
查看 >>2026-04-26
國(guó)產(chǎn)芯片攻堅(jiān)！三大硬核專業(yè)鎖定高薪賽道
隨著國(guó)產(chǎn)芯片自主可控戰(zhàn)略推進(jìn)，半導(dǎo)體領(lǐng)域人才缺口持續(xù)擴(kuò)大，相關(guān)專業(yè)報(bào)考熱度逐年攀升。微電子科學(xué)與工程、集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)、材料科學(xué)與工程，作為攻克芯片 “卡脖子” 難題的核心專業(yè)，到底該怎么選？今天給考生和家長(zhǎng)一份清晰指南。作為連接芯片理論與制造的關(guān)鍵專業(yè)，微電子科學(xué)與工程主攻半導(dǎo)體器件物理、芯片制造工藝與設(shè)備研發(fā)，是突破芯片制造 “卡脖子” 的核心力量。其核心課程涵蓋量子力學(xué)、固體物理、半導(dǎo)體物理、集成電路工藝、器件設(shè)計(jì)等，形成 “理論 + 工程” 的全鏈條覆蓋。該專業(yè)學(xué)習(xí)難度較難，面臨 “物理 + 工程” 的雙重重壓。量子力學(xué)等抽象理論對(duì)數(shù)理基礎(chǔ)要求極高，而器件制備、工藝優(yōu)化等實(shí)驗(yàn)操作則需要極致耐心，理論與實(shí)踐的銜接難度不小。適合選擇該專業(yè)的考生，需具備拔尖的數(shù)理成績(jī)，能從容應(yīng)對(duì)抽象
查看 >>2026-04-26
1月16日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至10：22，上證指數(shù)下跌0.14%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲1.74%，個(gè)股方面，天岳先進(jìn)漲超 12%，中科飛測(cè)漲超 11%，芯源微漲超 9%，佰維存儲(chǔ)漲超 8%，富創(chuàng)精密、峰岹科技等漲超 6%，盛美上海漲超 5%，聯(lián)蕓科技、燕東微等漲超 4%，安集科技、瀾起科技等漲超 3%，華峰測(cè)控、頎中科技等漲超 2%，中芯國(guó)際、滬硅產(chǎn)業(yè)等漲超 1%。熱門(mén)ETF方面，科創(chuàng)芯片ETF（588200）漲1.70%，盤(pán)中成交額達(dá)17.64億元，換手率達(dá)3.97%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近6個(gè)月漲74.06%，近1年漲78.83%。消息面上，半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái) AI 需求爆發(fā)與國(guó)產(chǎn)替代深化的雙重機(jī)遇，板塊成長(zhǎng)邏輯持續(xù)強(qiáng)化。行業(yè)景氣度方面，AI 成為驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)高增長(zhǎng)的核心引擎，瑞
查看 >>2026-04-26
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，河南森源電氣股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種開(kāi)關(guān)聯(lián)鎖板及高壓開(kāi)關(guān)聯(lián)鎖裝置”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121237590A，申請(qǐng)日期為2024年6月。專利摘要顯示，本發(fā)明屬于兩個(gè)或更多開(kāi)關(guān)間的聯(lián)鎖的電開(kāi)關(guān)的聯(lián)鎖機(jī)構(gòu)領(lǐng)域，特別是涉及一種開(kāi)關(guān)聯(lián)鎖板及高壓開(kāi)關(guān)聯(lián)鎖裝置。為了解決現(xiàn)有閉鎖聯(lián)鎖裝置的結(jié)構(gòu)復(fù)雜，且容易誤操作真空開(kāi)關(guān)的技術(shù)問(wèn)題，開(kāi)關(guān)聯(lián)鎖板包括板本體，板本體具有上、中、下三個(gè)工位，板本體上設(shè)有兩個(gè)避讓孔，板本體的頂部具有止擋限位部；在上工位時(shí)，其中一個(gè)避讓孔用于與接地開(kāi)關(guān)操作孔對(duì)齊；在中工位時(shí)，另一個(gè)避讓孔用于與隔離開(kāi)關(guān)操作孔對(duì)齊；在下工位時(shí)，各避讓孔均用于與相應(yīng)的操作孔錯(cuò)開(kāi)，且止擋限位部用于在斷路器或負(fù)荷開(kāi)關(guān)合閘后與相應(yīng)聯(lián)鎖軸沿上下方向止擋配合；止擋限位部用于在上工位和中工位時(shí)
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