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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，陜西亞成微電子股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“應(yīng)用于智能低側(cè)開關(guān)芯片的可選擇升壓電路”的專利，公開號(hào)CN121508511A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種應(yīng)用于智能低側(cè)開關(guān)芯片的可選擇升壓電路，智能低側(cè)開關(guān)芯片包括引腳IN、功率管以及分別與引腳IN和功率管連接的電壓變化率控制模塊，可選擇升壓電路包括：可選擇電壓倍增模塊，其具有輸入端和輸出端，輸入端連接至智能低側(cè)開關(guān)芯片的引腳IN，輸出端連接至電壓變化率控制模塊；可選擇電壓倍增模塊，用于檢測(cè)引腳IN的輸入電壓值，并基于輸入電壓值進(jìn)行升壓控制，得到目標(biāo)電壓，并將目標(biāo)電壓輸出至功率管，以使功率管的內(nèi)阻小于預(yù)設(shè)閾值，從而顯著降低開關(guān)損耗，提高智能低側(cè)開關(guān)芯片的效率與可靠性。天眼查資料顯示，陜西亞成微電子

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，河南平高電氣股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種負(fù)荷開關(guān)聯(lián)鎖裝置及包括其的柱上負(fù)荷開關(guān)”的專利，公開號(hào)CN121528788A，申請(qǐng)日期為2025年12月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種負(fù)荷開關(guān)聯(lián)鎖裝置及包括其的柱上負(fù)荷開關(guān)，屬于柱上負(fù)荷開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，包括：固定板、主軸A、主軸B、輪軸、地軸C、地軸D、主凸輪、主桿、地凸輪、地桿、主鎖板及地鎖板，先利用主凸輪的外輪面與主桿的頂端滑動(dòng)接觸，由于地鎖板固定在主桿上，可以在轉(zhuǎn)動(dòng)主軸B啟閉負(fù)荷開關(guān)的同時(shí)，聯(lián)動(dòng)地鎖板向下移動(dòng)，使地鎖板的地鎖孔鎖止地軸C，實(shí)現(xiàn)負(fù)荷開關(guān)分合閘時(shí)，接地開關(guān)無法操作；后利用地凸輪的外輪面與主鎖板底端接觸，由于地桿的頂端鉸接在地凸輪上且其底端通過拐臂固定在地軸D上，可以在轉(zhuǎn)動(dòng)地軸D啟閉接地開關(guān)的同時(shí)，聯(lián)動(dòng)主鎖板向

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，吉安伊戈?duì)栯姎庥邢薰救〉靡豁?xiàng)名為“一種高效多輸出開關(guān)電源”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223928238U，申請(qǐng)日期為2025年1月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型涉及開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種高效多輸出開關(guān)電源，包括至少兩個(gè)模擬式恒流輸出模塊；高效原邊回路和變壓器T1的原邊繞組電連接，變壓器T1的副邊繞組和副邊濾波模塊電連接，副邊濾波模塊分別與模擬式恒流輸出模塊電連接；微控制器分別與模擬式恒流輸出模塊電連接，使其接收微控制器的PWM信號(hào)和保護(hù)動(dòng)作信號(hào)；變壓器T1的副邊輔助繞組分別與模擬式恒流輸出模塊電連接，為模擬式恒流輸出模塊提供降壓偏壓電源；第一、第二檢測(cè)模塊分別電連接于模擬式恒流輸出模塊和微控制器之間以及副邊濾波模塊和微控制器之間，用于信號(hào)反饋；解決了設(shè)多個(gè)輸出的開關(guān)電

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，蘇州力生美半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種開關(guān)電源副邊導(dǎo)通時(shí)間的檢測(cè)方法和電路”的專利，公開號(hào)CN121508325A，申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種開關(guān)電源副邊導(dǎo)通時(shí)間的檢測(cè)方法和電路。該檢測(cè)方法包括檢測(cè)所述開關(guān)電源副邊的導(dǎo)通起始時(shí)刻；在所述起始時(shí)刻后延遲第一預(yù)設(shè)時(shí)間，得到延遲起始時(shí)刻；檢測(cè)開關(guān)電源輔助繞組的電壓VS下降至預(yù)設(shè)參考電壓的時(shí)刻，并作為所述開關(guān)電源副邊的導(dǎo)通結(jié)束時(shí)刻；將所述延遲起始時(shí)刻和所述導(dǎo)通結(jié)束時(shí)刻之間的時(shí)間間隔作為所述開關(guān)電源副邊的導(dǎo)通時(shí)間。本發(fā)明通過引入延遲起始時(shí)刻的檢測(cè)方式，確保導(dǎo)通時(shí)間的測(cè)量更加準(zhǔn)確和一致。該方法簡(jiǎn)化了檢測(cè)電路設(shè)計(jì)，提高了測(cè)量的穩(wěn)定性和可靠性，有助于提升開關(guān)電源恒流控制的精度和系統(tǒng)整體性能，適用于多

目前市場(chǎng)上的100V以上的高壓DCDC電源芯片雖然種類繁多，但是電流普遍偏小，難以滿足一些大功率應(yīng)用的需求。針對(duì)這一市場(chǎng)痛點(diǎn)，我司特研發(fā)出了一款150V 2.5A的降壓恒壓芯片，該芯片不僅具有高電壓輸入能力，還具備大電流輸出的特點(diǎn)，能夠廣泛應(yīng)用于各種需要高功率、高效率、低功耗的電源轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景。尤其在應(yīng)對(duì)潛在的熱拔插應(yīng)用場(chǎng)景方面有出色的表現(xiàn)?！?支持高耐壓150V◆ 高恒壓精度高◆ 2.5A持續(xù)大電流，低功耗◆ 高工作轉(zhuǎn)換效率，可達(dá)95%◆ 輸出電壓可調(diào)≥3.3V◆ 動(dòng)態(tài)響應(yīng)優(yōu)異，線性和負(fù)載調(diào)整良好◆ 集成軟啟動(dòng)、過流保護(hù)OCP、過熱保護(hù)OTP、短路保護(hù)SCP◆ 針對(duì)頻繁熱拔插使用場(chǎng)景有出色的表現(xiàn)

超級(jí)電容器作為一種獨(dú)特的儲(chǔ)能元件，其電壓特性與傳統(tǒng)的電池和普通電容器有著顯著區(qū)別。要理解超級(jí)電容器的電壓范圍，首先需要明確其單體電壓的基本特點(diǎn)。超級(jí)電容器的單體電壓通常局限在2.5V至3.0V的范圍內(nèi)，更寬泛一些的標(biāo)準(zhǔn)工作電壓介于2.5V到3.3V單體之間。這個(gè)電壓值相對(duì)較低，可以將其比喻為每個(gè)超級(jí)電容器單體就像一個(gè)獨(dú)立的“小容量?jī)?chǔ)水罐”，其內(nèi)部能夠承受的“水壓”存在一個(gè)明確的上限。理解額定電壓與實(shí)際工作電壓的差異至關(guān)重要。額定電壓是制造商規(guī)定的最大安全工作電壓，但為了確保元件的長(zhǎng)期可靠性，在實(shí)際應(yīng)用中往往需要采取降額使用的原則。例如，如果某個(gè)超級(jí)電容器的額定電壓為4V，按照常見的70%降額標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)際使用的最高電壓建議不超過約2.8V。甚至有觀點(diǎn)指出，日常使用時(shí)的最佳電壓區(qū)間通常為標(biāo)稱電壓的

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，國(guó)網(wǎng)上海市電力公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“考慮V2G充電樁無功需求響應(yīng)的充電站分層優(yōu)化方法、設(shè)備及介質(zhì)”的專利，公開號(hào)CN121332587A，申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及一種考慮V2G充電樁無功需求響應(yīng)的充電站分層優(yōu)化方法、設(shè)備及介質(zhì)，將充電需求輸入電動(dòng)汽車分組模型中得到若干分組，在上層優(yōu)化模型中以充電成本最小化為目標(biāo)進(jìn)行求解，得到最優(yōu)充放電功率和無功功率范圍；在下層優(yōu)化模型中以配電網(wǎng)節(jié)點(diǎn)整體電壓偏差最小為目標(biāo)進(jìn)行求解，得到各充電站的無功補(bǔ)償量，再根據(jù)上層優(yōu)化模型得到的最優(yōu)充放電功率，計(jì)算配電網(wǎng)節(jié)點(diǎn)電壓變化狀態(tài)方程，進(jìn)行電壓變化預(yù)測(cè)。通過V2G充電樁的剩余容量對(duì)充電站所在的配電網(wǎng)節(jié)點(diǎn)進(jìn)行無功補(bǔ)償，提高配電網(wǎng)整體電壓質(zhì)量。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有協(xié)同性高

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳崧盛創(chuàng)新技術(shù)有限公司取得一項(xiàng)名為“一種光伏儲(chǔ)能逆變器的母線電壓泄放電路和光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223744580U，申請(qǐng)日期為2024年12月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型涉及一種光伏儲(chǔ)能逆變器的母線電壓泄放電路和光伏儲(chǔ)能系統(tǒng)，包括：控制電源、蓄能單元、限流分壓?jiǎn)卧⒂性淬Q位單元、功率開關(guān)管以及泄放單元；控制電源輸出電壓控制信號(hào)；蓄能單元在啟機(jī)時(shí)對(duì)功率開關(guān)管的控制端電壓進(jìn)行鉗位以控制回路不導(dǎo)通、以及在關(guān)機(jī)時(shí)釋放電能控制功率開關(guān)管開啟；限流分壓?jiǎn)卧獔?zhí)行限流操作；有源鉗位單元在正常運(yùn)行時(shí)對(duì)功率開關(guān)管的控制端電壓進(jìn)行鉗位；泄放單元在放電時(shí)泄放直流母線上的電壓。本實(shí)用新型可以在關(guān)機(jī)后控制功率開關(guān)管快速開啟并工作，可以避免啟機(jī)損耗和關(guān)機(jī)后泄放回路導(dǎo)通維持，還可以避

高壓放大器在半導(dǎo)體測(cè)試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色，它將測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號(hào)精準(zhǔn)放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓，以滿足各種嚴(yán)苛的測(cè)試條件。下面將詳細(xì)介紹它在幾個(gè)關(guān)鍵測(cè)試場(chǎng)景中的具體作用以及需求。介電擊穿測(cè)試：對(duì)芯片的絕緣層施加從低到高（可達(dá)±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點(diǎn)。需求：高輸出電壓、低噪聲（<100μVrms）、精確的電壓控制。芯片老化測(cè)試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應(yīng)力，加速芯片老化，以評(píng)估其長(zhǎng)期可靠性。需求：高電壓/電流輸出、長(zhǎng)期穩(wěn)定性、良好的過溫與過流保護(hù)機(jī)制。壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)（MEMS傳感器）：驅(qū)動(dòng)微機(jī)電系統(tǒng)中的壓電元件，實(shí)現(xiàn)精密運(yùn)動(dòng)或傳感。需求：能夠驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載、高輸出電流（峰值可達(dá)百mA級(jí)）、四象限輸出。晶體管參數(shù)測(cè)試：為