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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,海光信息技術(shù)股份有限公司申請一項名為“一種用于開關(guān)電源的控制裝置、開關(guān)電源及控制方法”的專利,公開號CN121485467A,申請日期為2025年11月。專利摘要顯示,本發(fā)明實施例公開一種用于開關(guān)電源的控制裝置、開關(guān)電源及控制方法,涉及開關(guān)電源控制技術(shù)領(lǐng)域,能夠在保持信號穩(wěn)定的情況下,有效降低開關(guān)電源的功耗。該控制裝置包括:反饋模塊,配置為根據(jù)所述功率部件的電壓輸出端的所述第二電壓信號以及所述功率部件中所述電壓輸入端與所述電壓輸出端之間的目標(biāo)電流信號的交流分量,生成脈沖觸發(fā)信號;脈沖寬度調(diào)制模塊,與所述反饋模塊耦接,配置為根據(jù)所述脈沖觸發(fā)信號輸出脈沖信號,所述脈沖信號包括依次輸出的第一電平和第二電平,所述第一電平的持續(xù)時長為預(yù)設(shè)時長,所述脈沖信號用于控制所述功率部件中
查看 >>2026-04-24
國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,陜西亞成微電子股份有限公司申請一項名為“應(yīng)用于智能低側(cè)開關(guān)芯片的可選擇升壓電路”的專利,公開號CN121508511A,申請日期為2025年10月。專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種應(yīng)用于智能低側(cè)開關(guān)芯片的可選擇升壓電路,智能低側(cè)開關(guān)芯片包括引腳IN、功率管以及分別與引腳IN和功率管連接的電壓變化率控制模塊,可選擇升壓電路包括:可選擇電壓倍增模塊,其具有輸入端和輸出端,輸入端連接至智能低側(cè)開關(guān)芯片的引腳IN,輸出端連接至電壓變化率控制模塊;可選擇電壓倍增模塊,用于檢測引腳IN的輸入電壓值,并基于輸入電壓值進行升壓控制,得到目標(biāo)電壓,并將目標(biāo)電壓輸出至功率管,以使功率管的內(nèi)阻小于預(yù)設(shè)閾值,從而顯著降低開關(guān)損耗,提高智能低側(cè)開關(guān)芯片的效率與可靠性。天眼查資料顯示,陜西亞成微電子
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,河南平高電氣股份有限公司申請一項名為“一種負(fù)荷開關(guān)聯(lián)鎖裝置及包括其的柱上負(fù)荷開關(guān)”的專利,公開號CN121528788A,申請日期為2025年12月。專利摘要顯示,本發(fā)明涉及一種負(fù)荷開關(guān)聯(lián)鎖裝置及包括其的柱上負(fù)荷開關(guān),屬于柱上負(fù)荷開關(guān)技術(shù)領(lǐng)域,包括:固定板、主軸A、主軸B、輪軸、地軸C、地軸D、主凸輪、主桿、地凸輪、地桿、主鎖板及地鎖板,先利用主凸輪的外輪面與主桿的頂端滑動接觸,由于地鎖板固定在主桿上,可以在轉(zhuǎn)動主軸B啟閉負(fù)荷開關(guān)的同時,聯(lián)動地鎖板向下移動,使地鎖板的地鎖孔鎖止地軸C,實現(xiàn)負(fù)荷開關(guān)分合閘時,接地開關(guān)無法操作;后利用地凸輪的外輪面與主鎖板底端接觸,由于地桿的頂端鉸接在地凸輪上且其底端通過拐臂固定在地軸D上,可以在轉(zhuǎn)動地軸D啟閉接地開關(guān)的同時,聯(lián)動主鎖板向
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,吉安伊戈爾電氣有限公司取得一項名為“一種高效多輸出開關(guān)電源”的專利,授權(quán)公告號CN223928238U,申請日期為2025年1月。專利摘要顯示,本實用新型涉及開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域,特別是一種高效多輸出開關(guān)電源,包括至少兩個模擬式恒流輸出模塊;高效原邊回路和變壓器T1的原邊繞組電連接,變壓器T1的副邊繞組和副邊濾波模塊電連接,副邊濾波模塊分別與模擬式恒流輸出模塊電連接;微控制器分別與模擬式恒流輸出模塊電連接,使其接收微控制器的PWM信號和保護動作信號;變壓器T1的副邊輔助繞組分別與模擬式恒流輸出模塊電連接,為模擬式恒流輸出模塊提供降壓偏壓電源;第一、第二檢測模塊分別電連接于模擬式恒流輸出模塊和微控制器之間以及副邊濾波模塊和微控制器之間,用于信號反饋;解決了設(shè)多個輸出的開關(guān)電
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,蘇州力生美半導(dǎo)體有限公司申請一項名為“一種開關(guān)電源副邊導(dǎo)通時間的檢測方法和電路”的專利,公開號CN121508325A,申請日期為2025年10月。專利摘要顯示,本發(fā)明提供了一種開關(guān)電源副邊導(dǎo)通時間的檢測方法和電路。該檢測方法包括檢測所述開關(guān)電源副邊的導(dǎo)通起始時刻;在所述起始時刻后延遲第一預(yù)設(shè)時間,得到延遲起始時刻;檢測開關(guān)電源輔助繞組的電壓VS下降至預(yù)設(shè)參考電壓的時刻,并作為所述開關(guān)電源副邊的導(dǎo)通結(jié)束時刻;將所述延遲起始時刻和所述導(dǎo)通結(jié)束時刻之間的時間間隔作為所述開關(guān)電源副邊的導(dǎo)通時間。本發(fā)明通過引入延遲起始時刻的檢測方式,確保導(dǎo)通時間的測量更加準(zhǔn)確和一致。該方法簡化了檢測電路設(shè)計,提高了測量的穩(wěn)定性和可靠性,有助于提升開關(guān)電源恒流控制的精度和系統(tǒng)整體性能,適用于多
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1月8日消息,據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示,截至 10:02,上證指數(shù)上漲 0.04%,科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%,個股方面,海光信息漲超 13%,芯原股份漲超 7%,寒武紀(jì) - U 漲超 5%,華虹公司漲超 4%,晶晨股份、中芯國際等漲超 3%,滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%,華海清科漲超 1%,中微公司跟漲。熱門 ETF 方面,科創(chuàng)芯片 ETF(588200)漲 3.01%,盤中成交額達 14.25 億元,換手率達 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示,該基金近 6 月漲 70.55%,近 1 年漲 78.20%。消息面上,國內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破,首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點亮,預(yù)計今年 6 月通線,標(biāo)志著我國在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步;全球存儲芯片市場進入 “超級
查看 >>2026-04-24
1月16日消息,據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示,截至10:22,上證指數(shù)下跌0.14%,科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲1.74%,個股方面,天岳先進漲超 12%,中科飛測漲超 11%,芯源微漲超 9%,佰維存儲漲超 8%,富創(chuàng)精密、峰岹科技等漲超 6%,盛美上海漲超 5%,聯(lián)蕓科技、燕東微等漲超 4%,安集科技、瀾起科技等漲超 3%,華峰測控、頎中科技等漲超 2%,中芯國際、滬硅產(chǎn)業(yè)等漲超 1%。熱門ETF方面,科創(chuàng)芯片ETF(588200)漲1.70%,盤中成交額達17.64億元,換手率達3.97%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示,該基金近6個月漲74.06%,近1年漲78.83%。消息面上,半導(dǎo)體行業(yè)迎來 AI 需求爆發(fā)與國產(chǎn)替代深化的雙重機遇,板塊成長邏輯持續(xù)強化。行業(yè)景氣度方面,AI 成為驅(qū)動半導(dǎo)體行業(yè)高增長的核心引擎,瑞
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,華能會理風(fēng)力發(fā)電有限公司;北京華能新銳控制技術(shù)有限公司;華能新能源股份有限公司;國電南瑞科技股份有限公司申請一項名為“新能源機組連續(xù)高低電壓故障穿越響應(yīng)控制方法、系統(tǒng)、設(shè)備及存儲介質(zhì)”的專利,公開號CN121282891A,申請日期為2025年10月。專利摘要顯示,本發(fā)明公開了新能源機組連續(xù)高低電壓故障穿越響應(yīng)控制方法、系統(tǒng)、設(shè)備及存儲介質(zhì),涉及新能源發(fā)電并網(wǎng)控制技術(shù)領(lǐng)域,包括構(gòu)建基于機端電壓特征的故障狀態(tài)識別機制,對機組運行電壓狀態(tài)進行判定,生成每一狀態(tài)的穿越狀態(tài)標(biāo)識;基于穿越狀態(tài)標(biāo)識執(zhí)行動態(tài)無功支撐控制邏輯,依據(jù)電壓等級動態(tài)加載無功支撐指令,輸出當(dāng)前電壓狀態(tài)的支撐輸出;基于無功支撐指令和支撐輸出,驅(qū)動穿越狀態(tài)機執(zhí)行多級切換控制,通過能量通道的分配邏輯統(tǒng)一控制高低壓
查看 >>2026-04-24
IC芯片故障失效分析案例
Wafer IC failure modeFailure ClassificationPhysical Failure (Structure)- Popcorn- Delamination- Crack (Package/Die)Electrical Failure (Connection)- Open- Short- Leakage- FunctionIn-Process Failure (Production)- Front-end (before molding)- Back-end (After molding)- Testing (FT/Burn-in)Reliability Failure (Qualification)- Temperature- Humidity- Pres
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