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國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，國(guó)碩電氣科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種滅弧效果好的負(fù)荷開(kāi)關(guān)”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223598579U，申請(qǐng)日期為2024年11月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種滅弧效果好的負(fù)荷開(kāi)關(guān)，包括開(kāi)關(guān)主體、動(dòng)觸頭組件、靜觸頭和滅弧組件。其中，滅弧組件由架體和多個(gè)并列排布的滅弧片組成，相鄰兩滅弧片間設(shè)有滅弧間隙。滅弧片中部設(shè)彎曲部，底部設(shè)向上延伸的瀉弧孔，瀉弧孔包括第一孔口、孔道和第二孔口，用于切割并排出電弧。滅弧片為叉形結(jié)構(gòu)，彎曲部由三段平滑折彎成形。架體上設(shè)多個(gè)安裝槽，與滅弧片配合固定。本實(shí)用新型通過(guò)優(yōu)化滅弧組件設(shè)計(jì)，提升了滅弧效果，便于維護(hù)和更換，提高了開(kāi)關(guān)的可靠性和使用壽命。天眼查資料顯示，國(guó)碩電氣科技有限公司，成立于2016年，位于溫州市，是一家以從事科技推廣和應(yīng)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，國(guó)碩電氣科技有限公司取得一項(xiàng)名為“一種滅弧效果好的負(fù)荷開(kāi)關(guān)”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN 223598579 U，申請(qǐng)日期為2024年11月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種滅弧效果好的負(fù)荷開(kāi)關(guān)，包括開(kāi)關(guān)主體、動(dòng)觸頭組件、靜觸頭和滅弧組件。其中，滅弧組件由架體和多個(gè)并列排布的滅弧片組成，相鄰兩滅弧片間設(shè)有滅弧間隙。滅弧片中部設(shè)彎曲部，底部設(shè)向上延伸的瀉弧孔，瀉弧孔包括第一孔口、孔道和第二孔口，用于切割并排出電弧。滅弧片為叉形結(jié)構(gòu)彎曲部由三段平滑折彎成形架體上設(shè)多個(gè)安裝槽與滅弧片配合固定。本實(shí)用新型通過(guò)優(yōu)化滅弧組件設(shè)計(jì)，提升了滅弧效果，便于維護(hù)和更換，提高了開(kāi)關(guān)的可靠性和使用壽命。天眼查資料顯示，國(guó)碩電氣科技有限公司，成立于2016年，位于溫州市，是一家以從事科技推廣和應(yīng)用

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海市實(shí)創(chuàng)智能電氣有限公司取得一項(xiàng)名為“一種負(fù)荷開(kāi)關(guān)絕緣護(hù)套”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN 223598425 U，申請(qǐng)日期為2025年2月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型公開(kāi)了一種負(fù)荷開(kāi)關(guān)絕緣護(hù)套，屬于負(fù)荷開(kāi)關(guān)技術(shù)領(lǐng)域，包括絕緣護(hù)套本體，所述絕緣護(hù)套本體上設(shè)有波紋舌，所述絕緣護(hù)套本體內(nèi)面波紋舌的突起部和波紋舌的凹陷部交替設(shè)置，所述絕緣護(hù)套本體的表面涂覆有防水層，所述防水層包括有聚氨酯防水涂層、丙凝防水涂層和丙烯酸防水涂層，所述絕緣護(hù)套本體的內(nèi)壁填充有硅橡膠。本實(shí)用新型通過(guò)波紋舌的設(shè)置，使得絕緣護(hù)套本體具備良好的延展性，當(dāng)需要將絕緣護(hù)套本體進(jìn)行彎曲時(shí)，波紋舌可以通過(guò)自身的彈性變形來(lái)吸收彎曲應(yīng)力，減少因彎曲引起的應(yīng)力和損傷，進(jìn)而避免絕緣護(hù)套本體受到拉伸和壓縮應(yīng)力，導(dǎo)致絕緣護(hù)套本體出

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，正泰電氣股份有限公司取得一項(xiàng)名為“負(fù)荷開(kāi)關(guān)”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN114551130B，申請(qǐng)日期為2022年3月。天眼查資料顯示，正泰電氣股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以從事研究和試驗(yàn)發(fā)展為主的企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)資本95851.3347萬(wàn)人民幣。通過(guò)天眼查大數(shù)據(jù)分析，正泰電氣股份有限公司共對(duì)外投資了23家企業(yè)，參與招投標(biāo)項(xiàng)目4545次，財(cái)產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息19條，專利信息882條，此外企業(yè)還擁有行政許可287個(gè)。聲明：市場(chǎng)有風(fēng)險(xiǎn)，投資需謹(jǐn)慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成，僅供參考，不構(gòu)成個(gè)人投資建議。

證券之星消息，根據(jù)天眼查APP-財(cái)產(chǎn)線索數(shù)據(jù)整理，株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司1月13日發(fā)布《開(kāi)關(guān)電源尋源直接采購(gòu)公示》，詳情如下：標(biāo)題：開(kāi)關(guān)電源尋源直接采購(gòu)公示通過(guò)天眼查大數(shù)據(jù)分析，株洲中車時(shí)代電氣股份有限公司共對(duì)外投資了38家企業(yè)，參與招投標(biāo)項(xiàng)目9964次；財(cái)產(chǎn)線索方面有專利信息3720條，著作權(quán)信息136條；此外企業(yè)還擁有行政許可151個(gè)。數(shù)據(jù)來(lái)源：天眼查APP

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，無(wú)錫信捷電氣股份有限公司取得一項(xiàng)名為“一種CAN總線終端電阻控制開(kāi)關(guān)電路”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223772027U，申請(qǐng)日期為2025年2月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型涉及CAN總線控制技術(shù)領(lǐng)域，具體是一種CAN總線終端電阻控制開(kāi)關(guān)電路，包括CAN收發(fā)器、NMOS開(kāi)關(guān)模塊和微控芯片，CAN收發(fā)器包括第一引腳、第二引腳、第六引腳和第七引腳，第一引腳和第四引腳分別與CAN總線連接；第七引腳與終端電阻的一端連接，終端電阻的另一端與MOSFET開(kāi)關(guān)模塊連接；MOSFET開(kāi)關(guān)模塊包括相互連接的第一NMOS管和第二NMOS管，第一NMOS管的D極與終端電阻連接，第一NMOS管的S極與第六引腳連接，第一NMOS管的G極與第二NMOS管的D極連接，第二NMOS管的G極與微控芯片連接。

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，四川華能瀘定水電有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“負(fù)荷開(kāi)關(guān)狀態(tài)監(jiān)測(cè)裝置及水電站電氣設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121508145A，申請(qǐng)日期為2025年11月。專利摘要顯示，本申請(qǐng)公開(kāi)了一種負(fù)荷開(kāi)關(guān)狀態(tài)監(jiān)測(cè)裝置及水電站電氣設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，涉及電氣設(shè)備狀態(tài)監(jiān)測(cè)技術(shù)領(lǐng)域，該裝置包括：通信模塊、監(jiān)測(cè)模塊以及至少一個(gè)采集模塊；采集模塊的輸入端分別與饋線柜中的若干個(gè)負(fù)荷開(kāi)關(guān)的狀態(tài)輸出端連接，通信模塊分別與監(jiān)測(cè)模塊以及各采集模塊連接；采集模塊，用于采集各負(fù)荷開(kāi)關(guān)的觸點(diǎn)狀態(tài)，并生成狀態(tài)數(shù)據(jù)；通信模塊，用于在采集模塊與監(jiān)測(cè)模塊之間傳輸狀態(tài)數(shù)據(jù)；監(jiān)測(cè)模塊，用于接收并解析狀態(tài)數(shù)據(jù)，以確定各負(fù)荷開(kāi)關(guān)的分合閘狀態(tài)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請(qǐng)通過(guò)模塊化采集與總線式傳輸，實(shí)現(xiàn)了負(fù)荷開(kāi)關(guān)狀態(tài)數(shù)據(jù)的集中監(jiān)

在半導(dǎo)體測(cè)試、功率器件研究及高壓電子元件開(kāi)發(fā)等領(lǐng)域，高壓探針臺(tái)扮演著不可或缺的角色。與普通探針臺(tái)相比，高壓探針臺(tái)在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、安全性能和測(cè)試能力上具有顯著優(yōu)勢(shì)，能夠滿足高壓環(huán)境下的精密測(cè)試需求，下面鍵德測(cè)試測(cè)量小編就來(lái)詳細(xì)介紹下選擇高壓探針臺(tái)的原因。選擇高壓探針臺(tái)的原因如下：一、滿足高壓測(cè)試需求高壓探針臺(tái)專為高電壓環(huán)境下的測(cè)試而設(shè)計(jì)，能夠承受數(shù)百伏甚至數(shù)千伏的電壓，而普通探針臺(tái)通常僅適用于低壓測(cè)試。在功率半導(dǎo)體(如IGBT、MOSFET、SiC器件等)的研發(fā)與生產(chǎn)過(guò)程中，器件往往需要在高壓條件下進(jìn)行性能評(píng)估，例如擊穿電壓測(cè)試、漏電流測(cè)試及耐壓特性分析。高壓探針臺(tái)通過(guò)其特殊設(shè)計(jì)的絕緣結(jié)構(gòu)和高壓接口，確保測(cè)試過(guò)程中的信號(hào)穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性，是高壓器件測(cè)試的理想選擇。二、保障測(cè)試安全高壓測(cè)試環(huán)境對(duì)設(shè)

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海翃視科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法及硅基液晶芯片”的專利，公開(kāi)號(hào)CN121034243A，申請(qǐng)日期為2025年8月。專利摘要顯示，本發(fā)明揭示了一種硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法及硅基液晶芯片，所述硅基液晶芯片包括一像素矩陣，所述像素矩陣具多行多列像素組成，所述硅基液晶芯片的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)方法通過(guò)行信號(hào)以行為單位對(duì)像素矩陣進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，并且所述硅基液晶芯片包括一列選復(fù)用電路，所述列選復(fù)用電路包括多個(gè)選擇開(kāi)關(guān)，每一選擇開(kāi)關(guān)與所述像素矩陣的每一列對(duì)應(yīng)，通過(guò)控制上述列選復(fù)用電路的多個(gè)選擇開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通順序而驅(qū)動(dòng)所述像素矩陣對(duì)應(yīng)的列，其中所述列選復(fù)用電路采用輪轉(zhuǎn)方式控制所述多個(gè)選擇開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通順序。天眼查資料顯示，上海翃視科技有限公司，成立于2023年，位于上海市，是一家

高壓斷路器進(jìn)行機(jī)械特性試驗(yàn)的原因主要有以下幾點(diǎn)：1、確保性能符合標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械特性試驗(yàn)可驗(yàn)證斷路器的分合閘時(shí)間、速度、同期性等參數(shù)是否符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和制造廠規(guī)定。這些參數(shù)直接影響斷路器的開(kāi)斷和關(guān)合能力，只有參數(shù)在范圍內(nèi)，才能保證斷路器在正常和故障情況下可靠動(dòng)作。2、保障電力系統(tǒng)穩(wěn)定性分合閘時(shí)間過(guò)長(zhǎng)或不同期，可能導(dǎo)致故障電流切除不及時(shí)，引發(fā)系統(tǒng)電壓波動(dòng)、設(shè)備損壞甚至停電事故。通過(guò)試驗(yàn)，可及時(shí)發(fā)現(xiàn)并調(diào)整這些問(wèn)題，確保電力系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行。3、評(píng)估機(jī)械健康狀況試驗(yàn)?zāi)軝z測(cè)斷路器的機(jī)械部件磨損、傳動(dòng)機(jī)構(gòu)故障、觸頭彈性等問(wèn)題。例如，觸頭磨損可能導(dǎo)致接觸不良，影響導(dǎo)電性能；傳動(dòng)機(jī)構(gòu)卡滯可能使分合閘速度異常。早期發(fā)現(xiàn)這些問(wèn)題，可避免設(shè)備故障擴(kuò)大。4、預(yù)防安全事故適當(dāng)?shù)姆趾祥l速度能減少電弧燃燒時(shí)間，降低觸頭燒損、爆炸等風(fēng)