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安捷倫基礎(chǔ)直流電源為預(yù)算緊張的客戶提供了基本功能。E3632A-E3634A 120-200 W GPIB 單路輸出電源提供雙量程輸出，并且外形小巧，適合作為臺(tái)式電源使用。它還擁有低輸出紋波和噪聲特性，并內(nèi)置測(cè)量和基本編程功能，以及 GPIB 和 RS232 接口。Agilent E3632A 120W GPIB 單路輸出電源是為手動(dòng)測(cè)試和基本自動(dòng)測(cè)試優(yōu)化設(shè)計(jì)的高性能電源。它將臺(tái)式電源的功能和系統(tǒng)電源的特性完美地集于一身，可幫助改善測(cè)量質(zhì)量并縮短測(cè)試時(shí)間。參數(shù)特點(diǎn):額定輸出量程 1：0 至 15 V，7 A量程 2：0 至 30 V，4 A編程精度（25°C ±5°C）電壓： 0.05% + 10 mV電流： 0.2% +10 mA紋波和噪聲（20 Hz 至 20 MHz）正常模式電壓： &

高壓放大器在半導(dǎo)體測(cè)試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色，它將測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號(hào)精準(zhǔn)放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓，以滿足各種嚴(yán)苛的測(cè)試條件。下面將詳細(xì)介紹它在幾個(gè)關(guān)鍵測(cè)試場(chǎng)景中的具體作用以及需求。介電擊穿測(cè)試：對(duì)芯片的絕緣層施加從低到高（可達(dá)±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點(diǎn)。需求：高輸出電壓、低噪聲（<100μVrms）、精確的電壓控制。芯片老化測(cè)試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應(yīng)力，加速芯片老化，以評(píng)估其長(zhǎng)期可靠性。需求：高電壓/電流輸出、長(zhǎng)期穩(wěn)定性、良好的過溫與過流保護(hù)機(jī)制。壓電陶瓷驅(qū)動(dòng)（MEMS傳感器）：驅(qū)動(dòng)微機(jī)電系統(tǒng)中的壓電元件，實(shí)現(xiàn)精密運(yùn)動(dòng)或傳感。需求：能夠驅(qū)動(dòng)容性負(fù)載、高輸出電流（峰值可達(dá)百mA級(jí)）、四象限輸出。晶體管參數(shù)測(cè)試：為

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，仝瑞半導(dǎo)體科技（上海）有限公司取得一項(xiàng)名為“一種可快速拆裝的芯片量產(chǎn)測(cè)試用插座”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN223815386U，申請(qǐng)日期為2025年1月。專利摘要顯示，本實(shí)用新型提出一種可快速拆裝的芯片量產(chǎn)測(cè)試用插座，包括測(cè)試底座、浮動(dòng)支座、芯片保持座和頂蓋，浮動(dòng)支座底部滑動(dòng)扣合于測(cè)試底座頂部的浮動(dòng)凸部，緊貼浮動(dòng)支座的上表面設(shè)有芯片保持座，緊貼所述芯片保持座的頂部設(shè)有頂蓋。本實(shí)用新型通過將頂蓋蓋設(shè)于芯片保持座上且向下按壓，直至頂蓋兩側(cè)所設(shè)扣件底部的扣齒與測(cè)試底座兩側(cè)的扣槽相扣合，在按壓過程中，待測(cè)芯片的引腳被配合插入引腳插孔支座上所設(shè)的引腳插孔中，從而實(shí)現(xiàn)待測(cè)芯片的裝配連接，裝配簡(jiǎn)單。天眼查資料顯示，仝瑞半導(dǎo)體科技（上海）有限公司，成立于2021年，位于上海市，是一家以從

東科半導(dǎo)體自2020年以來持續(xù)深耕合封芯片領(lǐng)域，先后推出業(yè)內(nèi)首款全合封氮化鎵不對(duì)稱半橋產(chǎn)品、業(yè)界唯一的全合封高壓有源箝位反激（ACF）芯片、合封準(zhǔn)諧振（QR）反激芯片，以及高集成度的同步整流合封芯片系列，這些產(chǎn)品在簡(jiǎn)化外圍器件、降低調(diào)試難度和控制成本上取得了成功 。通過將功率器件、驅(qū)動(dòng)和控制器合而為一，可有效減少PCB面積和連線寄生，提升系統(tǒng)集成度與可靠性。在 3 月 28 日舉行的 2025（春季）亞洲充電展·亞洲充電大會(huì)上，東科半導(dǎo)體曾預(yù)告將推出全新的合封 PFC 芯片 DK83XX 系列。近日，首款產(chǎn)品 DK8318 正式發(fā)布，將 700V/101mΩ GaN 功率管與 CRM/DCM PFC 控制器高度集成于 ESOP16L 封裝，配合谷底導(dǎo)通、輸出電壓分段、輸入功率補(bǔ)償以及極低待機(jī)

上證報(bào)中國(guó)證券網(wǎng)訊（記者 劉怡鶴）1月27日上午，半導(dǎo)體板塊率先反彈。截至10時(shí)36分，東芯股份20cm漲停，電科芯片漲停，明微電子、普冉股份漲超13%，興福電子漲超11%。近期，繼存儲(chǔ)芯片漲價(jià)潮以來，CPU漲價(jià)也獲得關(guān)注。國(guó)金證券研報(bào)認(rèn)為，Agent（智能體）驅(qū)動(dòng)的強(qiáng)化學(xué)習(xí)(RL)時(shí)代，CPU可能比GPU更早成為瓶頸。Agent時(shí)代算力的“木桶效應(yīng)”已經(jīng)顯現(xiàn)，目前CPU正演變?yōu)轭愃朴诖鎯?chǔ)的新短板，補(bǔ)足這一短板將是下階段算力基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)的重中之重。

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，芯瞳半導(dǎo)體技術(shù)（廈門）有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“多核芯片的操作方法、設(shè)計(jì)方法及多核芯片”的專利，公開號(hào)CN121351726A，申請(qǐng)日期為2025年12月。專利摘要顯示，本公開涉及半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造的技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種多核芯片的操作方法、設(shè)計(jì)方法及多核芯片。本公開的技術(shù)方案將可接受制造缺陷的電路邏輯分為第一邏輯分組，不可接受制造缺陷的電路邏輯分為第二邏輯分組；通過讀取多核芯片上至少一個(gè)計(jì)算核心的缺陷狀態(tài)，可以確定出計(jì)算核心內(nèi)可接受制造缺陷的第一邏輯分組的可用性；在缺陷狀態(tài)指示第一邏輯分組不可用時(shí)，配置計(jì)算核心內(nèi)的控制寄存器關(guān)閉第一邏輯分組，同時(shí)保持計(jì)算核心內(nèi)不可接受制造缺陷的第二邏輯分組處于運(yùn)行狀態(tài)，不影響計(jì)算核心的功能電路邏輯。該技術(shù)方案使多核芯片可接受制造缺陷的電路

當(dāng)前先進(jìn)制程 SoC、功率器件與高集成電源芯片持續(xù)迭代，也有很多人在關(guān)注芯片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)，就前不久小米爆火的玄戒O1來說，在發(fā)布不久后就有很多人關(guān)注這款芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，從驗(yàn)證自研真實(shí)性、梳理關(guān)鍵 IP 結(jié)構(gòu)，到還原電源/功率路徑、定位可靠性風(fēng)險(xiǎn)，越來越多的工程判斷需要落到芯片本體與封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)層面。基于此，芯片網(wǎng)正式上線 DECAP 半導(dǎo)體分析服務(wù)，聚焦芯片市場(chǎng)與功率器件兩大市場(chǎng)，補(bǔ)齊從芯片封裝開蓋、芯粒顯微觀察到關(guān)鍵器件結(jié)構(gòu)解析的專業(yè)能力，為產(chǎn)業(yè)提供更具工程指向的樣品級(jí)分析與內(nèi)容化交付支持。在介紹業(yè)務(wù)之前，先來簡(jiǎn)單了解一下什么是 DECAP？DECAP 常指對(duì)已封裝IC或半導(dǎo)體器件進(jìn)行局部開蓋/去膠處理，完整暴露內(nèi)部的晶粒、邦定線和焊盤，在盡量不破壞內(nèi)部結(jié)構(gòu)的前提下，為后續(xù)目檢、結(jié)構(gòu)識(shí)別、失

來源：?jiǎn)柖赝顿Y者提問：司研發(fā)的半導(dǎo)體冷卻板可用于存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)嗎？董秘回答(斯瑞新材SH688102)：投資者您好！感謝您對(duì)公司的關(guān)注。關(guān)于相關(guān)業(yè)務(wù)的應(yīng)用請(qǐng)您詳見公司披露在上海證券交易所官網(wǎng)的定期報(bào)告。祝您投資愉快！查看更多董秘問答>>