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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，河南平芝高壓開關(guān)有限公司取得一項名為“一種斷路器裝配工裝”的專利，授權(quán)公告號CN223927252U，申請日期為2024年12月。專利摘要顯示，本實用新型提供了一種斷路器裝配工裝，屬于專門適用于制造電開關(guān)的專用設(shè)備或方法技術(shù)領(lǐng)域。斷路器裝配工裝包括底座，底座上裝有支撐板，支撐板用于支撐其中一個法蘭且支撐板上設(shè)有用于使法蘭與支撐板同軸的第一定位結(jié)構(gòu)，底座上固定有導(dǎo)桿，導(dǎo)桿上安裝有活動件，活動件上裝有定位板，定位板上設(shè)有用于對另外一個法蘭進行定位以使法蘭與定位板同軸的第二定位結(jié)構(gòu)，支撐板相對底座的水平位置可調(diào)或/和定位板相對活動件的水平位置可調(diào)，支撐板或底座上以及定位板或活動件上設(shè)有用于使支撐板和定位板同軸的第三定位結(jié)構(gòu)。通過本實用新型的裝配工裝可以間接定位固定部法蘭和可

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，西安西電高壓開關(guān)有限責(zé)任公司、中國西電電氣股份有限公司取得一項名為“一種密封端子板氣密性檢測裝置”的專利，授權(quán)公告號CN223925947U，申請日期為2025年4月。專利摘要顯示，本實用新型涉及領(lǐng)域，尤其涉及一種密封端子板氣密性檢測裝置，包括上部密封結(jié)構(gòu)、下部密封結(jié)構(gòu)、上注氣管路和下注氣管路；上部密封結(jié)構(gòu)包括上外部套筒和布置于上外部套筒中多個上內(nèi)部套筒；下部密封結(jié)構(gòu)包括下外部套筒和布置于下外部套筒中的多個下內(nèi)部套筒；待測密封端子板懸空水平放置于下內(nèi)部套筒中，下內(nèi)部套筒與上內(nèi)部套筒配合壓緊待測密封端子板；下注氣管路的一端與外部汽源連通，另一端與下密封外部腔體、多個下內(nèi)部套筒連通。本實用新型中上下密封結(jié)構(gòu)通過外部套筒與內(nèi)部套筒形成雙重密封腔體，結(jié)合上下注氣管路獨立供氣，

1月8日消息，據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示，截至 10:02，上證指數(shù)上漲 0.04%，科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%，個股方面，海光信息漲超 13%，芯原股份漲超 7%，寒武紀 - U 漲超 5%，華虹公司漲超 4%，晶晨股份、中芯國際等漲超 3%，滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%，華海清科漲超 1%，中微公司跟漲。熱門 ETF 方面，科創(chuàng)芯片 ETF（588200）漲 3.01%，盤中成交額達 14.25 億元，換手率達 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示，該基金近 6 月漲 70.55%，近 1 年漲 78.20%。消息面上，國內(nèi)半導(dǎo)體技術(shù)取得重大突破，首條二維半導(dǎo)體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點亮，預(yù)計今年 6 月通線，標志著我國在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步；全球存儲芯片市場進入 “超級

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，微芯片技術(shù)股份有限公司申請一項名為“用于離散時間模擬前端的改善型離散時間線性均衡器”的專利，公開號CN121220010A，申請日期為2024年4月。專利摘要顯示，一種裝置包括離散時間線性均衡器電路。離散時間線性均衡器電路包括采樣和保持電路，該采樣和保持電路包括多個開關(guān)電容器電路。多個開關(guān)電容器電路至少包括預(yù)光標抽頭的開關(guān)電容器電路、光標抽頭的開關(guān)電容器電路和后光標抽頭的開關(guān)電容器電路。時鐘驅(qū)動開關(guān)電路用于在第一時間段內(nèi)將預(yù)光標抽頭的開關(guān)電容器電路的電容器可切換地耦合到信號輸入部，在第二時間段內(nèi)將光標抽頭的開關(guān)電容器電路的電容器可切換地耦合到信號輸入部，并且在第三時間段內(nèi)將后光標抽頭的開關(guān)電容器電路的電容器可切換地耦合到信號輸入部。時鐘驅(qū)動開關(guān)電路用于在第四時間段內(nèi)將

芯片開封的定義芯片開封，即Decap，是一種對完整封裝的集成電路（IC）芯片進行局部處理的工藝。其目的是去除芯片的封裝外殼，暴露出芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)，同時確保芯片功能不受損。芯片開封是芯片故障分析實驗的重要準備環(huán)節(jié)，能夠保護芯片的Die、bond pads、bond wires及l(fā)ead等關(guān)鍵部分，為后續(xù)的失效分析測試提供便利，便于進行熱點定位、聚焦離子束（FIB）等測試操作。芯片開封的方法1.激光開封激光開封是利用激光束的能量作用于芯片塑封表面，通過氣化作用去除器件填充料。這種方法具有顯著優(yōu)勢，操作速度快，過程簡便，且相對安全，無危險性。激光開封能夠精準地去除封裝材料，而不會對芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)造成不必要的損傷，因此在芯片開封領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。。2.化學(xué)腐蝕化學(xué)腐蝕則依賴于特定的化學(xué)試劑，如濃硫酸、

來源：界面新聞截至2026年1月21日 11:11，上證科創(chuàng)板芯片設(shè)計主題指數(shù)(950162)強勢上漲5.48%，科創(chuàng)芯片設(shè)計ETF易方達(589030)一度漲超6%，現(xiàn)漲5.46%，盤中換手32.78%，成交9733.35萬元，市場交投活躍。消息面上，國務(wù)院新聞辦公室舉行新聞發(fā)布會，請工業(yè)和信息化部相關(guān)負責(zé)人介紹2025年工業(yè)和信息化發(fā)展成效以及下一步部署。他表示，下一步，我們將抓好技術(shù)創(chuàng)新，加快突破訓(xùn)練芯片、異構(gòu)算力等關(guān)鍵技術(shù)。抓好融合應(yīng)用，聚焦軟件編程、新材料研發(fā)、醫(yī)藥研發(fā)、信息通信等行業(yè)領(lǐng)域，體系化推動大小模型、智能體實現(xiàn)突破。AI算力需求持續(xù)爆發(fā)，推動先進制程技術(shù)加速迭代。財通證券指出，臺積電2025年第四季度營收創(chuàng)歷史新高，先進制程（7nm及以下）營收占比提升至77%，其中3nm

在電源設(shè)計領(lǐng)域，寬輸入電壓、高效率的升壓解決方案一直是工程師關(guān)注的重點。今天以 H6801 這款電流模式 BOOST 異步升壓控制芯片為例，簡單談?wù)勂湓O(shè)計特點與應(yīng)用思路。一、適應(yīng)寬電壓輸入范圍H6801 支持 2.7V 至 25V 的輸入電壓，啟動電壓可低至 2.5V。這樣的寬范圍輸入特性，使其能夠兼容多種電源環(huán)境，例如單節(jié)鋰電、多節(jié)串聯(lián)電池或適配器供電場景。芯片內(nèi)部集成了 40V LDO，進一步增強了供電穩(wěn)定性。二、多模式自動切換與效率表現(xiàn)該芯片可根據(jù)負載情況，在 PWM、PFM 及 BURST 模式之間自動切換。輕載時采用 PFM 或 BURST 模式有助于降低損耗，重載時則以 PWM 模式維持穩(wěn)定輸出。這種動態(tài)調(diào)節(jié)機制有助于在全負載范圍內(nèi)保持較高的轉(zhuǎn)換效率，典型效率可大于95%。在輸出