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國產(chǎn)芯片攻堅(jiān)!三大硬核專業(yè)鎖定高薪賽道
隨著國產(chǎn)芯片自主可控戰(zhàn)略推進(jìn),半導(dǎo)體領(lǐng)域人才缺口持續(xù)擴(kuò)大,相關(guān)專業(yè)報(bào)考熱度逐年攀升。微電子科學(xué)與工程、集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)、材料科學(xué)與工程,作為攻克芯片 “卡脖子” 難題的核心專業(yè),到底該怎么選?今天給考生和家長一份清晰指南。作為連接芯片理論與制造的關(guān)鍵專業(yè),微電子科學(xué)與工程主攻半導(dǎo)體器件物理、芯片制造工藝與設(shè)備研發(fā),是突破芯片制造 “卡脖子” 的核心力量。其核心課程涵蓋量子力學(xué)、固體物理、半導(dǎo)體物理、集成電路工藝、器件設(shè)計(jì)等,形成 “理論 + 工程” 的全鏈條覆蓋。該專業(yè)學(xué)習(xí)難度較難,面臨 “物理 + 工程” 的雙重重壓。量子力學(xué)等抽象理論對(duì)數(shù)理基礎(chǔ)要求極高,而器件制備、工藝優(yōu)化等實(shí)驗(yàn)操作則需要極致耐心,理論與實(shí)踐的銜接難度不小。適合選擇該專業(yè)的考生,需具備拔尖的數(shù)理成績,能從容應(yīng)對(duì)抽象
查看 >>2026-04-16
1月16日消息,據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示,截至10:22,上證指數(shù)下跌0.14%,科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲1.74%,個(gè)股方面,天岳先進(jìn)漲超 12%,中科飛測漲超 11%,芯源微漲超 9%,佰維存儲(chǔ)漲超 8%,富創(chuàng)精密、峰岹科技等漲超 6%,盛美上海漲超 5%,聯(lián)蕓科技、燕東微等漲超 4%,安集科技、瀾起科技等漲超 3%,華峰測控、頎中科技等漲超 2%,中芯國際、滬硅產(chǎn)業(yè)等漲超 1%。熱門ETF方面,科創(chuàng)芯片ETF(588200)漲1.70%,盤中成交額達(dá)17.64億元,換手率達(dá)3.97%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示,該基金近6個(gè)月漲74.06%,近1年漲78.83%。消息面上,半導(dǎo)體行業(yè)迎來 AI 需求爆發(fā)與國產(chǎn)替代深化的雙重機(jī)遇,板塊成長邏輯持續(xù)強(qiáng)化。行業(yè)景氣度方面,AI 成為驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)高增長的核心引擎,瑞
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H6253K寬電壓降壓恒壓芯片120V降5V 150V降5V 48V降5V DC-DC電源管理芯片 原廠直供 性價(jià)比高
目前市場上的100V以上的高壓DCDC電源芯片雖然種類繁多,但是電流普遍偏小,難以滿足一些大功率應(yīng)用的需求。針對(duì)這一市場痛點(diǎn),我司特研發(fā)出了一款150V 2.5A的降壓恒壓芯片,該芯片不僅具有高電壓輸入能力,還具備大電流輸出的特點(diǎn),能夠廣泛應(yīng)用于各種需要高功率、高效率、低功耗的電源轉(zhuǎn)換的場景。尤其在應(yīng)對(duì)潛在的熱拔插應(yīng)用場景方面有出色的表現(xiàn)。◆ 支持高耐壓150V◆ 高恒壓精度高◆ 2.5A持續(xù)大電流,低功耗◆ 高工作轉(zhuǎn)換效率,可達(dá)95%◆ 輸出電壓可調(diào)≥3.3V◆ 動(dòng)態(tài)響應(yīng)優(yōu)異,線性和負(fù)載調(diào)整良好◆ 集成軟啟動(dòng)、過流保護(hù)OCP、過熱保護(hù)OTP、短路保護(hù)SCP◆ 針對(duì)頻繁熱拔插使用場景有出色的表現(xiàn)
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國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,安測半導(dǎo)體技術(shù)(義烏)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種電源芯片測試方法及裝置”的專利,公開號(hào)CN121324898A,申請(qǐng)日期為2025年11月。專利摘要顯示,本發(fā)明屬于芯片測試(晶圓測試)領(lǐng)域,為了解決在電源芯片的測試過程中,通常需要人工連線,由于連線較多,導(dǎo)致作業(yè)效率較低,而且經(jīng)常出現(xiàn)連線錯(cuò)誤的問題,本發(fā)明提供了一種電源芯片測試方法及裝置,該裝置包括:連接單元,所述連接單元包括多個(gè)測試針,所述測試針與待測晶圓連接;探針單元,所述探針單元包括多個(gè)探針,通過探針與連接單元連接;測試電路單元,所述測試電路單元與探針單元的探針連接,用于發(fā)出測試信號(hào);處理單元,用于根據(jù)所述測試電路單元發(fā)出的信號(hào),對(duì)待測晶圓進(jìn)行電壓測試。本發(fā)明中連接單元直接通過探針單元與測試電路單元連接,不再需要
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國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,眸芯科技(上海)有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法”的專利,公開號(hào)CN121210229A,申請(qǐng)日期為2025年9月。專利摘要顯示,本發(fā)明公開了芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法,涉及芯片開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置,外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測芯片端外部,與待測芯片通過管腳連接線連接,用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào);待測芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置,其被配置為:通過待測芯片封裝的管腳,接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵(lì)信號(hào),對(duì)該激勵(lì)信號(hào)進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵(lì)信號(hào),再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標(biāo)地址模塊,以對(duì)芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段,可以對(duì)傳統(tǒng)調(diào)測方案進(jìn)行補(bǔ)充或替
查看 >>2026-04-16
1月7日,據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示,截至09:58,上證指數(shù)上漲0.14%,科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%,個(gè)股方面,中微公司漲超6%,瀾起科技漲超4%,華海清科漲超3%,滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%,華虹公司漲超1%。熱門ETF方面,科創(chuàng)芯片ETF(588200)漲2.04%,盤中成交額達(dá)12.90億元,換手率達(dá)2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示,該基金近6月漲65.69%。消息面上,全球存儲(chǔ)芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價(jià)格飆升,三星電子與SK海力士計(jì)劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價(jià)格較2025年第四季度提升60%至70%,PC及智能手機(jī)用DRAM同步漲價(jià),NAND Flash合約價(jià)預(yù)計(jì)持續(xù)上漲33-38%,2025 年DDR4 16Gb漲幅高達(dá)1800%,DDR5 16Gb漲幅達(dá)500%,行業(yè)預(yù)計(jì)2027年前存儲(chǔ)芯片價(jià)
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國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,杭州旗捷科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路”的專利,公開號(hào)CN121340789A,申請(qǐng)日期為2025年10月。專利摘要顯示,本發(fā)明實(shí)施例公開了一種耗材芯片的升級(jí)方法和升級(jí)電路。耗材芯片的升級(jí)電路包括:信號(hào)選擇模塊、信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊和控制器;信號(hào)選擇模塊與電源以及控制器電連接,信號(hào)處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接,信號(hào)選擇模塊和信號(hào)處理模塊均與耗材接口模塊電連接;方法由控制器執(zhí)行,方法包括:控制信號(hào)選擇模塊的工作狀態(tài);當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時(shí),向耗材接口模塊傳輸電平信號(hào),接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘?hào)以及信號(hào)選擇模塊傳輸?shù)牡诙盘?hào);根據(jù)第一信號(hào)和第二信號(hào),確定耗材芯片的狀態(tài)和類型;根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型,控制信號(hào)選擇模
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國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市穩(wěn)先微電子有限公司取得一項(xiàng)名為“智能電子開關(guān)、集成電路芯片、芯片產(chǎn)品和汽車”的專利,授權(quán)公告號(hào)CN118449503B,申請(qǐng)日期為2024年5月。天眼查資料顯示,深圳市穩(wěn)先微電子有限公司,成立于2000年,位于深圳市,是一家以從事軟件和信息技術(shù)服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊(cè)資本2848.2982萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析,深圳市穩(wěn)先微電子有限公司共對(duì)外投資了5家企業(yè),參與招投標(biāo)項(xiàng)目4次,財(cái)產(chǎn)線索方面有商標(biāo)信息21條,專利信息111條,此外企業(yè)還擁有行政許可18個(gè)。聲明:市場有風(fēng)險(xiǎn),投資需謹(jǐn)慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成,僅供參考,不構(gòu)成個(gè)人投資建議。
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國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,珠海格力電器股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“一種開關(guān)管的保護(hù)電路和芯片”的專利,公開號(hào)CN121261684A,申請(qǐng)日期為2025年8月。專利摘要顯示,本發(fā)明實(shí)施例提供了一種開關(guān)管的保護(hù)電路和芯片,包括第一開關(guān)管、開通電路和控制電路;第一開關(guān)管的輸入端與功率模塊連接,用于接收功率模塊輸出的供電電壓;開通電路的一端與驅(qū)動(dòng)芯片連接,另一端與第一開關(guān)管的控制端連接,用于接收驅(qū)動(dòng)芯片輸出的驅(qū)動(dòng)電壓,并向第一開關(guān)管的控制端輸出驅(qū)動(dòng)電壓;開通電路包括電阻調(diào)節(jié)模塊;控制電路分別與電阻調(diào)節(jié)模塊和第一開關(guān)管的控制端連接,用于調(diào)整電阻調(diào)節(jié)模塊的阻值。本發(fā)明實(shí)施例通過控制電路,根據(jù)第一開關(guān)管的控制端與輸出端之間的電壓來調(diào)整電阻調(diào)節(jié)模塊的阻值,由于電阻的阻尼作用,從而抑制了第一開關(guān)管的控制端基于供
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國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示,珠海量引科技有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“光開關(guān)和硅光芯片”的專利,公開號(hào)CN121299841A,申請(qǐng)日期為2025年12月。專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種光開關(guān)和硅光芯片,光開關(guān)包括第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo),第一波導(dǎo)與第二波導(dǎo)并列設(shè)置;第二波導(dǎo)包括主體和設(shè)置在主體中的第一縫隙;第一波導(dǎo)由第一材料組成,主體由所述第一材料組成,第一縫隙填充有第二材料;第一材料的熱光系數(shù)大于第二材料的熱光系數(shù);沿光傳播方向,光開關(guān)依次設(shè)置有輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū),輸入端口區(qū)、輸入耦合區(qū)、非耦合相位調(diào)制區(qū)、輸出耦合區(qū)和輸出端口區(qū)均設(shè)置在第一波導(dǎo)和第二波導(dǎo)上;在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第一波導(dǎo)的寬度為450納米,在非耦合相位調(diào)制區(qū)的第二波導(dǎo)寬度為600納米。本發(fā)明在實(shí)現(xiàn)
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