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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市秀武電子有限公司申請一項名為“一種新型芯片封裝結(jié)構(gòu)及其封裝工藝”的專利,公開號CN121398635A,申請日期為2025年12月。專利摘要顯示,本發(fā)明屬于半導體封裝技術(shù)領(lǐng)域,具體的說是一種新型芯片封裝結(jié)構(gòu)及其封裝工藝,包括上封裝基體、下封裝基體、芯片主體、導電連接部及多個引腳,通過高導熱材料和鷗翼型引腳設(shè)計優(yōu)化散熱性能與電性連接路徑,采用注塑工藝簡化制造流程。本申請可以實現(xiàn)減少寄生電感,降低開關(guān)損耗,提高效率和易用性、提供更高功率密度解決方案、低RDSON,高電流能力、靈活的PCB布局、焊點檢測容易,焊點可靠性高、克服PCB散熱限制,實現(xiàn)高度自動化。天眼查資料顯示,深圳市秀武電子有限公司,成立于2001年,位于深圳市,是一家以從事其他制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,上海艾為電子技術(shù)股份有限公司申請一項名為“一種用于芯片的開關(guān)電路、芯片和電子設(shè)備”的專利,公開號CN121530358A,申請日期為2025年11月。專利摘要顯示,本申請實施例提供了一種用于芯片的開關(guān)電路、芯片和電子設(shè)備,其中開關(guān)電路包括:功率管,所述功率管的輸入端與芯片的外部電源連接,所述功率管的輸出端與芯片內(nèi)的負載單元連接;多個放電電路,所述放電電路包括放電單元和檢測單元,所述放電單元的輸入端與所述功率管的控制端連接,所述檢測單元輸出端與所述放電單元的控制端連接;所述檢測單元檢測到預(yù)定的電路異常時,向所述放電單元的控制端輸出控制信號,控制所述放電單元按照設(shè)定的放電模式對所述功率管的控制端進行放電;多個所述放電電路中,至少兩個所述放電電路通過所述檢測單元檢測的電路異
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,浙江英能電子科技有限公司申請一項名為“預(yù)驅(qū)動模塊、芯片及驅(qū)動系統(tǒng)”的專利,公開號CN121530363A,申請日期為2026年1月。專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種預(yù)驅(qū)動模塊、芯片及驅(qū)動系統(tǒng),包括:輸入級電路,基于輸入信號的控制為圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端充電或放電;圖騰柱結(jié)構(gòu)電路,輸出預(yù)驅(qū)動電壓,預(yù)驅(qū)動電壓源跟隨圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入電壓;第一比較器,產(chǎn)生第一比較結(jié)果;第二比較器,產(chǎn)生第二比較結(jié)果;上拉電路,受控于第一比較結(jié)果,用于加速預(yù)驅(qū)動電壓的升高;下拉電路,受控于第二比較結(jié)果,用于加速預(yù)驅(qū)動電壓的下降;電容,連接在圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端和外置功率管的漏極之間。本發(fā)明的預(yù)驅(qū)動模塊、芯片及驅(qū)動系統(tǒng)自適應(yīng)外置功率管的輸入電容,改善外置功率管開關(guān)時產(chǎn)生的EMI問題,工作效率高且
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,石家莊巖爍電子科技有限公司取得一項名為“高壓開關(guān)測試儀的傳感器校準檢定裝置”的專利,授權(quán)公告號CN223710687U,申請日期為2025年2月。專利摘要顯示,本實用新型提供了一種高壓開關(guān)測試儀的傳感器校準檢定裝置,包括底座、同步輸送機、直線光柵傳感器和環(huán)形光柵傳感器;底座上設(shè)有遮光殼體,遮光殼體具有第一遮光腔和第二遮光腔;同步輸送機水平設(shè)置于第一遮光腔內(nèi)并連接有牽引座,同步輸送機的其中一個輪軸的一端穿入第二遮光腔并連接有第一檢測盤,另一端連接有第二檢測盤;直線光柵傳感器設(shè)于第一遮光腔以檢測牽引座的直線位移;環(huán)形光柵傳感器設(shè)于第二遮光腔以檢測第一檢測盤的旋轉(zhuǎn)角度。本實用新型提供的高壓開關(guān)測試儀的傳感器校準檢定裝置,直線光柵傳感器和環(huán)形光柵傳感器能夠同時獲取校準數(shù)據(jù),不
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市博源電子有限公司申請一項名為“一種消費類開關(guān)電源AC過壓保護方法與系統(tǒng)”的專利,公開號CN121036509A,申請日期為2025年9月。專利摘要顯示,本發(fā)明涉及開關(guān)電源技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種消費類開關(guān)電源AC過壓保護方法與系統(tǒng)。一種消費類開關(guān)電源AC過壓保護方法,包括:獲取實時監(jiān)測數(shù)據(jù),從電源系統(tǒng)傳感器中提取當前AC輸入電壓值與大電容的剩余電量數(shù)據(jù),通過電壓檢測模塊判斷電壓是否超過預(yù)設(shè)的AC過壓保護閾值,得到過壓觸發(fā)信號;針對放電級別序列,從控制單元向放電電路發(fā)送分級指令,通過調(diào)節(jié)放電電阻網(wǎng)絡(luò)的導通狀態(tài)實現(xiàn)多級放電,在每一級放電時監(jiān)測大電容的電壓下降趨勢,得到實時電壓變化數(shù)據(jù);在放電完成后,從電網(wǎng)監(jiān)測模塊獲取電網(wǎng)恢復(fù)信號,通過分析電網(wǎng)電壓的穩(wěn)定程度與頻率特性,
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H6253K寬電壓降壓恒壓芯片120V降5V 150V降5V 48V降5V DC-DC電源管理芯片 原廠直供 性價比高
目前市場上的100V以上的高壓DCDC電源芯片雖然種類繁多,但是電流普遍偏小,難以滿足一些大功率應(yīng)用的需求。針對這一市場痛點,我司特研發(fā)出了一款150V 2.5A的降壓恒壓芯片,該芯片不僅具有高電壓輸入能力,還具備大電流輸出的特點,能夠廣泛應(yīng)用于各種需要高功率、高效率、低功耗的電源轉(zhuǎn)換的場景。尤其在應(yīng)對潛在的熱拔插應(yīng)用場景方面有出色的表現(xiàn)。◆ 支持高耐壓150V◆ 高恒壓精度高◆ 2.5A持續(xù)大電流,低功耗◆ 高工作轉(zhuǎn)換效率,可達95%◆ 輸出電壓可調(diào)≥3.3V◆ 動態(tài)響應(yīng)優(yōu)異,線性和負載調(diào)整良好◆ 集成軟啟動、過流保護OCP、過熱保護OTP、短路保護SCP◆ 針對頻繁熱拔插使用場景有出色的表現(xiàn)
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1月8日消息,據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示,截至 10:02,上證指數(shù)上漲 0.04%,科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲 2.93%,個股方面,海光信息漲超 13%,芯原股份漲超 7%,寒武紀 - U 漲超 5%,華虹公司漲超 4%,晶晨股份、中芯國際等漲超 3%,滬硅產(chǎn)業(yè)漲超 2%,華海清科漲超 1%,中微公司跟漲。熱門 ETF 方面,科創(chuàng)芯片 ETF(588200)漲 3.01%,盤中成交額達 14.25 億元,換手率達 3.30%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示,該基金近 6 月漲 70.55%,近 1 年漲 78.20%。消息面上,國內(nèi)半導體技術(shù)取得重大突破,首條二維半導體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點亮,預(yù)計今年 6 月通線,標志著我國在新一代芯片材料領(lǐng)域邁出關(guān)鍵一步;全球存儲芯片市場進入 “超級
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,安測半導體技術(shù)(義烏)有限公司申請一項名為“一種電源芯片測試方法及裝置”的專利,公開號CN121324898A,申請日期為2025年11月。專利摘要顯示,本發(fā)明屬于芯片測試(晶圓測試)領(lǐng)域,為了解決在電源芯片的測試過程中,通常需要人工連線,由于連線較多,導致作業(yè)效率較低,而且經(jīng)常出現(xiàn)連線錯誤的問題,本發(fā)明提供了一種電源芯片測試方法及裝置,該裝置包括:連接單元,所述連接單元包括多個測試針,所述測試針與待測晶圓連接;探針單元,所述探針單元包括多個探針,通過探針與連接單元連接;測試電路單元,所述測試電路單元與探針單元的探針連接,用于發(fā)出測試信號;處理單元,用于根據(jù)所述測試電路單元發(fā)出的信號,對待測晶圓進行電壓測試。本發(fā)明中連接單元直接通過探針單元與測試電路單元連接,不再需要
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,眸芯科技(上海)有限公司申請一項名為“芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法”的專利,公開號CN121210229A,申請日期為2025年9月。專利摘要顯示,本發(fā)明公開了芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法,涉及芯片開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置,外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測芯片端外部,與待測芯片通過管腳連接線連接,用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵信號;待測芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置,其被配置為:通過待測芯片封裝的管腳,接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵信號,對該激勵信號進行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵信號,再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標地址模塊,以對芯片的目標模塊寄存器進行訪問。本發(fā)明改進了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段,可以對傳統(tǒng)調(diào)測方案進行補充或替
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1月7日,據(jù)上交所數(shù)據(jù)顯示,截至09:58,上證指數(shù)上漲0.14%,科創(chuàng)芯片指數(shù)上漲2.13%,個股方面,中微公司漲超6%,瀾起科技漲超4%,華海清科漲超3%,滬硅產(chǎn)業(yè)漲超2%,華虹公司漲超1%。熱門ETF方面,科創(chuàng)芯片ETF(588200)漲2.04%,盤中成交額達12.90億元,換手率達2.99%。天天基金網(wǎng)數(shù)據(jù)顯示,該基金近6月漲65.69%。消息面上,全球存儲芯片供應(yīng)持續(xù)緊張、價格飆升,三星電子與SK海力士計劃2026年第一季度將服務(wù)器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%,PC及智能手機用DRAM同步漲價,NAND Flash合約價預(yù)計持續(xù)上漲33-38%,2025 年DDR4 16Gb漲幅高達1800%,DDR5 16Gb漲幅達500%,行業(yè)預(yù)計2027年前存儲芯片價
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