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H6253K寬電壓降壓恒壓芯片120V降5V 150V降5V 48V降5V DC-DC電源管理芯片 原廠直供 性價比高
目前市場上的100V以上的高壓DCDC電源芯片雖然種類繁多,但是電流普遍偏小,難以滿足一些大功率應用的需求。針對這一市場痛點,我司特研發出了一款150V 2.5A的降壓恒壓芯片,該芯片不僅具有高電壓輸入能力,還具備大電流輸出的特點,能夠廣泛應用于各種需要高功率、高效率、低功耗的電源轉換的場景。尤其在應對潛在的熱拔插應用場景方面有出色的表現?!?支持高耐壓150V◆ 高恒壓精度高◆ 2.5A持續大電流,低功耗◆ 高工作轉換效率,可達95%◆ 輸出電壓可調≥3.3V◆ 動態響應優異,線性和負載調整良好◆ 集成軟啟動、過流保護OCP、過熱保護OTP、短路保護SCP◆ 針對頻繁熱拔插使用場景有出色的表現
查看 >>2026-04-12
1月8日消息,據上交所數據顯示,截至 10:02,上證指數上漲 0.04%,科創芯片指數上漲 2.93%,個股方面,海光信息漲超 13%,芯原股份漲超 7%,寒武紀 - U 漲超 5%,華虹公司漲超 4%,晶晨股份、中芯國際等漲超 3%,滬硅產業漲超 2%,華海清科漲超 1%,中微公司跟漲。熱門 ETF 方面,科創芯片 ETF(588200)漲 3.01%,盤中成交額達 14.25 億元,換手率達 3.30%。天天基金網數據顯示,該基金近 6 月漲 70.55%,近 1 年漲 78.20%。消息面上,國內半導體技術取得重大突破,首條二維半導體工程化示范工藝線于 1 月 6 日在上海浦東川沙成功點亮,預計今年 6 月通線,標志著我國在新一代芯片材料領域邁出關鍵一步;全球存儲芯片市場進入 “超級
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國家知識產權局信息顯示,安測半導體技術(義烏)有限公司申請一項名為“一種電源芯片測試方法及裝置”的專利,公開號CN121324898A,申請日期為2025年11月。專利摘要顯示,本發明屬于芯片測試(晶圓測試)領域,為了解決在電源芯片的測試過程中,通常需要人工連線,由于連線較多,導致作業效率較低,而且經常出現連線錯誤的問題,本發明提供了一種電源芯片測試方法及裝置,該裝置包括:連接單元,所述連接單元包括多個測試針,所述測試針與待測晶圓連接;探針單元,所述探針單元包括多個探針,通過探針與連接單元連接;測試電路單元,所述測試電路單元與探針單元的探針連接,用于發出測試信號;處理單元,用于根據所述測試電路單元發出的信號,對待測晶圓進行電壓測試。本發明中連接單元直接通過探針單元與測試電路單元連接,不再需要
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國家知識產權局信息顯示,眸芯科技(上海)有限公司申請一項名為“芯片調測系統及方法”的專利,公開號CN121210229A,申請日期為2025年9月。專利摘要顯示,本發明公開了芯片調測系統及方法,涉及芯片開發技術領域。所述系統包括待測芯片端和外設接口發送裝置,外設接口發送裝置設置在待測芯片端外部,與待測芯片通過管腳連接線連接,用于向待測芯片發送不同類型的低速協議激勵信號;待測芯片的內部嵌入有協議轉換裝置,其被配置為:通過待測芯片封裝的管腳,接收外設接口發送裝置發送的低速協議激勵信號,對該激勵信號進行解析、轉換后得到AMBA總線協議的激勵信號,再通過AMBA總線發送至待測芯片的目標地址模塊,以對芯片的目標模塊寄存器進行訪問。本發明改進了芯片回片階段的測試和調試手段,可以對傳統調測方案進行補充或替
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1月7日,據上交所數據顯示,截至09:58,上證指數上漲0.14%,科創芯片指數上漲2.13%,個股方面,中微公司漲超6%,瀾起科技漲超4%,華海清科漲超3%,滬硅產業漲超2%,華虹公司漲超1%。熱門ETF方面,科創芯片ETF(588200)漲2.04%,盤中成交額達12.90億元,換手率達2.99%。天天基金網數據顯示,該基金近6月漲65.69%。消息面上,全球存儲芯片供應持續緊張、價格飆升,三星電子與SK海力士計劃2026年第一季度將服務器DRAM價格較2025年第四季度提升60%至70%,PC及智能手機用DRAM同步漲價,NAND Flash合約價預計持續上漲33-38%,2025 年DDR4 16Gb漲幅高達1800%,DDR5 16Gb漲幅達500%,行業預計2027年前存儲芯片價
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國家知識產權局信息顯示,杭州旗捷科技股份有限公司申請一項名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利,公開號CN121340789A,申請日期為2025年10月。專利摘要顯示,本發明實施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括:信號選擇模塊、信號處理模塊、耗材接口模塊和控制器;信號選擇模塊與電源以及控制器電連接,信號處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接,信號選擇模塊和信號處理模塊均與耗材接口模塊電連接;方法由控制器執行,方法包括:控制信號選擇模塊的工作狀態;當耗材接口模塊與耗材芯片接觸時,向耗材接口模塊傳輸電平信號,接收耗材接口模塊傳輸的第一信號以及信號選擇模塊傳輸的第二信號;根據第一信號和第二信號,確定耗材芯片的狀態和類型;根據耗材芯片的狀態和類型,控制信號選擇模
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電器開關測試機構,電器開關檢測報告
注意:因業務調整,暫不接受個人委托測試,望諒解(高校、研究所等性質的個人委托除外)。因篇幅原因,CMA/CNAS/ISO證書以及未列出的項目/樣品,請咨詢在線工程師。檢測項目 1.電氣性能檢測:接觸電阻、絕緣電阻、介電強度(耐壓)、通斷能力、溫升、動作特性(如動作力、行程)、電氣壽命。 2.機械性能與壽命檢測:機械壽命、操作力、按鍵手感、開關行程、開關的觸感與聲音、部件機械強度、外殼及按鍵耐磨性、耐沖擊性。 3.安全與可靠性檢測:防觸電保護、爬電距離與電氣間隙、耐熱與耐燃、耐漏電起痕、端子強度、防止意外接觸帶電部件的保護、非正常操作下的安全性。 4.環境適應性檢測:高低溫工作與貯存、恒定濕熱與交變濕熱、鹽霧腐蝕、振動、沖擊、自由跌落、防塵防水等級(IP代碼)。 5.材料與環保檢測:外殼材料成
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國家知識產權局信息顯示,杰華特微電子(成都)有限公司申請一項名為“一種開關電源的動態過溫保護電路及開關電源”的專利,公開號CN 120999529 A,申請日期為2024年12月。專利摘要顯示,本發明提出一種開關電源的動態過溫保護電路,在功率管附近設置第一結型晶體管,在所述控制器內設置第二結型晶體管;檢測不同電流分別流經所述第一結型晶體管時產生的電壓變化量得到第一電壓變化量;檢測不同電流分別流經所述第二結型晶體管時產生的電壓變化量得到第二電壓變化量,第一電壓變化量和第二電壓變化量的獲取時序相同;將所述第一電壓變化量和所述第二電壓變化量的差值與過溫保護閾值進行比較,得到動態過溫檢測信號,當所述差值大于所述過溫保護閾值時,所述動態過溫檢測信號有效,觸發所述開關電源進行動態過溫保護。本發明與工藝誤
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國家知識產權局信息顯示,昂寶集成電路股份有限公司申請一項名為“ZVS反激式開關電源及用在其中的控制電路”的專利,公開號CN121441114A,申請日期為2025年10月。專利摘要顯示,提供了一種ZVS反激式開關電源及用在其中的控制電路。ZVS反激式開關電源包括變壓器、原邊功率管、以及ZVS輔助開關管??刂齐娐钒ǎ汗ぷ髂J綑z測單元,用于在原邊功率管關斷時,基于原邊繞組的退磁狀態表征信號生成指示ZVS反激式開關電源是否工作在DCM的工作模式指示信號;谷頂電壓檢測單元,用于在來自邏輯控制單元的脈沖出現指示信號指示ZVS時鐘信號出現新的信號脈沖時,基于退磁狀態表征信號生成谷頂到達指示信號;以及邏輯控制單元,用于基于ZVS時鐘信號生成脈沖出現指示信號,并且在工作模式指示信號指示ZVS反激式開關電源
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國家知識產權局信息顯示,深圳市穩先微電子有限公司取得一項名為“智能電子開關、集成電路芯片、芯片產品和汽車”的專利,授權公告號CN118449503B,申請日期為2024年5月。天眼查資料顯示,深圳市穩先微電子有限公司,成立于2000年,位于深圳市,是一家以從事軟件和信息技術服務業為主的企業。企業注冊資本2848.2982萬人民幣。通過天眼查大數據分析,深圳市穩先微電子有限公司共對外投資了5家企業,參與招投標項目4次,財產線索方面有商標信息21條,專利信息111條,此外企業還擁有行政許可18個。聲明:市場有風險,投資需謹慎。本文為AI基于第三方數據生成,僅供參考,不構成個人投資建議。
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