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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,浙江英能電子科技有限公司申請一項名為“預(yù)驅(qū)動模塊、芯片及驅(qū)動系統(tǒng)”的專利,公開號CN121530363A,申請日期為2026年1月。專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種預(yù)驅(qū)動模塊、芯片及驅(qū)動系統(tǒng),包括:輸入級電路,基于輸入信號的控制為圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端充電或放電;圖騰柱結(jié)構(gòu)電路,輸出預(yù)驅(qū)動電壓,預(yù)驅(qū)動電壓源跟隨圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入電壓;第一比較器,產(chǎn)生第一比較結(jié)果;第二比較器,產(chǎn)生第二比較結(jié)果;上拉電路,受控于第一比較結(jié)果,用于加速預(yù)驅(qū)動電壓的升高;下拉電路,受控于第二比較結(jié)果,用于加速預(yù)驅(qū)動電壓的下降;電容,連接在圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端和外置功率管的漏極之間。本發(fā)明的預(yù)驅(qū)動模塊、芯片及驅(qū)動系統(tǒng)自適應(yīng)外置功率管的輸入電容,改善外置功率管開關(guān)時產(chǎn)生的EMI問題,工作效率高且
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,河南平芝高壓開關(guān)有限公司取得一項名為“一種斷路器裝配工裝”的專利,授權(quán)公告號CN223927252U,申請日期為2024年12月。專利摘要顯示,本實(shí)用新型提供了一種斷路器裝配工裝,屬于專門適用于制造電開關(guān)的專用設(shè)備或方法技術(shù)領(lǐng)域。斷路器裝配工裝包括底座,底座上裝有支撐板,支撐板用于支撐其中一個法蘭且支撐板上設(shè)有用于使法蘭與支撐板同軸的第一定位結(jié)構(gòu),底座上固定有導(dǎo)桿,導(dǎo)桿上安裝有活動件,活動件上裝有定位板,定位板上設(shè)有用于對另外一個法蘭進(jìn)行定位以使法蘭與定位板同軸的第二定位結(jié)構(gòu),支撐板相對底座的水平位置可調(diào)或/和定位板相對活動件的水平位置可調(diào),支撐板或底座上以及定位板或活動件上設(shè)有用于使支撐板和定位板同軸的第三定位結(jié)構(gòu)。通過本實(shí)用新型的裝配工裝可以間接定位固定部法蘭和可
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,西安西電高壓開關(guān)有限責(zé)任公司、中國西電電氣股份有限公司取得一項名為“一種密封端子板氣密性檢測裝置”的專利,授權(quán)公告號CN223925947U,申請日期為2025年4月。專利摘要顯示,本實(shí)用新型涉及領(lǐng)域,尤其涉及一種密封端子板氣密性檢測裝置,包括上部密封結(jié)構(gòu)、下部密封結(jié)構(gòu)、上注氣管路和下注氣管路;上部密封結(jié)構(gòu)包括上外部套筒和布置于上外部套筒中多個上內(nèi)部套筒;下部密封結(jié)構(gòu)包括下外部套筒和布置于下外部套筒中的多個下內(nèi)部套筒;待測密封端子板懸空水平放置于下內(nèi)部套筒中,下內(nèi)部套筒與上內(nèi)部套筒配合壓緊待測密封端子板;下注氣管路的一端與外部汽源連通,另一端與下密封外部腔體、多個下內(nèi)部套筒連通。本實(shí)用新型中上下密封結(jié)構(gòu)通過外部套筒與內(nèi)部套筒形成雙重密封腔體,結(jié)合上下注氣管路獨(dú)立供氣,
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高壓放大器如何助力半導(dǎo)體測試
高壓放大器在半導(dǎo)體測試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色,它將測試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號精準(zhǔn)放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓,以滿足各種嚴(yán)苛的測試條件。下面將詳細(xì)介紹它在幾個關(guān)鍵測試場景中的具體作用以及需求。介電擊穿測試:對芯片的絕緣層施加從低到高(可達(dá)±20kV)的直流或掃描電壓,分析其絕緣失效的臨界點(diǎn)。需求:高輸出電壓、低噪聲(<100μVrms)、精確的電壓控制。芯片老化測試(如功率器件):施加高于正常工作電壓的應(yīng)力,加速芯片老化,以評估其長期可靠性。需求:高電壓/電流輸出、長期穩(wěn)定性、良好的過溫與過流保護(hù)機(jī)制。壓電陶瓷驅(qū)動(MEMS傳感器):驅(qū)動微機(jī)電系統(tǒng)中的壓電元件,實(shí)現(xiàn)精密運(yùn)動或傳感。需求:能夠驅(qū)動容性負(fù)載、高輸出電流(峰值可達(dá)百mA級)、四象限輸出。晶體管參數(shù)測試:為
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掌握高壓假負(fù)載測試方法:有效保障電力設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定性與能耗控制
掌握高壓假負(fù)載測試方法:有效保障電力設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定性與能耗控制大功率高壓發(fā)電機(jī)組滿負(fù)荷測試時,產(chǎn)生的熱量足以考驗(yàn)任何負(fù)載柜的耐壓能力,而一套科學(xué)的測試方法卻能化險為夷。在電力保障系統(tǒng)中,應(yīng)急發(fā)電機(jī)組被視為“最后一棵救命稻草”。然而,這些設(shè)備長期處于待機(jī)狀態(tài),僅依靠日常空載測試難以評估其真實(shí)帶載能力。假負(fù)載測試技術(shù)通過模擬各種功率負(fù)載條件,對發(fā)電機(jī)組、UPS、高壓電源等設(shè)備的輸出功率與帶載能力進(jìn)行精確檢測,成為保障電力設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的關(guān)鍵手段。隨著高壓發(fā)電機(jī)組輸出電壓達(dá)到萬伏級別,對負(fù)載柜的耐壓能力提出極高要求,掌握高壓假負(fù)載測試方法已成為電力維護(hù)人員的必備技能。 01 高壓假負(fù)載的測試原理假負(fù)載,顧名思義,是一種替代真實(shí)負(fù)載的電子設(shè)備,用于模擬實(shí)際運(yùn)行條件下電力設(shè)備的輸出特性。電子假負(fù)載通過功率
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,仝瑞半導(dǎo)體科技(上海)有限公司取得一項名為“一種可快速拆裝的芯片量產(chǎn)測試用插座”的專利,授權(quán)公告號CN223815386U,申請日期為2025年1月。專利摘要顯示,本實(shí)用新型提出一種可快速拆裝的芯片量產(chǎn)測試用插座,包括測試底座、浮動支座、芯片保持座和頂蓋,浮動支座底部滑動扣合于測試底座頂部的浮動凸部,緊貼浮動支座的上表面設(shè)有芯片保持座,緊貼所述芯片保持座的頂部設(shè)有頂蓋。本實(shí)用新型通過將頂蓋蓋設(shè)于芯片保持座上且向下按壓,直至頂蓋兩側(cè)所設(shè)扣件底部的扣齒與測試底座兩側(cè)的扣槽相扣合,在按壓過程中,待測芯片的引腳被配合插入引腳插孔支座上所設(shè)的引腳插孔中,從而實(shí)現(xiàn)待測芯片的裝配連接,裝配簡單。天眼查資料顯示,仝瑞半導(dǎo)體科技(上海)有限公司,成立于2021年,位于上海市,是一家以從
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,眸芯科技(上海)有限公司申請一項名為“芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法”的專利,公開號CN121210229A,申請日期為2025年9月。專利摘要顯示,本發(fā)明公開了芯片調(diào)測系統(tǒng)及方法,涉及芯片開發(fā)技術(shù)領(lǐng)域。所述系統(tǒng)包括待測芯片端和外設(shè)接口發(fā)送裝置,外設(shè)接口發(fā)送裝置設(shè)置在待測芯片端外部,與待測芯片通過管腳連接線連接,用于向待測芯片發(fā)送不同類型的低速協(xié)議激勵信號;待測芯片的內(nèi)部嵌入有協(xié)議轉(zhuǎn)換裝置,其被配置為:通過待測芯片封裝的管腳,接收外設(shè)接口發(fā)送裝置發(fā)送的低速協(xié)議激勵信號,對該激勵信號進(jìn)行解析、轉(zhuǎn)換后得到AMBA總線協(xié)議的激勵信號,再通過AMBA總線發(fā)送至待測芯片的目標(biāo)地址模塊,以對芯片的目標(biāo)模塊寄存器進(jìn)行訪問。本發(fā)明改進(jìn)了芯片回片階段的測試和調(diào)試手段,可以對傳統(tǒng)調(diào)測方案進(jìn)行補(bǔ)充或替
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,浙江唐鋒能源科技有限公司取得一項名為“一種電堆升降臺架”的專利,授權(quán)公告號CN223823295U,申請日期為2025年4月。專利摘要顯示,本實(shí)用新型提供一種電堆升降臺架,涉及燃料電池和電解水測試技術(shù)領(lǐng)域,包括底座,底座設(shè)有升降裝置和儲液罐,升降裝置的升降端連接有稱重裝置,稱重裝置的稱重面安裝有傾斜活動裝置,傾斜活動裝置的傾斜活動面安裝有測試臺,測試臺內(nèi)設(shè)有測試槽;儲液罐連接有排液管,排液管的一端連通于測試槽。本實(shí)用新型通過設(shè)置升降裝置使得測試臺可以根據(jù)電堆尺寸升降至合適的位置,從而滿足了多種尺寸電堆測試的需求。通過在測試臺的下方設(shè)置傾斜活動裝置,從而可以根據(jù)積水的量調(diào)節(jié)傾斜度,從而使其快速排水,減小安全隱患。通過設(shè)置稱重裝置,從而可以在穩(wěn)定狀態(tài)下對電堆進(jìn)行質(zhì)量測量,
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鍵德測試測量|選擇高壓探針臺的原因是什么?
在半導(dǎo)體測試、功率器件研究及高壓電子元件開發(fā)等領(lǐng)域,高壓探針臺扮演著不可或缺的角色。與普通探針臺相比,高壓探針臺在結(jié)構(gòu)設(shè)計、安全性能和測試能力上具有顯著優(yōu)勢,能夠滿足高壓環(huán)境下的精密測試需求,下面鍵德測試測量小編就來詳細(xì)介紹下選擇高壓探針臺的原因。選擇高壓探針臺的原因如下:一、滿足高壓測試需求高壓探針臺專為高電壓環(huán)境下的測試而設(shè)計,能夠承受數(shù)百伏甚至數(shù)千伏的電壓,而普通探針臺通常僅適用于低壓測試。在功率半導(dǎo)體(如IGBT、MOSFET、SiC器件等)的研發(fā)與生產(chǎn)過程中,器件往往需要在高壓條件下進(jìn)行性能評估,例如擊穿電壓測試、漏電流測試及耐壓特性分析。高壓探針臺通過其特殊設(shè)計的絕緣結(jié)構(gòu)和高壓接口,確保測試過程中的信號穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)準(zhǔn)確性,是高壓器件測試的理想選擇。二、保障測試安全高壓測試環(huán)境對設(shè)
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