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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,華北電力大學(xué);國網(wǎng)福建省電力有限公司電力科學(xué)研究院;國網(wǎng)福建省電力有限公司申請一項名為“一種新能源經(jīng)直流送出系統(tǒng)的暫態(tài)過電壓抑制方法及裝置”的專利,公開號CN121355892A,申請日期為2025年10月。專利摘要顯示,本申請公開了一種新能源經(jīng)直流送出系統(tǒng)的暫態(tài)過電壓抑制方法及裝置,涉及新能源并網(wǎng)技術(shù)領(lǐng)域,該方法包括計算直流送出系統(tǒng)的送端交流母線的直流電流可行域,在換相失敗情況下,在所述直流電流可行域的約束下,輸出直流電流指令;所述直流送出系統(tǒng)包括換相失敗情況和正常工況兩種情況;構(gòu)建新能源二階滑模無功控制策略;在換相失敗情況下,采用所述新能源二階滑模無功控制策略對所述新能源并網(wǎng)逆變器的電流分量、直流側(cè)電壓和無功功率指令值進行控制,本申請可降低了送端的無功冗余,抑制了
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,上海壁仞科技股份有限公司申請一項名為“支持多協(xié)議的輸入輸出電路以及人工智能芯片”的專利,公開號CN121326813A,申請日期為2025年12月。專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種支持多協(xié)議的輸入輸出電路以及人工智能芯片。輸入輸出電路包括第一輸入輸出端、第二輸入輸出端、發(fā)送端電路以及接收端電路。發(fā)送端電路包括可編程的高速驅(qū)動器、低壓差線性穩(wěn)壓器、第一開關(guān)電路、第二開關(guān)電路以及切換器。低壓差線性穩(wěn)壓器電性連接可編程的高速驅(qū)動器。第一開關(guān)電路電性連接可編程的高速驅(qū)動器以及第一輸入輸出端。第二開關(guān)電路電性連接可編程的高速驅(qū)動器以及第二輸入輸出端。切換器電性連接第一開關(guān)電路以及第二開關(guān)電路。接收端電路電性連接第一輸入輸出端以及第二輸入輸出端。本發(fā)明的輸入輸出電路可實現(xiàn)支持多協(xié)議的
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,珠海格力電器股份有限公司申請一項名為“掉電復(fù)位電路及用電設(shè)備”的專利,公開號CN121239202A,申請日期為2025年9月。專利摘要顯示,本申請涉及一種掉電復(fù)位電路及用電設(shè)備。所述掉電復(fù)位電路用于顯示驅(qū)動芯片,顯示驅(qū)動芯片連接主控芯片和顯示模塊,主控芯片及驅(qū)動顯示芯片用于連接電源輸入端和電容。掉電復(fù)位電路包括泄放器件、電壓檢測電路和開關(guān)電路。電壓檢測電路連接電容,在檢測到電容的電壓降低至預(yù)設(shè)掉電電壓的情況下輸出導(dǎo)通信號。開關(guān)電路的第一端連接電容,第二端連接泄放器件,受控端連接電壓檢測電路,并在接收到導(dǎo)通信號的情況下導(dǎo)通,以使泄放器件對電容的電量進行泄放,使電容的電壓在預(yù)設(shè)時長內(nèi)達到顯示驅(qū)動芯片的第一復(fù)位電壓;預(yù)設(shè)時長根據(jù)人眼可識別的最小時長確定。該掉電復(fù)位電路能夠
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,芯瞳半導(dǎo)體技術(shù)(廈門)有限公司申請一項名為“多核芯片的操作方法、設(shè)計方法及多核芯片”的專利,公開號CN121351726A,申請日期為2025年12月。專利摘要顯示,本公開涉及半導(dǎo)體設(shè)計與制造的技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種多核芯片的操作方法、設(shè)計方法及多核芯片。本公開的技術(shù)方案將可接受制造缺陷的電路邏輯分為第一邏輯分組,不可接受制造缺陷的電路邏輯分為第二邏輯分組;通過讀取多核芯片上至少一個計算核心的缺陷狀態(tài),可以確定出計算核心內(nèi)可接受制造缺陷的第一邏輯分組的可用性;在缺陷狀態(tài)指示第一邏輯分組不可用時,配置計算核心內(nèi)的控制寄存器關(guān)閉第一邏輯分組,同時保持計算核心內(nèi)不可接受制造缺陷的第二邏輯分組處于運行狀態(tài),不影響計算核心的功能電路邏輯。該技術(shù)方案使多核芯片可接受制造缺陷的電路
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高壓放大器在半導(dǎo)體測試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色,它將測試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號精準放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓,以滿足各種嚴苛的測試條件。下面將詳細介紹它在幾個關(guān)鍵測試場景中的具體作用以及需求。介電擊穿測試:對芯片的絕緣層施加從低到高(可達±20kV)的直流或掃描電壓,分析其絕緣失效的臨界點。需求:高輸出電壓、低噪聲(<100μVrms)、精確的電壓控制。芯片老化測試(如功率器件):施加高于正常工作電壓的應(yīng)力,加速芯片老化,以評估其長期可靠性。需求:高電壓/電流輸出、長期穩(wěn)定性、良好的過溫與過流保護機制。壓電陶瓷驅(qū)動(MEMS傳感器):驅(qū)動微機電系統(tǒng)中的壓電元件,實現(xiàn)精密運動或傳感。需求:能夠驅(qū)動容性負載、高輸出電流(峰值可達百mA級)、四象限輸出。晶體管參數(shù)測試:為
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,上海良信電器股份有限公司;良信電器(海鹽)有限公司申請一項名為“傳動機構(gòu)及真空斷路器”的專利,公開號CN121306854A,申請日期為2025年11月。專利摘要顯示,本申請涉及低壓電器技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種傳動機構(gòu)及真空斷路器,包括懸臂、杠桿組件以及串聯(lián)軸桿;所述懸臂與所述杠桿組件一一對應(yīng)連接,多個所述杠桿組件沿串聯(lián)軸桿延伸方向間隔排布;所述杠桿組件上設(shè)有轉(zhuǎn)動軸線與串聯(lián)軸桿平行的轉(zhuǎn)動部,所述懸臂一端與串聯(lián)軸桿固定連接、另一端設(shè)有可拆卸轉(zhuǎn)軸;所述可拆卸轉(zhuǎn)軸與所述轉(zhuǎn)動部連接。本申請能夠?qū)崿F(xiàn)各相傳動機構(gòu)的獨立裝配與調(diào)節(jié),便于零部件的快速拆卸與更換,提高靈活性和維護便捷性。天眼查資料顯示,上海良信電器股份有限公司,成立于1999年,位于上海市,是一家以從事計算機、通信和其他
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,此芯科技集團有限公司申請一項名為“一種轉(zhuǎn)換控制電路及多媒體數(shù)據(jù)處理芯片”的專利,公開號CN121262333A,申請日期為2025年12月。專利摘要顯示,本申請?zhí)峁┝艘环N轉(zhuǎn)換控制電路及多媒體數(shù)據(jù)處理芯片,轉(zhuǎn)換控制電路包括:電路輸入接口,被配置為:實時接收第一數(shù)據(jù)格式的第一數(shù)據(jù)包;多路選擇器,被配置為:按照寄存器下發(fā)的選擇信號來選擇導(dǎo)通直通數(shù)據(jù)通道或者轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)通道,選擇信號指的是轉(zhuǎn)換控制電路所處的多媒體場景應(yīng)用的預(yù)設(shè)數(shù)據(jù)格式對應(yīng)的電平信號;寄存器,被配置為:在導(dǎo)通轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)通道時,控制轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)通道處于使能狀態(tài),以使轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)通道通過寄存器內(nèi)配置的預(yù)設(shè)處理邏輯對第一數(shù)據(jù)包進行數(shù)據(jù)格式轉(zhuǎn)換來得到第二數(shù)據(jù)格式的第二數(shù)據(jù)包;電路輸出接口,被配置為:在導(dǎo)通直通數(shù)據(jù)通道時發(fā)送第一數(shù)據(jù)包
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,杭州旗捷科技股份有限公司申請一項名為“一種耗材芯片的升級方法和升級電路”的專利,公開號CN121340789A,申請日期為2025年10月。專利摘要顯示,本發(fā)明實施例公開了一種耗材芯片的升級方法和升級電路。耗材芯片的升級電路包括:信號選擇模塊、信號處理模塊、耗材接口模塊和控制器;信號選擇模塊與電源以及控制器電連接,信號處理模塊、耗材接口模塊與控制器電連接,信號選擇模塊和信號處理模塊均與耗材接口模塊電連接;方法由控制器執(zhí)行,方法包括:控制信號選擇模塊的工作狀態(tài);當(dāng)耗材接口模塊與耗材芯片接觸時,向耗材接口模塊傳輸電平信號,接收耗材接口模塊傳輸?shù)牡谝恍盘栆约靶盘栠x擇模塊傳輸?shù)牡诙盘枺桓鶕?jù)第一信號和第二信號,確定耗材芯片的狀態(tài)和類型;根據(jù)耗材芯片的狀態(tài)和類型,控制信號選擇模
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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,深圳市杰和科技發(fā)展有限公司申請一項名為“POP音消除電路”的專利,公開號CN121442247A,申請日期為2025年11月。專利摘要顯示,本發(fā)明公開了一種POP音消除電路,電路包括信號源輸出端、控制線路、音頻芯片及音頻輸出設(shè)備,控制線路的第一端與信號源輸出端連接,控制線路的第二端分別與音頻芯片及音頻輸出設(shè)備連接;控制線路包括驅(qū)動控制電路及音頻輸出電路,驅(qū)動控制電路包括至少一個PMOS管,音頻輸出電路包括至少一個NMOS管,PMOS管的柵極作為控制線路的第一端,PMOS管的漏極接地,PMOS管的源極同時與第一供電端及NMOS管的柵極連接,NMOS管的源極接地,NMOS管的漏極作為控制線路的第二端。本發(fā)明的POP音消除電路通過PMOS管與NMOS管的協(xié)同控制,精準避開開
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