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國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，南京立羽自動化科技有限公司申請一項名為“一種GIS高壓開關(guān)裝配用性能檢測設(shè)備”的專利，公開號CN121253065A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，本發(fā)明匯開了一種GIS高壓開關(guān)裝配用性能檢測設(shè)備，屬于氣密性檢測設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，包括高壓開關(guān)本體和檢測器，所述檢測器包括保護殼，所述檢測器連接在高壓開關(guān)本體的快接進氣接口上。本發(fā)明使用時，開啟檢測氣源閥門此時檢測氣源會通過傳輸管道流入到觸發(fā)頭內(nèi)，進而解除對觸發(fā)通道封堵，此時標記氣體便會通過觸發(fā)通道流入到第一導(dǎo)氣通道內(nèi)然后進入到初步混合室內(nèi)，而此時檢測氣源也會流入初步混合室內(nèi)，標記氣體和檢測氣源會進行初步混合，然后再進入混合管內(nèi)進行深度混合，最后輸送至高壓開關(guān)本體內(nèi)，等待幾分鐘后用紫外線燈光照射高壓開關(guān)本體的周圍，

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，聯(lián)正電子（深圳）有限公司申請一項名為“一種功率變換器以及包括其的不間斷電源”的專利，公開號CN121216884A，申請日期為2024年6月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種功率變換器以及包括其的不間斷電源。功率變換器包括：輸入端被配置為選擇性地連接至交流電源或者直流電源。輸出端被配置為連接至正直流母線和負直流母線。電感組件連接在輸入端與功率變換單元的第一端之間。功率變換單元的第二端連接至輸出端。功率變換單元被配置為能夠選擇性地實現(xiàn)AC-DC變換或者DC-DC變換。控制單元用于控制功率變換單元在第一模態(tài)與第二模態(tài)之間的直接切換，和/或第三模態(tài)與第四模態(tài)之間的直接切換，實現(xiàn)DC-DC變換中正半周期與負半周期之間的切換。本發(fā)明在正半周期與負半周期之間的切換過程中不會產(chǎn)生其他

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，昂寶集成電路股份有限公司申請一項名為“ZVS反激式開關(guān)電源及用在其中的控制電路”的專利，公開號CN121441114A，申請日期為2025年10月。專利摘要顯示，提供了一種ZVS反激式開關(guān)電源及用在其中的控制電路。ZVS反激式開關(guān)電源包括變壓器、原邊功率管、以及ZVS輔助開關(guān)管。控制電路包括：工作模式檢測單元，用于在原邊功率管關(guān)斷時，基于原邊繞組的退磁狀態(tài)表征信號生成指示ZVS反激式開關(guān)電源是否工作在DCM的工作模式指示信號；谷頂電壓檢測單元，用于在來自邏輯控制單元的脈沖出現(xiàn)指示信號指示ZVS時鐘信號出現(xiàn)新的信號脈沖時，基于退磁狀態(tài)表征信號生成谷頂?shù)竭_指示信號；以及邏輯控制單元，用于基于ZVS時鐘信號生成脈沖出現(xiàn)指示信號，并且在工作模式指示信號指示ZVS反激式開關(guān)電源

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，深圳江浩電子有限公司取得一項名為“開關(guān)電源電容器脈動電流檢測方法與過流保護”的專利，授權(quán)公告號CN114966253B，申請日期為2022年1月。天眼查資料顯示，深圳江浩電子有限公司，成立于2003年，位于深圳市，是一家以從事電氣機械和器材制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本5084.745763萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，深圳江浩電子有限公司共對外投資了12家企業(yè)，參與招投標項目12次，財產(chǎn)線索方面有商標信息2條，專利信息276條，此外企業(yè)還擁有行政許可23個。聲明：市場有風(fēng)險，投資需謹慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成，僅供參考，不構(gòu)成個人投資建議。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，珠海零邊界集成電路有限公司;珠海格力電器股份有限公司申請一項名為“一種智能功率模塊和一種芯片”的專利，公開號CN121283227A，申請日期為2025年9月。專利摘要顯示，本發(fā)明實施例提供了一種智能功率模塊和一種芯片，該智能功率模塊包括：逆變模塊和功率因數(shù)校正模塊(PFC模塊)。逆變模塊中，第一、第二反向?qū)ń^緣柵器件的控制端分別與第一、第二集成電路連接，實現(xiàn)了驅(qū)動信號的短路徑、低延遲傳輸，提高了開關(guān)動作的精確性和可靠性。PFC模塊為逆變模塊提供更穩(wěn)定、更高電壓的直流母線，使逆變模塊工作在更優(yōu)的電壓區(qū)間。逆變模塊和PFC模塊的關(guān)鍵器件之間采用直接連接方式，減少了外部走線，有助于減少電磁干擾。將逆變模塊和PFC模塊集成在同一個封裝內(nèi)，減少了外部連接和分立元器件的數(shù)量，

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，華為數(shù)字能源技術(shù)有限公司取得一項名為“功率變換設(shè)備及其控制方法、開關(guān)驅(qū)動芯片”的專利，授權(quán)公告號CN119341362B，申請日期為2024年9月。天眼查資料顯示，華為數(shù)字能源技術(shù)有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以從事科技推廣和應(yīng)用服務(wù)業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本300000萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，華為數(shù)字能源技術(shù)有限公司共對外投資了4家企業(yè)，參與招投標項目262次，財產(chǎn)線索方面有商標信息84條，專利信息4365條，此外企業(yè)還擁有行政許可8個。聲明：市場有風(fēng)險，投資需謹慎。本文為AI基于第三方數(shù)據(jù)生成，僅供參考，不構(gòu)成個人投資建議。

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，濰柴動力股份有限公司取得一項名為“一種驅(qū)動芯片的驅(qū)動保護電路”的專利，授權(quán)公告號CN223829301U，申請日期為2025年1月。專利摘要顯示，本實用新型提供一種驅(qū)動芯片的驅(qū)動保護電路，其中：驅(qū)動芯片的短路退飽和檢測管腳通過中間電路連接功率開關(guān)單元的第一端；驅(qū)動芯片的脈沖寬度調(diào)制輸出管腳和軟關(guān)斷管腳與推挽電路的第一輸入端和第二輸入端連接；在推挽電路接收到驅(qū)動芯片的控制信號為第一信號時，推挽電路采用正電源供電，在推挽電路接收到控制信號為第二信號時，推挽電路采用負電源供電；推挽電路的輸出端通過驅(qū)動電路與功率開關(guān)單元的控制端連接；也即，當功率開關(guān)單元存在故障時，驅(qū)動芯片的軟關(guān)斷管腳無需對功率開關(guān)單元的控制端進行放電，而是通過功率開關(guān)單元來進行放電，避免功率開關(guān)單元的控制端

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，上海艾為電子技術(shù)股份有限公司申請一項名為“一種用于芯片的開關(guān)電路、芯片和電子設(shè)備”的專利，公開號CN121530358A，申請日期為2025年11月。專利摘要顯示，本申請實施例提供了一種用于芯片的開關(guān)電路、芯片和電子設(shè)備，其中開關(guān)電路包括：功率管，所述功率管的輸入端與芯片的外部電源連接，所述功率管的輸出端與芯片內(nèi)的負載單元連接；多個放電電路，所述放電電路包括放電單元和檢測單元，所述放電單元的輸入端與所述功率管的控制端連接，所述檢測單元輸出端與所述放電單元的控制端連接；所述檢測單元檢測到預(yù)定的電路異常時，向所述放電單元的控制端輸出控制信號，控制所述放電單元按照設(shè)定的放電模式對所述功率管的控制端進行放電；多個所述放電電路中，至少兩個所述放電電路通過所述檢測單元檢測的電路異

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，浙江英能電子科技有限公司申請一項名為“預(yù)驅(qū)動模塊、芯片及驅(qū)動系統(tǒng)”的專利，公開號CN121530363A，申請日期為2026年1月。專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種預(yù)驅(qū)動模塊、芯片及驅(qū)動系統(tǒng)，包括：輸入級電路，基于輸入信號的控制為圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端充電或放電；圖騰柱結(jié)構(gòu)電路，輸出預(yù)驅(qū)動電壓，預(yù)驅(qū)動電壓源跟隨圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入電壓；第一比較器，產(chǎn)生第一比較結(jié)果；第二比較器，產(chǎn)生第二比較結(jié)果；上拉電路，受控于第一比較結(jié)果，用于加速預(yù)驅(qū)動電壓的升高；下拉電路，受控于第二比較結(jié)果，用于加速預(yù)驅(qū)動電壓的下降；電容，連接在圖騰柱結(jié)構(gòu)電路的輸入端和外置功率管的漏極之間。本發(fā)明的預(yù)驅(qū)動模塊、芯片及驅(qū)動系統(tǒng)自適應(yīng)外置功率管的輸入電容，改善外置功率管開關(guān)時產(chǎn)生的EMI問題，工作效率高且

高壓放大器在半導(dǎo)體測試中扮演著“能量助推器”和“精密指揮官”的角色，它將測試設(shè)備產(chǎn)生的微弱控制信號精準放大到數(shù)百甚至數(shù)千伏的高壓，以滿足各種嚴苛的測試條件。下面將詳細介紹它在幾個關(guān)鍵測試場景中的具體作用以及需求。介電擊穿測試：對芯片的絕緣層施加從低到高（可達±20kV）的直流或掃描電壓，分析其絕緣失效的臨界點。需求：高輸出電壓、低噪聲（<100μVrms）、精確的電壓控制。芯片老化測試（如功率器件）：施加高于正常工作電壓的應(yīng)力，加速芯片老化，以評估其長期可靠性。需求：高電壓/電流輸出、長期穩(wěn)定性、良好的過溫與過流保護機制。壓電陶瓷驅(qū)動（MEMS傳感器）：驅(qū)動微機電系統(tǒng)中的壓電元件，實現(xiàn)精密運動或傳感。需求：能夠驅(qū)動容性負載、高輸出電流（峰值可達百mA級）、四象限輸出。晶體管參數(shù)測試：為